[發(fā)明專利]制備用于有機(jī)電子器件的基板的方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201380015611.7 | 申請(qǐng)日: | 2013-03-25 |
| 公開(公告)號(hào): | CN104205406B | 公開(公告)日: | 2019-04-12 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 金榮銀;金鐘碩;文英均;黃珍夏 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 樂(lè)金顯示有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L51/56 | 分類號(hào): | H01L51/56;H05B33/10 |
| 代理公司: | 北京律誠(chéng)同業(yè)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金國(guó);劉亞娟 |
| 地址: | 韓國(guó)*** | 國(guó)省代碼: | 韓國(guó);KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 制備 用于 有機(jī) 電子器件 方法 | ||
本發(fā)明涉及制造用于有機(jī)電子器件的基板的方法以及制造有機(jī)電子器件的方法。本發(fā)明可提供用于形成器件的基板或該器件的制造方法,該器件在用于形成有機(jī)電子器件如有機(jī)發(fā)光器件時(shí),確保優(yōu)異的光萃取效率,防止?jié)駳饣蚩諝鉂B透至裝置中,而改善可靠性。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種制備用于有機(jī)電子器件的基板或制造有機(jī)電子器件的方法,以及一種有機(jī)電子器件。
背景技術(shù)
有機(jī)電子器件(OED;Organic Electronic Device)是一種通過(guò)電極層與有機(jī)材料之間的電子交換而顯示各種功能的器件,其包括有機(jī)發(fā)光器件(OLED)、有機(jī)太陽(yáng)能電池、有機(jī)光導(dǎo)體(OPC)和有機(jī)晶體管。
有機(jī)發(fā)光器件是代表性的有機(jī)電子器件,通常依序包括基板、第一電極層、包括發(fā)光層的有機(jī)層和第二電極層。
在被稱為底部發(fā)光裝置(bottom emitting device)的結(jié)構(gòu)中,第一電極層可以為透明電極層,第二電極層可以為反射電極層。此外,在被稱為頂部發(fā)光裝置(top emittingdevice)的結(jié)構(gòu)中,第一電極層可以為反射電極層,第二電極層可以為透明電極層。
借助這兩個(gè)電極層分別注入電子(electron)和空穴(hole),并在發(fā)光層中將注入的電子和空穴重組(recombination)從而產(chǎn)生光。在底部發(fā)光裝置中,光可發(fā)射至基板,在頂部發(fā)光裝置中,光可發(fā)射至第二電極層。
在有機(jī)發(fā)光器件結(jié)構(gòu)中,通常使用作為透明電極層的銦錫氧化物(ITO),有機(jī)層和通常由玻璃形成的基板,分別具有約2.0、1.8和1.5的折射率。在這樣的折射率關(guān)系中,例如,由于全內(nèi)反射現(xiàn)象(total internal reflection phenomenon),在底部發(fā)光裝置的有機(jī)發(fā)光層中所產(chǎn)生的光會(huì)被有機(jī)層和第一電極層之間的界面或基板所捕獲,僅有極少量光被射出。
為了解決此問(wèn)題,已知的方法有使用能夠?qū)⒐馍⑸浠蚵渲令A(yù)定部位,例如基板和電極層之間的結(jié)構(gòu)。然而,該結(jié)構(gòu)會(huì)提供從外部環(huán)境滲透濕氣或氧氣的路徑,從而成為大幅降低二極體可靠性的原因。
發(fā)明內(nèi)容
技術(shù)問(wèn)題
本發(fā)明提供一種制造用于有機(jī)電子器件的基板或制造有機(jī)電子器件的方法,以及一種有機(jī)電子器件。
技術(shù)方案
本發(fā)明的一個(gè)方面提供一種制造用于有機(jī)電子器件的基板的方法,其可包括處理在基底層上形成的光學(xué)功能層。該光學(xué)功能層可通過(guò),例如,激光來(lái)處理。通過(guò)激光處理光學(xué)功能層,使其具有比基底層小的投射面積。在此使用的術(shù)語(yǔ)“投射面積”意指當(dāng)從所述基板表面的法線方向的上方觀察該基板時(shí),可辨識(shí)的目標(biāo)物如基底層、光學(xué)功能層或電極層的投射面積。因此,例如,由于光學(xué)功能層的表面以凹凸形狀形成等原因,在該光學(xué)功能層的實(shí)際表面積大于電極層的情況下,如果從上方辨識(shí)的所述光學(xué)功能層的面積小于從上方辨識(shí)的所述電極層的面積,則應(yīng)被理解為該光學(xué)功能層具有小于該電極層的投射面積。通過(guò)激光可移除至少一部分的光學(xué)功能層,使該光學(xué)功能層具有比該基底層小的投射面積。在一個(gè)實(shí)例中,光學(xué)功能層實(shí)質(zhì)上可在基底層的全部表面上形成。在基底層上形成的光學(xué)功能層例如可通過(guò)上述處理被圖案化(patterning)。
例如,可使用激光進(jìn)行上述處理。當(dāng)使用激光進(jìn)行處理時(shí),已處理的光學(xué)功能層的切斷部分并未出現(xiàn)翹起等現(xiàn)象,因此可將之后所形成的電極層的表面電阻維持在一個(gè)合適的水平。此外,當(dāng)提供高度變化被最小化的表面時(shí),可解決例如該裝置的短路或不良的電氣性連接。
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- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機(jī)材料作有源部分或使用有機(jī)材料與其他材料的組合作有源部分的固態(tài)器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設(shè)備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的;具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應(yīng)紅外線輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉(zhuǎn)換為電能,或者適用于通過(guò)這樣的輻射進(jìn)行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發(fā)射的,如有機(jī)發(fā)光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇
- 應(yīng)用有機(jī)材料制作有機(jī)發(fā)光裝置
- 有機(jī)發(fā)光材料及有機(jī)發(fā)光裝置
- 有機(jī)半導(dǎo)體組合物以及有機(jī)薄膜和具有該有機(jī)薄膜的有機(jī)薄膜元件
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- 有序的有機(jī)-有機(jī)多層生長(zhǎng)
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