[發(fā)明專利]真空滅弧室裝置及其制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201380013077.6
• 申請日: 2013-01-31
• 公開（公告）號: CN104160465B
• 公開（公告）日: 2017-03-29
• 發(fā)明（設(shè)計）人: D·根奇
• 申請（專利權(quán)）人: ABB技術(shù)股份公司
• 主分類號: H01H33/662
• 分類號: H01H33/662
• 代理公司: 中國國際貿(mào)易促進(jìn)委員會專利商標(biāo)事務(wù)所11038
• 代理人: 秦振

1.一種真空滅弧室，其在金屬殼體部件與陶瓷殼體部件之間具有由絕緣材料覆蓋的過渡區(qū)域，其特征在于，所述絕緣材料作為管件(4)在真空滅弧室(1，1′)或者真空裝置的至少幾乎整個長度上延伸，所述絕緣材料填充有金屬和/或?qū)щ姷慕饘傺趸锘蛘呔哂杏邢迣?dǎo)電性的材料或者在與真空滅弧室表面緊密接觸的內(nèi)表面上至少覆蓋有所述金屬和/或所述導(dǎo)電的金屬氧化物或者所述具有有限導(dǎo)電性的材料。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的真空滅弧室，其特征在于，在串聯(lián)的多個真空滅弧室(1，1′)或者真空裝置的結(jié)構(gòu)的情況下，由一共用管件(4)施加一共用覆蓋層。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的真空滅弧室，其特征在于，真空滅弧室的陶瓷部件被分成串聯(lián)布置的至少兩個陶瓷段，這些段之間具有在外部延伸的中間屏蔽(3，3′，3″)接觸件，這些段還由之前所述的共用管件覆蓋。

4.根據(jù)權(quán)利要求1，2或3所述的真空滅弧室，其特征在于，真空滅弧室的陶瓷部件被分成串聯(lián)布置的至少兩個陶瓷段，在這些段之間具有在外部延伸的中間屏蔽(3，3′，3″)接觸件，這些段還由多層式布置的一些管件覆蓋。

5.根據(jù)權(quán)利要求1，2或3所述的真空滅弧室，其特征在于，真空滅弧室的陶瓷部件被分成串聯(lián)布置的至少兩個陶瓷段，在這些段之間具有在外部延伸的中間屏蔽(3，3′，3″)接觸件，多層式結(jié)構(gòu)的單個管件能夠(類似于浮動地一樣)電連接到真空滅弧室或真空裝置，該設(shè)計的部分層或者所有層連接到所述真空裝置。

6.根據(jù)前述權(quán)利要求1-5中任一項所述的真空滅弧室，其特征在于，所述管件(4)是熱收縮管件。

7.根據(jù)前述權(quán)利要求1-5中任一項所述的真空滅弧室，其特征在于，所述管件(4)是冷收縮管件。

8.根據(jù)前述權(quán)利要求1-7中任一項所述的真空滅弧室，其特征在于，具有之前所述的共用管件的真空滅弧室或者串聯(lián)的多個真空滅弧室或真空裝置最后嵌入在環(huán)氧樹脂中或者熱塑性殼體中。

9.根據(jù)前述權(quán)利要求1-7中任一項所述的真空滅弧室，其特征在于，具有之前所述的共用管件(4)的真空滅弧室(1，1’)或者串聯(lián)的多個真空滅弧室或真空裝置最后組裝在由絕緣材料制成的殼體中。

10.一種制造真空滅弧室或者真空裝置或者串聯(lián)布置的多個真空滅弧室的方法，其特征在于，將絕緣材料完全填充金屬和/或?qū)щ姷慕饘傺趸锘蛘咴谂c真空滅弧室或真空裝置表面緊貼接觸的內(nèi)表面上覆蓋所述金屬和/或?qū)щ姷慕饘傺趸铮摻^緣材料成型為由冷收縮或熱收縮絕緣材料制成的管件，所述管件布置在真空滅弧室或真空裝置的至少幾乎整個長度上。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其特征在于，將如此覆蓋的真空滅弧室或真空裝置或者串聯(lián)布置的多個真空滅弧室或真空裝置放置到模具中，通過環(huán)氧樹脂或者熱塑性注塑工藝來獲得絕緣殼體。