[發(fā)明專利]壓印方法、壓印裝置和物品制造方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201380013069.1 | 申請(qǐng)日: | 2013-03-07 |
| 公開(公告)號(hào): | CN104160476B | 公開(公告)日: | 2017-03-08 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 林望 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 佳能株式會(huì)社 |
| 主分類號(hào): | H01L21/027 | 分類號(hào): | H01L21/027;B29C59/02 |
| 代理公司: | 中國國際貿(mào)易促進(jìn)委員會(huì)專利商標(biāo)事務(wù)所11038 | 代理人: | 羅銀燕 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 壓印 方法 裝置 物品 制造 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及壓印方法和壓印裝置以及使用它們的物品制造方法。
背景技術(shù)
隨著對(duì)于半導(dǎo)體器件或MEMS的微制造的需求增加,不僅傳統(tǒng)的光刻技術(shù),而且基板(晶片)上的未硬化的樹脂通過模子成形以由此在基板上形成樹脂圖案的微制造技術(shù)正受到關(guān)注。該技術(shù)也稱為“壓印技術(shù)”,通過該技術(shù),可在基板上形成具有幾納米的尺寸的微細(xì)結(jié)構(gòu)。壓印技術(shù)的一個(gè)示例包含光硬化方法。利用光硬化方法的壓印裝置首先向基板上的射擊(shot)區(qū)域(壓印區(qū)域)施加紫外線硬化樹脂(壓印材料,光硬化樹脂)。然后,樹脂(未硬化的樹脂)通過模子成形。在紫外線硬化樹脂為了硬化被紫外光照射之后,硬化的樹脂從模子釋放,由此在基板上形成樹脂圖案。特別地,在專利文獻(xiàn)1中公開的壓印裝置當(dāng)在存在于基板的周邊區(qū)域上的射擊區(qū)(周邊射擊區(qū))上形成圖案時(shí)事先使對(duì)準(zhǔn)檢測系統(tǒng)檢測沒有對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記從射擊區(qū)上的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記之中缺失的基板的周邊區(qū)域上存在的射擊區(qū)。
引文列表
專利文獻(xiàn)
專利文獻(xiàn)1:日本專利公開No.2007-281072
這里,周邊射擊區(qū)的形狀對(duì)于每個(gè)周邊射擊區(qū)是不同的。因此,要由對(duì)準(zhǔn)檢測系統(tǒng)檢測的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的位置對(duì)于每個(gè)周邊射擊區(qū)也不同。在專利文獻(xiàn)1中所公開的壓印裝置中,在將對(duì)準(zhǔn)檢測系統(tǒng)移動(dòng)(對(duì)準(zhǔn))到檢測位置之后開始執(zhí)行對(duì)準(zhǔn)測量和使壓印材料與模子接觸的操作。
因此,對(duì)準(zhǔn)檢測系統(tǒng)需要為了檢測對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記而移動(dòng),并且其移動(dòng)時(shí)間對(duì)產(chǎn)量造成不利的影響。
發(fā)明內(nèi)容
因此,本發(fā)明提供有利于提高產(chǎn)量的壓印方法。
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面,提供用于使基板上的壓印材料與模子上形成的圖案接觸以由此將圖案轉(zhuǎn)印到壓印材料的壓印方法,該壓印方法包含以下步驟:改變檢測基板上的射擊區(qū)上形成的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的檢測器的位置;使模子上形成的圖案與基板上的射擊區(qū)上供給的壓印材料接觸;以及在檢測器的位置的改變完成之后使用檢測器檢測對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記,其中,所述接觸在檢測器的位置的改變完成之前開始。
根據(jù)本發(fā)明,可以提供有利于提高產(chǎn)量的壓印方法。
從參照附圖的示例性實(shí)施例的以下描述,本發(fā)明的其它特征將變得清楚。
附圖說明
圖1是示出根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的壓印裝置的配置的示圖。
圖2A是示出對(duì)準(zhǔn)觀測器的布置的示圖。
圖2B是示出從紫外光入射側(cè)所觀看到的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的放大圖。
圖2C是示出從紫外光入射側(cè)所觀看的多個(gè)對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的示圖。
圖3是示出晶片上的周邊射擊區(qū)的對(duì)準(zhǔn)的示圖。
圖4是示晶片上的射擊區(qū)的布置的示圖。
圖5是示出壓印處理期間的操作序列的流程圖。
具體實(shí)施方式
以下,將參照附圖描述本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例。
首先,將給出根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的壓印裝置的配置的描述。圖1是示出本實(shí)施例的壓印裝置1的配置的示意圖。壓印裝置1是通過使用模子使晶片(處于基板上)即要被處理的基板上的未硬化的樹脂(壓印材料)成形以由此在晶片上形成樹脂圖案的裝置,該裝置在作為物品的諸如半導(dǎo)體器件等的器件的制造中被使用。這里,本實(shí)施例的壓印裝置是利用通過紫外光的照射使樹脂硬化的光硬化方法的壓印裝置。壓印裝置1通過重復(fù)壓印周期(cycle)來在存在于晶片上的多個(gè)射擊區(qū)(圖案形成區(qū)域)上依次形成圖案。這里,壓印周期指的是用于通過在模子被緊壓在晶片上的樹脂上的同時(shí)(在模子與晶片上的樹脂接觸的同時(shí))使樹脂硬化來在晶片上的一個(gè)射擊區(qū)上形成圖案的周期。在以下附圖中,將給出描述,其中,Z軸與利用紫外光照射晶片上的樹脂的照射系統(tǒng)的光軸平行對(duì)準(zhǔn),并且相互正交的軸X和Y在與Z軸垂直的平面中對(duì)準(zhǔn)。壓印裝置1包含光照射單元2、模子保持機(jī)構(gòu)3、晶片臺(tái)架4、分配器5、對(duì)準(zhǔn)檢測系統(tǒng)6和控制器7。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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