[發明專利]多晶硅及其鑄造方法有效
| 申請號： | 201380017179.5 | 申請日： | 2013-03-01 |
| 公開（公告）號： | CN104169475B | 公開（公告）日： | 2018-01-12 |
| 發明（設計）人： | 八木大地;安部貴裕 | 申請（專利權）人： | 勝高股份有限公司 |
| 主分類號： | C30B29/06 | 分類號： | C30B29/06;C30B28/06;H01L31/028;H01L31/18 |
| 代理公司： | 中國專利代理(香港)有限公司72001 | 代理人： | 張桂霞,劉力 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 多晶 及其 鑄造 方法 | ||
【權利要求書】：
1.多晶硅的鑄造方法，其特征在于：在導入了惰性氣體的室的感應線圈內配置軸方向的至少一部分在周方向被分割成幾段的無底冷卻坩堝，通過上述感應線圈的電磁感應加熱將裝入上述無底冷卻坩堝內的多晶硅的原料熔融，依次冷卻熔融硅使其凝固，載置于上面涂布有脫模材料的支撐臺上，同時向下方牽拉，其中，將上述熔融硅中的碳濃度調整至4.0×1017原子/cm3以上且6.0×1017原子/cm3以下、將氧濃度調整至0.3×1017原子/cm3以上且5.0×1017原子/cm3以下、以及將氮濃度調整至8.0×1013原子/cm3以上且1.0×1018原子/cm3以下，上述碳濃度和氧濃度的調整是通過向上述室內供給二氧化碳氣體以調整該二氧化碳氣體相對于上述惰性氣體的分壓來進行的。
2.權利要求1所述的多晶硅的鑄造方法，其中，作為上述脫模材料使用含氮脫模材料，上述氮濃度的調整是通過調整上述含氮脫模材料中的氮化硅在上述支撐臺上面的涂布面積來進行的。
3.權利要求1所述的多晶硅的鑄造方法，其中，上述氮濃度的調整是通過向上述室內供給氮氣以調整該氮氣相對于上述惰性氣體的分壓來進行的。
4.權利要求2所述的多晶硅的鑄造方法，其中，上述含氮脫模材料包含氮化硅、硅酸乙酯、純水和鹽酸。
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