[發(fā)明專利]半導(dǎo)體晶片處理

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201380016208.6
• 申請日: 2013-04-05
• 公開（公告）號: CN104205303A
• 公開（公告）日: 2014-12-10
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 入口祥一;佐田博之;谷野元?dú)?/a>
• 申請（專利權(quán)）人: 德克薩斯儀器股份有限公司
• 主分類號: H01L21/301
• 分類號: H01L21/301;H01L21/02
• 代理公司: 北京紀(jì)凱知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11245
• 代理人: 趙蓉民

技術(shù)領(lǐng)域

背景技術(shù)

集成電路(通常稱為“IC”或“半導(dǎo)體芯片”或簡單地稱為“芯片”)為電子電路，其通過將微量元素?cái)U(kuò)散到半導(dǎo)體材料(諸如硅)的薄襯底的表面中而制成。集成電路首先于二十世紀(jì)中期生產(chǎn)。由于它們尺寸小且生產(chǎn)成本相對低，因此現(xiàn)在集成電路用在大多數(shù)現(xiàn)代電子裝置中。半導(dǎo)體芯片通常以包括大量相同的集成電路的單晶片的形式批量生產(chǎn)。晶片被切割(單體化)成若干單獨(dú)的半導(dǎo)體芯片，其被稱為“裸片(dies)”或“晶粒(dice)”。

裸片通常被“封裝”以防止對裸片的損壞并且便于將裸片附接到電路板。已經(jīng)使用了各種封裝材料和工藝封裝集成電路裸片。一種常規(guī)封裝方法包括以預(yù)定圖案將單獨(dú)的裸片安裝在襯底條上。然后將安裝在襯底條上的裸片密封在塑料材料中，如通過傳遞模塑工藝。接著，通過根據(jù)預(yù)定的裸片安裝圖案切割密封的裸片/襯底條而將密封的裸片單體化為單獨(dú)的集成電路封裝件。典型切割工具包括鋸和打孔器。每個集成電路封裝件通常包括至少一個裸片和襯底條的底層部分，其中集成電路封裝件安裝在其上，以及密封材料通常覆蓋裸片。底層襯底條有時為引線框，其中裸片電連接到該引線框，并且其進(jìn)而適于連接到印制電路板(“PC”板)。

多年來，集成電路和它們所附接的電路板在物理上變得更小且更復(fù)雜。一種相對新的技術(shù)可選地被稱為“晶片規(guī)模封裝”、“晶片級芯片規(guī)模封裝”、“晶片級芯片尺寸封裝”和其他類似名稱。本文將使用短語“晶片規(guī)模封裝”(“WSP”)。使用WSP封裝，未封裝的裸片，即，不具有保護(hù)密封的包圍層的裸片，被安裝在印制電路板上。裸片電連接到印制電路板所需的結(jié)構(gòu)通常在裸片的第一表面上制造，并且裸片在單晶片中仍完整地連接一起。例如，在WSP封裝的一種形式中，在晶片級的裸片的第一表面上形成各種金屬層。在一些情況下，其他電接觸器或電路在裸片的第二表面上形成。在晶片單體化后，該類裸片可第一側(cè)向下地附接到PC板，并且可通過第二側(cè)上的電路進(jìn)一步電連接到PC板、布線板、其他裸片等。該類WSP裸片具有比常規(guī)封裝的IC裸片相當(dāng)小的優(yōu)點(diǎn)，因此對于應(yīng)用是理想的，如便攜式電話和數(shù)字板，其中相關(guān)的PC板必須具有小的占用面積。

發(fā)明內(nèi)容

附圖說明

圖1為示出硅晶片的前側(cè)的等距圖。

圖2為在前側(cè)上形成金屬層之后的圖1的晶片的橫截面圖。

圖3為在彎曲狀態(tài)下的圖2的結(jié)構(gòu)的橫截面圖。

圖4為金屬層被施加到其前側(cè)的晶片的橫截面圖，其中根據(jù)Taiko工藝研磨晶片的背側(cè)。

圖5為硅晶片、支撐薄片和支撐框架的分解等距圖。

圖6為組裝狀態(tài)下的圖5的硅晶片、支撐薄片和支撐框架的頂視圖。

圖7為具有在背側(cè)研磨和拋光之前的前側(cè)金屬層和附接的背面研磨膠帶的硅晶片的橫截面圖。

圖8為背側(cè)研磨和拋光后的圖7的晶片的橫截面圖。

圖9為附接到支撐薄片和框架的圖8的晶片的橫截面圖。

圖10為圖9的橫截面圖，示出施加到晶片的背側(cè)金屬層。

圖11為圖10中的晶片和結(jié)構(gòu)的橫截面圖，其在倒轉(zhuǎn)位置并包括施加到前側(cè)金屬層和支撐薄片的切割膠帶。

圖12為圖11的橫截面視圖，其中結(jié)構(gòu)被重新倒轉(zhuǎn)并示出利用剝離膠帶移除背面研磨膠帶。

圖13為圖12在移除背面研磨膠帶的移除之后并示出利用鋸切割的橫截面圖。

圖14為圖10的橫截面圖，其中結(jié)構(gòu)被再次倒轉(zhuǎn)并示出剝離膠帶的使用以移除支撐薄片。

圖15為圖14的橫截面圖，其中支撐薄片被移除。

圖16為圖15的橫截面圖，其中將切割膠帶施加到背側(cè)金屬層、暴露的背側(cè)硅和支撐框架。

圖17為圖16的橫截面圖，其被倒轉(zhuǎn)并示出利用剝離膠帶移除背面研磨膠帶。

圖18為圖17的橫截面圖，其中背面研磨膠帶被移除并示出利用鋸切割。

圖19為由圖1的晶片的一部分制造的裸片的等距圖。

圖20示出處理半導(dǎo)體晶片的方法的一個實(shí)施例的流程圖。

圖21示出處理半導(dǎo)體晶片的方法的另一個實(shí)施例的流程圖。

具體實(shí)施方式