[發(fā)明專利]真空滅弧室裝置及其制造方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201380013077.6 | 申請日： | 2013-01-31 |
| 公開（公告）號： | CN104160465B | 公開（公告）日： | 2017-03-29 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | D·根奇 | 申請（專利權(quán)）人： | ABB技術(shù)股份公司 |
| 主分類號： | H01H33/662 | 分類號： | H01H33/662 |
| 代理公司： | 中國國際貿(mào)易促進委員會專利商標事務(wù)所11038 | 代理人： | 秦振 |
| 地址： | 瑞士*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 真空 滅弧室 裝置 及其 制造 方法 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種根據(jù)權(quán)利要求1的前序部分所述的真空滅弧室，其在金屬殼體部件與陶瓷殼體部件之間具有由絕緣材料覆蓋的過渡區(qū)域。
背景技術(shù)
真空滅弧室用在中壓開關(guān)設(shè)備中。DE?10?2008?031?473披露了一種真空滅弧室，其由金屬部件部和陶瓷部件部組成。為了增強介電性能，該真空滅弧室在從金屬部件過渡到陶瓷部件的區(qū)域中具有絕緣材料環(huán)。該絕緣材料環(huán)在絕緣材料內(nèi)部另外還具有類似金屬氧化物之類的添加劑來影響絕緣性能。
這種構(gòu)造不是足夠有效的，尤其是對于串聯(lián)布置的多個真空滅弧室而言。
發(fā)明內(nèi)容
因此本發(fā)明的目的是要增強真空滅弧室的介電性能和場分級性能。
總體上該問題是通過以合適的方式使用電容器和電阻器來解決的，所述方式使得：電壓的控制可以被最優(yōu)化以在串聯(lián)連接的裝置(在本申請中為串聯(lián)連接的真空滅弧室)中獲得增強的介電性能，或者，在使用高壓滅弧室的情況下，使得所有使用的屏蔽件連接成控制(電壓分級)真空滅弧室上的電壓分布，以及通過連續(xù)地獲得多個Vl來控制單個真空滅弧室內(nèi)部的電壓分布和總體的分布。
由此，本發(fā)明限定成所述絕緣材料作為管件在真空滅弧室的至少幾乎整個長度上延伸，并且該絕緣材料填充有或者至少在與真空滅弧室表面緊密接觸的內(nèi)表面上覆蓋有金屬和/或?qū)щ姷慕饘傺趸锘蛘呔哂杏邢迣?dǎo)電性的金屬或者材料。
所述電容器和/或電阻器與這些裝置并聯(lián)安裝并且連接到每個使用的裝置的端子。僅在多隙屏蔽真空滅弧室(高壓真空滅弧室)的情況下，所述連接可以或者必須在多個點上進行以獲得該裝置的“良好”電壓分布。考慮到這些電容器和還稍微考慮到所使用的電阻器，該電場控制的壽命將是有限的。
在高壓設(shè)備真空滅弧室中，通過在單個真空滅弧室中使用多個屏蔽件或者在兩個或多個串聯(lián)安裝的真空滅弧室的情況下通過應(yīng)用具有有限導(dǎo)電性的薄板材料可以增強該裝置的絕緣水平。在這種情況下，可以使具有多隙配置的單個Vl或者兩個或多個串聯(lián)布置的真空滅弧室的屏蔽件之間的電壓分布最優(yōu)化以增加所安裝設(shè)備的總體介電性能。
一個有利的實施方式是在多個真空滅弧室或者真空裝置串聯(lián)的情況下，將使用共用管件來提供共用覆蓋層。因此，這導(dǎo)致真空滅弧室?guī)缀跽麄€軸向長度或者多個串聯(lián)真空滅弧室裝置的幾乎整個長度的一個共用管件。相比于類似前述現(xiàn)有技術(shù)文獻中那樣的僅局部延伸的環(huán)的構(gòu)造，這種管件具有好得多的介電增強效果。
另一個有利實施方式是真空滅弧室的陶瓷部件被分成串聯(lián)布置的至少兩個陶瓷段，在這些段之間具有在外部延伸的中間屏蔽接觸件，這些段還由之前所述的共用管件覆蓋。
另一個有利的實施方式是真空滅弧室的陶瓷部件被分成串聯(lián)布置的至少兩個陶瓷段，在這些段之間具有在外部延伸的中間屏蔽接觸件，這些段還由多層式布置的一些管件覆蓋。
另一個有利的實施方式是真空滅弧室的陶瓷部件被分成串聯(lián)布置的至少兩個陶瓷段，在這些段之間具有在外部延伸的中間屏蔽(3，3′，3″)接觸件，多層式結(jié)構(gòu)的單個管件可以電連接到真空滅弧室或裝置(類似浮動的一樣)，該設(shè)計的部分層或者所有層都連接到所述裝置。
在一個有利的實施方式中所述管件可以是熱收縮管件，或者作為一種替代是冷收縮管件。通過使用收縮管件或者使用收縮管件材料作為基礎(chǔ)材料，這些管件可以容易地緊貼布置在真空滅弧室表面上。
此外，有利的是具有之前所述的共用管件的真空滅弧室或者串聯(lián)的多個真空滅弧室裝置最后嵌入在環(huán)氧樹脂中或者熱塑性殼體中。這形成了具有高介電性能的完整極部件。
作為類似上面所述的嵌入極部件的替代，具有之前所述的共用管件的真空滅弧室或者串聯(lián)的多個真空滅弧室裝置最后還可以組裝在由絕緣材料制成的殼體中，正如所謂的“組裝式極部件”一樣。
提供了一種制造真空滅弧室或者具有真空滅弧室的極部件的方法，其是將絕緣材料完全填充金屬和/或?qū)щ姷慕饘傺趸锘蛘咴谂c真空滅弧室表面接觸的內(nèi)表面上覆蓋金屬和/或?qū)щ姷慕饘傺趸铮摻^緣材料成型為由冷收縮或熱收縮絕緣材料制成的管件，所述管件將布置在至少幾乎真空滅弧室的整個長度上。
一個有利的實施方式是將如此覆蓋的真空滅弧室或者串聯(lián)布置的多個真空滅弧室裝置放置到模具中，接下來通過環(huán)氧樹脂或者熱塑性注塑工藝制造絕緣殼體。
金屬氧化物例如使用ZnO、Bi2O3、Co3O4和CoO。
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