[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置以及半導(dǎo)體裝置的制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201380012122.6
• 申請(qǐng)日: 2013-04-11
• 公開（公告）號(hào): CN104205335B
• 公開（公告）日: 2017-05-17
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 上西顯寬;山路將晴
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 富士電機(jī)株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01L29/06
• 分類號(hào): H01L29/06;H01L27/08
• 代理公司: 北京銘碩知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司11286
• 代理人: 金玉蘭,王穎

1.一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，具備：

第二導(dǎo)電型的阱區(qū)，其選擇性地形成于第一導(dǎo)電型的半導(dǎo)體基板正面的表面層；

第一導(dǎo)電型的第一區(qū)域，其以環(huán)狀的平面形狀形成在所述阱區(qū)的內(nèi)部；

第二導(dǎo)電型的第二區(qū)域，其以環(huán)狀的平面形狀形成在所述阱區(qū)的內(nèi)部的所述第一區(qū)域的內(nèi)側(cè)；

第一導(dǎo)電型的降低表面電場(chǎng)區(qū)，其形成在所述阱區(qū)的內(nèi)部的所述第一區(qū)域和所述第二區(qū)域之間；和

高耐壓分離構(gòu)造，其由所述半導(dǎo)體基板和所述降低表面電場(chǎng)區(qū)夾著所述阱區(qū)的雙重降低表面電場(chǎng)構(gòu)造構(gòu)成，

其中，

所述高耐壓分離構(gòu)造具有由直線部分和與所述直線部分相連的有固定曲率的角部分構(gòu)成的平面形狀，

所述角部分的所述降低表面電場(chǎng)區(qū)具有高濃度區(qū)和比所述高濃度區(qū)的擴(kuò)散深度淺，雜質(zhì)濃度低的低濃度區(qū)，

所述降低表面電場(chǎng)區(qū)的所述直線部分的單位面積的第一凈總雜質(zhì)量以及所述降低表面電場(chǎng)區(qū)的所述角部分的單位面積的第二凈總雜質(zhì)量均為1.4×1012[/cm2]以下，

所述阱區(qū)的第三凈總雜質(zhì)量為2.8×1012[/cm2]以下，

從所述第三凈總雜質(zhì)量減去所述第一凈總雜質(zhì)量而得到的值以及從所述第三凈總雜質(zhì)量減去所述第二凈總雜質(zhì)量而得到的值均為1.4×1012[/cm2]以下，

所述第二凈總雜質(zhì)量比所述第一凈總雜質(zhì)量少，

在所述降低表面電場(chǎng)區(qū)的所述角部分的耐壓比在所述降低表面電場(chǎng)區(qū)的所述直線部分的耐壓低。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，還具備

第一導(dǎo)電型的分離區(qū)域，其以包圍所述阱區(qū)的方式，以從所述半導(dǎo)體基板的正面起算等于或者大于所述阱區(qū)的深度的深度形成在所述降低表面電場(chǎng)區(qū)的外側(cè)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，

所述第二凈總雜質(zhì)量比所述第一凈總雜質(zhì)量少的量為20％以下。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，

所述半導(dǎo)體基板與所述降低表面電場(chǎng)區(qū)電連接。

5.根據(jù)權(quán)利要求1至4任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，

所述高濃度區(qū)和所述低濃度區(qū)相互接觸并交替地重復(fù)配置。

6.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，

是權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，包括：

在所述半導(dǎo)體基板上通過第二導(dǎo)電型的雜質(zhì)的離子注入和熱處理形成所述阱區(qū)的第一工序；和

在所述高耐壓分離構(gòu)造的所述直線部分和所述角部分通過第一導(dǎo)電型雜質(zhì)的離子注入和熱處理形成所述降低表面電場(chǎng)區(qū)的第二工序，

其中，

在所述第二工序中，用掩模來部分地遮蔽所述角部分，而使進(jìn)入所述半導(dǎo)體基板內(nèi)的所述第一導(dǎo)電型雜質(zhì)的離子注入量比進(jìn)入所述直線部分的所述半導(dǎo)體基板內(nèi)的所述第一導(dǎo)電型雜質(zhì)的離子注入量少，通過所述掩模遮蔽從所述直線部分的耐壓為最大的注入劑量減去所述角部分的耐壓為最大的注入劑量而得到的注入劑量的所述第一導(dǎo)電型雜質(zhì)，而減少進(jìn)入所述半導(dǎo)體基板內(nèi)的所述第一導(dǎo)電型雜質(zhì)的離子注入量。

7.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，

是權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，包括：

在所述半導(dǎo)體基板上通過第二導(dǎo)電型的雜質(zhì)的離子注入和熱處理形成所述阱區(qū)的第一工序；和

在所述高耐壓分離構(gòu)造的所述直線部分和所述角部分通過第一導(dǎo)電型雜質(zhì)的離子注入和熱處理形成所述降低表面電場(chǎng)區(qū)的第二工序，

其中，

在所述第二工序中，用掩模來部分地遮蔽所述角部分，而使進(jìn)入所述半導(dǎo)體基板內(nèi)的所述第一導(dǎo)電型雜質(zhì)的離子注入量比進(jìn)入所述直線部分的所述半導(dǎo)體基板內(nèi)的所述第一導(dǎo)電型雜質(zhì)的離子注入量少，以使與所述直線部分的預(yù)先求得的所述降低表面電場(chǎng)區(qū)的注入劑量相對(duì)的耐壓曲線的最大耐壓和與所述角部分的預(yù)先求得的所述降低表面電場(chǎng)區(qū)的注入劑量相對(duì)的耐壓曲線的最大耐壓一致的方式，調(diào)整所述掩模的遮蔽率，而調(diào)整所述降低表面電場(chǎng)區(qū)的凈總雜質(zhì)量。