[發(fā)明專利]磁記錄介質(zhì)的制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201380014327.8
• 申請(qǐng)日: 2013-06-25
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN104170014A
• 公開(kāi)（公告）日: 2014-11-26
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 佐藤成實(shí);熊谷明恭;片野智紀(jì);谷口克己;小野博美
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 富士電機(jī)株式會(huì)社
• 主分類號(hào): G11B5/84
• 分類號(hào): G11B5/84
• 代理公司: 上海專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 31100
• 代理人: 張?chǎng)?/td>

1.一種磁記錄介質(zhì)的制造方法，該磁記錄介質(zhì)在基板上具備磁性層、保護(hù)層下層、保護(hù)層上層和潤(rùn)滑層，保護(hù)層下層與保護(hù)層上層的合計(jì)膜厚在2.5nm以下，所述磁記錄介質(zhì)的制造方法的特征在于，依次包括以下工序：

1)保護(hù)層下層的成膜工序；

2)對(duì)保護(hù)層下層進(jìn)行氧等離子體處理的工序；

3)保護(hù)層上層的成膜工序；以及

4)對(duì)保護(hù)層上層進(jìn)行氮等離子體處理的工序。

2.如權(quán)利要求1所述的磁記錄介質(zhì)的制造方法，其特征在于，

所述保護(hù)層下層及保護(hù)層上層由碳類材料形成。

3.如權(quán)利要求2所述的磁記錄介質(zhì)的制造方法，其特征在于，

所述保護(hù)層下層及保護(hù)層上層由類金剛石碳形成。

4.如權(quán)利要求1至3的任一項(xiàng)所述的磁記錄介質(zhì)的制造方法，其特征在于，

所述保護(hù)層下層在大氣中與水的接觸角在25度以下。

5.如權(quán)利要求1所述的磁記錄介質(zhì)的制造方法，其特征在于，

進(jìn)行所述氧等離子體處理的工序中所使用的等離子體為利用稀有氣體與氧的混合氣體的熱絲方式等離子體。