[發明專利]半導體晶片處理

無效

• 申請號: 201380016208.6
• 申請日: 2013-04-05
• 公開（公告）號: CN104205303A
• 公開（公告）日: 2014-12-10
• 發明（設計）人: 入口祥一;佐田博之;谷野元氣
• 申請（專利權）人: 德克薩斯儀器股份有限公司
• 主分類號: H01L21/301
• 分類號: H01L21/301;H01L21/02
• 代理公司: 北京紀凱知識產權代理有限公司 11245
• 代理人: 趙蓉民

1.一種處理半導體晶片的方法，其包括：

提供外部支撐結構；以及

利用所述外部支撐結構抑制所述晶片的外圍部分的徑向向內位移。

2.根據權利要求1所述的方法，其中抑制所述外圍部分的徑向向內位移包括將所述支撐結構附接到所述晶片的所述外圍部分。

3.根據權利要求2所述的方法，其中將所述外部支撐結構附接到所述外圍部分包括將相對柔韌的支撐薄片附接到所述晶片的所述外圍部分。

4.根據權利要求3所述的方法，其中將所述支撐結構附接到所述晶片的所述外圍部分進一步包括將所述相對柔韌的支撐薄片附接到相對剛性的支撐框架。

5.根據權利要求4所述的方法，其中將所述相對柔韌的支撐薄片附接到所述外圍部分包括在所述支撐薄片中定位中心開口，以使其暴露所述晶片的中心部分；以及將所述開口徑向向外定位的所述支撐薄片的一部分附接到所述支撐框架。

6.根據權利要求5所述的方法，其中將所述支撐薄片的一部分附接到所述支撐框架包括將所述支撐薄片中所述開口徑向向外定位的所述支撐薄片的所述部分附接到所述支撐框架中中心開口徑向向外定位的所述支撐框架的一部分。

7.根據權利要求6所述的方法：

其中所述晶片具有前側和相反的背側，所述支撐薄片具有前側和相反的背側，所述支撐框架具有前側和相反的背側，并且所述晶片、支撐薄片和支撐框架的所述前側的每個面向第一方向；

其中將相對柔韌的支撐薄片附接到所述晶片的所述外圍部分包括將所述支撐薄片的第二側附接到所述晶片的第一側的外圍部分；并且

其中將所述相對柔韌的支撐薄片附接到相對剛性的支撐框架包括將所述支撐薄片的所述第二側附接到所述支撐框架的所述第一側。

8.一種處理具有背側和相反的前側的半導體晶片的方法，其包括：

提供具有在其中中心定位的開口的晶片支撐薄片；以及

將所述晶片支撐薄片附接到所述晶片的所述背側的外圍部分，其中所述晶片背側的中心部分通過所述支撐薄片開口暴露。

9.根據權利要求8所述方法，包括將所述支撐薄片附接到支撐框架。

10.根據權利要求9所述的方法，包括利用接合所述支撐框架的外部傳送機構傳送所述晶片、支撐薄片和支撐框架。

11.根據權利要求10所述的方法，包括將背側金屬層施加到所述晶片背側的所述暴露部分。

12.根據權利要求11所述的方法，包括從所述晶片移除所述支撐薄片。

13.根據權利要求12所述的方法，包括將切割膠帶施加到所述晶片的所述背側和在其上的所述金屬涂層，并施加到所述支撐框架，并然后切割所述晶片。

14.根據權利要求11所述的方法，包括將切割膠帶施加到所述背側金屬層和所述支撐薄片，然后切割所述晶片。

15.根據權利要求8所述的方法，包括在將所述晶片支撐薄片附接到所述晶片的所述背側的外圍部分之前：

將前側金屬層施加到所述晶片前側；

將背面研磨膠帶施加到所述前側金屬層；以及

將所述晶片背面研磨到預定厚度。

16.一種用于生成具有前側金屬層和背側金屬層的半導體芯片的組件，其包括：

具有前側和相反的背側的半導體晶片，所述背側具有外圍部分和中心部分，其中第一金屬層附接到所述硅晶片前側；和

在其中具有開口的支撐薄片，其附接到所述硅晶片的所述背側的所述外圍部分，其中所述晶片背側的所述中心部分通過所述支撐薄片開口暴露。

17.根據權利要求16所述的組件，進一步包括在其中具有中心開口的相對剛性的支撐框架，并且其中所述支撐薄片相對柔韌并附接到所述支撐框架。

18.根據權利要求17所述的組件，包括附接到所述硅晶片的所述背側的所述中心部分的第二金屬層。

19.根據權利要求17所述的組件，其中所述支撐框架中的所述中心開口小于所述支撐薄片的外圓周。

20.根據權利要求19所述的組件，其中所述硅晶片、所述支撐薄片中的所述中心開口和所述支撐框架中的所述中心開口均基本上同軸。