[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置及半導(dǎo)體裝置的制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201380014333.3
• 申請(qǐng)日: 2013-07-04
• 公開（公告）號(hào): CN104254920B
• 公開（公告）日: 2017-03-08
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 新村康;坂田敏明
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 富士電機(jī)株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01L29/78
• 分類號(hào): H01L29/78;H01L21/336;H01L29/739
• 代理公司: 北京銘碩知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司11286
• 代理人: 韓芳,金光軍

1.一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述半導(dǎo)體裝置包括：

由金屬-氧化物-半導(dǎo)體構(gòu)成的絕緣柵極結(jié)構(gòu)，設(shè)置在第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體基板的第一主表面上；以及

漂移層，設(shè)置在所述第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體基板的所述第一主表面和位于該第一主表面的相反側(cè)的第二主表面之間，

其中，所述漂移層是包括第一導(dǎo)電型區(qū)域和第二導(dǎo)電型區(qū)域、且所述第一導(dǎo)電型區(qū)域與所述第二導(dǎo)電型區(qū)域之間的pn結(jié)沿著與所述第一主表面垂直的方向延伸的并列pn層，所述第一導(dǎo)電型區(qū)域的與所述第一主表面垂直的方向的長(zhǎng)度比與所述第一主表面平行的方向的寬度長(zhǎng)，所述第二導(dǎo)電型區(qū)域的與所述第一主表面垂直的方向的長(zhǎng)度比與所述第一主表面平行的方向的寬度長(zhǎng)，并且所述第二導(dǎo)電型區(qū)域與所述第一導(dǎo)電型區(qū)域沿著與所述第一主表面平行的方向交替地以相接觸的方式排列，

所述第二導(dǎo)電型區(qū)域的所述第二主表面?zhèn)鹊亩瞬可显O(shè)有第二導(dǎo)電型的第二主表面?zhèn)葏^(qū)域，所述第二導(dǎo)電型的第二主表面?zhèn)葏^(qū)域在與所述第一主表面平行的方向上、且沿著與所述第一導(dǎo)電型區(qū)域和所述第二導(dǎo)電型區(qū)域排列的第一方向垂直的第二方向具有以預(yù)定的節(jié)距高低重復(fù)出現(xiàn)的雜質(zhì)濃度分布。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述第二主表面?zhèn)葏^(qū)域包括：

第二主表面?zhèn)雀邼舛葏^(qū)域，第二主表面?zhèn)雀邼舛葏^(qū)域的雜質(zhì)濃度比所述第二導(dǎo)電型區(qū)域的所述第二主表面?zhèn)鹊亩瞬康碾s質(zhì)濃度高，并且第二主表面?zhèn)雀邼舛葏^(qū)域的所述第一方向的寬度比所述第二導(dǎo)電型區(qū)域的所述第一方向的寬度寬，以及

第二主表面?zhèn)鹊蜐舛葏^(qū)域，第二主表面?zhèn)鹊蜐舛葏^(qū)域的雜質(zhì)濃度比所述第二導(dǎo)電型區(qū)域的所述第二主表面?zhèn)鹊亩瞬康碾s質(zhì)濃度低，并且第二主表面?zhèn)鹊蜐舛葏^(qū)域的所述第一方向的寬度比所述第二導(dǎo)電型區(qū)域的所述第一方向的寬度窄，

其中，所述第二主表面?zhèn)雀邼舛葏^(qū)域和所述第二主表面?zhèn)鹊蜐舛葏^(qū)域沿著所述第二方向交替地重復(fù)且連續(xù)地布置。

3.根據(jù)權(quán)利要求1和2中的任意一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述預(yù)定的節(jié)距比所述第一導(dǎo)電型區(qū)域與所述第二導(dǎo)電型區(qū)域的重復(fù)節(jié)距小。

4.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，用于制造權(quán)利要求2中所述的半導(dǎo)體裝置，

所述半導(dǎo)體裝置的制造方法包括形成工藝，通過利用具有沿著所述第二方向延伸的條紋狀的開口部的掩模來進(jìn)行離子注入，從而形成所述第二主表面?zhèn)葏^(qū)域，

所述掩模的所述開口部形成為由第一開口部和第二開口部沿著條紋狀的延伸方向交替布置而成的條紋圖案，所述第一開口部使與所述第二主表面?zhèn)雀邼舛葏^(qū)域的形成區(qū)域?qū)?yīng)的部分露出，所述第二開口部使與所述第二主表面?zhèn)鹊蜐舛葏^(qū)域的形成區(qū)域?qū)?yīng)的部分露出，并且所述第二開口部的開口面積比所述第一開口部的開口面積小。