[發(fā)明專利]電阻加熱器有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201380015871.4 | 申請日： | 2013-03-20 |
| 公開（公告）號： | CN104206003B | 公開（公告）日： | 2016-10-12 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 森川裕次;松井誠彥;大高昭伸;樋口剛史;藤村研介;陸中浩 | 申請（專利權(quán)）人： | 莫門蒂夫性能材料股份有限公司 |
| 主分類號： | H05B3/20 | 分類號： | H05B3/20 |
| 代理公司： | 北京品源專利代理有限公司 11332 | 代理人： | 楊生平;鐘錦舜 |
| 地址： | 美國*** | 國省代碼： | 美國;US |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 電阻 加熱器 | ||
1.一種用于處理半導(dǎo)體晶片的方法，該方法包括步驟：
a)提供具有本體的電阻加熱器，所述本體包括：至少一個加熱表面，所述加熱表面是平滑的且平坦的；凹入部，其形成在所述本體中，至少一部分所述本體具有水平對稱的橫截面形狀；并且其中所述橫截面形狀沿著至少一部分所述本體延伸；
b)將半導(dǎo)體晶片支撐在所述至少一個加熱表面上；
c)將電流施加到所述加熱器；以及
d)將所述半導(dǎo)體晶片加熱到預(yù)定溫度。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述本體還包括第一端部與第二端部，并且其中，所述凹入部未形成在所述第一端部與所述第二端部中。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中，所述第一端部與所述第二端部包括終端連接孔。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中，所述第一端部與所述第二端部具有與限定在所述第一端部與所述第二端部之間的加熱區(qū)域相同的寬度，并且所述凹入部未形成在所述第一端部與所述第二端部中。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述本體涂覆以PBN與SiC中的至少一種。
6.一種電阻加熱器，其包括：
本體，所述本體包括：
至少一個加熱表面，所述加熱表面是平滑的并且平坦的；
凹入部，其形成在所述本體中，至少一部分所述本體具有水平對稱的橫截面形狀；并且
其中所述橫截面形狀沿著至少一部分所述本體延伸。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的電阻加熱器，其中，至少一部分所述本體的所述橫截面形狀是I狀或H狀的。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的電阻加熱器，其中，所述凹入部形成在所述本體的第一表面與第二表面的一部分中，以形成I狀的橫截面形狀。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的電阻加熱器，其中，所述第一表面與所述第二表面 分別是所述本體的頂面與底面。
10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的電阻加熱器，其中，所述凹入部形成在所述本體的第一表面與第二表面的一部分中，以形成H狀的橫截面形狀。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的電阻加熱器，其中，所述第一表面與所述第二表面是所述本體的相對側(cè)表面。
12.根據(jù)權(quán)利要求6所述的電阻加熱器，其中，所述本體沿著其長度具有均勻的寬度。
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