[發明專利]磁記錄介質的制造方法

有效

• 申請號: 201380014327.8
• 申請日: 2013-06-25
• 公開（公告）號: CN104170014A
• 公開（公告）日: 2014-11-26
• 發明（設計）人: 佐藤成實;熊谷明恭;片野智紀;谷口克己;小野博美
• 申請（專利權）人: 富士電機株式會社
• 主分類號: G11B5/84
• 分類號: G11B5/84
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 張鑫

技術領域

本發明涉及計算機等信息處理設備的信息記錄裝置或者搭載于民用設備的記錄裝置所使用的磁記錄介質的制造方法，特別涉及硬盤裝置所使用的磁記錄介質的制造方法。

背景技術

硬盤驅動器的記錄容量日趨增大，搭載于其上的磁記錄介質的記錄密度也一直在變大。現有的水平磁記錄方式中，熱波動成為提高記錄密度的較大問題，因此，近年來發起了將可以解決這一問題的新記錄方式即垂直磁記錄方式的磁記錄介質產品化的技術革新。記錄密度的上升沒有停止，且以每年50％左右的比例持續上升。這不僅僅源于上述記錄方式的變換，還在于所有技術領域的持續發展。例如，就HDI(Head?Disk?Interface：磁頭-磁盤接口)技術而言，磁頭的上浮量逐年減小，從而要求磁記錄介質的磁性層與磁頭之間的距離(磁隙)越來越小。作為減小磁隙的方法之一，要求使磁性層上形成的保護層、保護層上的潤滑層實現薄膜化。

保護層起到保護磁性層的作用，以金屬材料為主要成分的磁性層需要有很高的耐腐蝕性，以防止其與大氣中的水分或腐蝕性氣體發生反應而腐蝕。而且，還需要相對于磁頭的移動具有耐久性。其理由是因為，雖然磁頭在磁記錄介質上相對高速且僅保持微小的磁隙上浮而移動，但在因某種問題而導致磁頭與磁記錄介質接觸的情況下，也能防止磁性層受損。

潤滑層起到使磁頭在磁記錄介質上順暢且穩定地移動的作用。潤滑層在保護層上形成得極薄，相當于磁記錄介質的最表層。

決定保護層性能的要素有保護層的致密性。因此，保護層通常使用致密性較高的碳層，在碳層中通常使用類金剛石碳(DLC)層。DLC層具有使得碳元素彼此以強鍵合力致密地相鍵合的sp³鍵，因此從上述耐腐蝕性和耐久性方面考慮是合適的。

DLC層的形成方法中，以碳化氫類氣體作為原料的等離子體CVD(Chemical?Vapor?Deposition：化學氣相沉積)法已廣泛普及。等離子體CVD法是向包含有構成膜的原子的化合物氣體提供能量，使其變成等離子體狀態，從而產生活性離子或基團并發生化學反應，由此來形成薄膜的方法。保護層越薄，覆蓋性就越差，因此，作出了通過進一步提高致密性來維持耐腐蝕性和耐久性的嘗試。對于碳層，提高sp³鍵合率十分重要，從而需要選擇能產生高密度等離子體的方式。另外，J.Robertson、Diamond?and?Related?Materials,3(1994)p.361-368中，記載了通過使等離子體所產生的碳離子的能量最優化來提高sp³鍵合率的方案，從而成膜條件最優化也很重要。

等離子體CVD法按照等離子體的產生方法和所能產生的等離子體密度，可分成如下方式。例如，已知CCP(Capacitively?Coupled?Plasma：電容耦合等離子體)方式下等離子體密度為10¹¹cm^-3左右，熱絲方式下等離子體密度為10¹⁰cm^-3～10¹¹cm^-3左右，ECR(Electron?Cyclotron?Resonance：電子回旋共振)方式或ICP(Inductively?Coupled?Plasma：電感耦合等離子體)方式下等離子體密度為10¹¹cm^-3～10¹²cm^-3左右，在ICP法的基礎上增加直流磁場的MEICP(Magnetically?Enhanced?Inductively?Coupled?Plasma：磁性增強電感耦合等離子體)方式等下等離子體密度在10¹²cm^-3以上。

已知DLC層的拒水性較高，與水的接觸角(以下簡記為接觸角)較大。由于耐腐蝕性越高的致密膜，其拒水性越高，因此，提出了利用這一性質并用接觸角來規定保護層從而得到高耐腐蝕性的方法。例如，參照日本專利特開S61-222024號公報、日本專利特開H08-167138號公報、日本專利特開H09-237415號公報1～3。日本專利特開S61-222024號公報的特征在于接觸角為75度以上，日本專利特開H08-167138號公報的特征在于接觸角為60度以上。而日本專利特開H09-237415號公報的特征在于接觸角為80度以上。