[發明專利]氣體阻隔性膜及其制造方法、以及氣體阻隔性層疊體有效
| 申請號: | 201380014960.7 | 申請日: | 2013-03-29 |
| 公開(公告)號: | CN104185548B | 公開(公告)日: | 2017-08-01 |
| 發明(設計)人: | 杉田健太郎;大川原千春;山內康嗣 | 申請(專利權)人: | 三菱樹脂株式會社 |
| 主分類號: | B32B9/00 | 分類號: | B32B9/00;B32B27/30;C23C14/06;C23C16/42 |
| 代理公司: | 北京集佳知識產權代理有限公司11227 | 代理人: | 苗堃,金世煜 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 氣體 阻隔 及其 制造 方法 以及 層疊 | ||
1.一種光學用氣體阻隔性膜,是在形成于基材膜的至少一面的無機層上設置含有聚乙烯醇和硅化合物的樹脂層而成的光學用氣體阻隔性膜,
所述無機層具有至少1層利用導入了氧的物理氣相蒸鍍法形成的無機層即PVD無機層,
基于JIS Z8722進行測定而得的b*值為-0.5~0.5、a*值為-0.5~0.5,
基于JIS K7136:2000進行測定而得的霧度值為0.1~4.0%,
60℃、90%RH的水蒸氣透過率小于0.5g/m2/24h/atm。
2.根據權利要求1所述的光學用氣體阻隔性膜,其中,在形成所述樹脂層后實施退火處理而成。
3.根據權利要求1或2所述的光學用氣體阻隔性膜,其中,所述無機層由選自氧化硅、氮化硅、氧化氮化硅、氧化碳化硅、氧化碳化氮化硅、氧化鋁、氮化鋁、氧化氮化鋁、和氧化碳化鋁中的至少1種無機化合物構成。
4.根據權利要求1或2所述的光學用氣體阻隔性膜,其中,所述無機層含有2層以上的所述PVD無機層。
5.根據權利要求1或2所述的光學用氣體阻隔性膜,其中,所述無機層依次形成有PVD無機層、利用化學氣相蒸鍍法形成的無機層即CVD無機層、和PVD無機層。
6.根據權利要求5所述的光學用氣體阻隔性膜,其中,所述CVD無機層中的碳含量低于20at.%且膜厚小于20nm。
7.根據權利要求1或2所述的光學用氣體阻隔性膜,其中,在所述基材膜的至少一面設置有錨固涂層。
8.根據權利要求1或2所述的光學用氣體阻隔性膜,其中,60℃、90%RH的水蒸氣透過率小于0.3g/m2/24h/atm。
9.一種氣體阻隔性層疊體,是將權利要求1~8中任一項所述的光學用氣體阻隔性膜與透明膜和/或低收縮膜介由粘接層或粘合層層疊而成的。
10.一種氣體阻隔性層疊體,是在權利要求9所述的氣體阻隔性層疊體的至少一面側層疊選自防眩層、低反射層和防眩低反射層中的至少1層而成的。
11.一種顯示器用保護片,具有權利要求10的氣體阻隔性層疊體。
12.一種光學用氣體阻隔性膜的制造方法,是在基材膜的至少一面形成無機層,接著在該無機層上形成含有聚乙烯醇和硅化合物的樹脂層的光學用氣體阻隔性膜的制造方法,
利用導入了氧的物理氣相蒸鍍法形成所述無機層的至少1層,在形成所述樹脂層后實施退火處理,使基于JIS Z8722進行測定而得的b*值為-0.5~0.5、a*值為-0.5~0.5,基于JIS K7136:2000進行測定而得的霧度值為0.1~4.0%,60℃、90%RH的水蒸氣透過率小于0.5g/m2/24h/atm。
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