[發明專利]電阻加熱器

有效

• 申請號: 201380015871.4
• 申請日: 2013-03-20
• 公開（公告）號: CN104206003B
• 公開（公告）日: 2016-10-12
• 發明（設計）人: 森川裕次;松井誠彥;大高昭伸;樋口剛史;藤村研介;陸中浩
• 申請（專利權）人: 莫門蒂夫性能材料股份有限公司
• 主分類號: H05B3/20
• 分類號: H05B3/20
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司 11332
• 代理人: 楊生平;鐘錦舜

相關申請的交叉引用

本申請要求2012年3月20日提交的標題為“電阻加熱器”的美國專利申請第13/424,947的權益，其是2009年1月26日提交的美國專利申請第12/321,284的部分繼續申請，二者均通過引用的方式整體地包含于此。

技術領域

本發明涉及由諸如石墨、SiC等材料制成的電阻加熱器，并且更具體地說，涉及將要用于在其中執行例如CVD(化學蒸汽沉積)或其它涂覆方法的半導體晶片處理設備中直接或間接地加熱半導體晶片的加熱器。

背景技術

在公布號為2005-86117(A)的日本專利中公開了現有技術加熱器的實例。此加熱器采用具有比厚度更大寬度的長方形橫截面的細長陶瓷本體，其形成為環形或螺旋形構造。此加熱器具有低電阻，因此其將需要使用以低電壓與高電流操作的電源，導致用于電源的成本增加。此外，尤其當加熱器受到高溫條件時，此加熱器將趨于彎曲、扭曲或變形。這使得不能均勻地加熱將要在高溫下處理的晶片或任何其它物體。

這里在圖3中示出了現有技術加熱器的通常形狀，其包括具有連接孔的終端部分的放大圖。終端部分在端部具有加寬與擴大形狀的原因在于此部分需要減小的電阻以防止此部分過熱。然而，當使用此加熱器時，此擴大的終端部分可能使得加熱模式的設計更加困難。通過具有擴大終端部分的現有技術加熱器不能夠實現簡單加熱模式。

發明內容

因此，本發明提供了一種具有高電阻與改進強度的加熱器以防止甚至在高溫條件下的加熱器的變形。本發明還防止在加熱器的終端部分處過多的熱量生成，同時終端部分保持狹窄并且不擴大，由此在加熱模式設計中提供了更寬的 選擇。

電阻加熱器可以包括本體。電阻加熱器的本體可以包括：至少一個加熱表面，此加熱表面是大體平滑的并且大體平坦的；形成在本體中的凹入部，至少一部分該本體具有選自下述形狀的橫截面形狀：大體U狀、大體I狀、以及大體H狀，并且其中所述橫截面形狀沿著至少一部分所述本體延伸。

一種用于處理半導體晶片的方法，該方法可以包括提供具有本體的電阻加熱器的步驟，所述本體包括：至少一個加熱表面，該加熱表面是大體平滑的且大體平坦的；形成在本體中的凹入部，至少一部分該本體具有大體水平對稱的橫截面形狀；并且其中該橫截面形狀至少沿著至少一部分本體延伸。該方法還可以包括：將半導體晶片支撐在至少一個加熱表面上；將電流施加到加熱器；以及將半導體晶片加熱到預定溫度。

電阻加熱器可以包括本體。本體可以包括至少一個加熱表面，該加熱表面是大體平滑的且大體平坦的。本體還可以包括形成在本體中的凹入部，至少一部分該本體具有大體上水平對稱的橫截面形狀；并且其中該橫截面形狀沿著至少一部分本體延伸。

附圖說明

通過下面結合附圖理會時的描述，能夠理解本發明的其它目的與優點，在附圖中：

圖1是體現本發明的電阻加熱器的平面圖；

圖2是沿著圖1中的線A-A所剖切的放大橫截面；

圖3示出了傳統的加熱器，其中圖3(a)是其局部平面圖，并且圖3(b)是沿著圖(a)中的線B-B所剖切的放大橫截面。

圖4是體現螺旋形形狀的電阻加熱器的平面圖；；

圖5是體現長方形形狀的電阻加熱器的平面圖；

圖6是電阻加熱器的其它實施方式的平面圖；

圖7是沿著線7-7所剖切的圖6的電阻加熱器的放大橫截面視圖。

圖8是電阻加熱器的其它實施方式的平面圖；以及

圖9是沿著線9-9所剖切的圖8的電阻加熱器的放大橫截面視圖。

具體實施方式

現在將詳細參照本發明的示例性實施方式，在附圖中示出了其實例。應該理解的是，在不偏移本發明的相應范圍的情況下，可以利用其它實施方式并且可以作出結構性與功能性改變。此外，在不偏離本發明的范圍的情況下，可以結合或更改多個實施方式的特征。同樣，下面的描述僅通過說明的方式提出并且不應該以任何方式限定對示出的實施方式做出各種替換與修改并且仍然在本發明的精神和范圍內。