[發明專利]適于光學耦合層的包含表面改性高折射率納米粒子的組合物

有效

• 申請號: 201380011419.0
• 申請日: 2013-02-11
• 公開（公告）號: CN104662689B
• 公開（公告）日: 2017-06-27
• 發明（設計）人: 郝恩才;喬納森·A·阿尼姆-阿多;居伊·D·喬利;謝爾蓋·拉曼斯基;詹姆斯·P·迪齊奧
• 申請（專利權）人: 3M創新有限公司
• 主分類號: H01L51/52
• 分類號: H01L51/52;H01L51/56
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司11112
• 代理人: 陳源,崔利梅

背景技術

有機發光二極管(OLED)器件包括電致發光有機材料膜，所述膜夾在陰極和陽極之間，其中這些電極中的一個或兩個是透明導體。在橫跨所述器件施加電壓時，從各自的電極射出電子和空穴，并且所述電子和空穴通過中間形成放射性激子而在電致發光有機材料中復合。

在OLED器件中，超過70％的生成光通常由于在器件結構內的工藝而損失。光在較高折射率的有機和氧化銦錫(ITO)層與較低折射率的基底層之間的界面處的捕集是提取效率不足的主要原因。僅相對少量的所發射光作為“可用光”穿過透明電極出現。大部分光會發生內反射，這導致這些光從器件邊緣發出，或陷在器件內并在反復穿行之后最終因吸收到器件內而損失掉。

已描述了多種與OLED器件一起使用的光提取膜以增加可用光的量。行業將發現適于將光提取膜耦合至OLED器件的組合物的優點。

發明內容

在一個實施例中，描述了一種耦合光學膜的方法，所述方法包括：1)提供光學膜；2)提供基底；3)將光學耦合層涂敷至光學膜的表面層、基底、或它們的組合；其中所述光學耦合層包含至少40wt.-％的無機納米粒子和聚合硅烷表面處理劑，所述無機納米粒子具有至少1.85的折射率；以及4)將光學膜層合到基底，從而形成層合的光學構造。

在其他實施例中，描述了層合的光學構造，所述層合的光學構造包含光學膜；設置在所述光學膜的表面層上的光學耦合層。所述光學耦合層包含至少40wt.-％的無機納米粒子和聚合硅烷表面處理劑，所述無機納米粒子具有至少1.85的折射率。使基底粘結至光學膜的相對表面處的光學耦合層。在一些實施例中，將所述方法和層合的光學構造的光學耦合層設置在光學膜的表面層上，其中所述表面層具有至少1.60的折射率。在一個實施例中，層合的光學構造為中間體。在此實施例中，基底可為隔離襯片。然后可將此中間體提供給OLED制造商，其移除隔離襯片且使光學耦合層粘結至光學基底，諸如有機發光二極管(OLED)器件。

在另一個實施例中，描述了涂料組合物，該涂料組合物包含至少40wt.-％的無機納米粒子和聚合硅烷表面處理劑，所述無機納米粒子具有至少1.85的折射率。在一個實施例中，涂料組合物可完全由經表面處理的無機納米粒子組成，即，涂料組合物可不含(甲基)丙烯酸酯單體，特別是分子量為1,000g/mol或更小的單體。

附圖說明

附圖包含在本說明書中并構成本說明書的一部分，并且它們結合具體實施方式闡明本發明的優點和原理。

圖1為示出光提取膜的各層的示意圖；

圖2為一維周期性結構的透視圖；

圖3為二維周期性結構的透視圖；

圖4A為示出具有不同節距的納米結構的第一多周期性區的示意圖；

圖4B為示出具有不同節距的納米結構的第二多周期性區的示意圖；

圖4C為示出具有不同節距的納米結構的第三多周期性區的示意圖；

圖4D為示出具有不同節距的納米結構的第四多周期性區的示意圖；

圖4E為示出具有不同節距的納米結構的第五多周期性區的示意圖；

圖4F為示出具有不同縱橫比的納米結構的多周期性區的示意圖；

圖4G為示出具有不同形狀的納米結構的多周期性區的示意圖；

圖5為具有以亞單層涂敷至周期性結構上的納米粒子的光提取膜的示意圖；

圖6為具有分布在整個回填層中的納米粒子的光提取膜的示意圖；

圖7為具有光提取膜的頂發射OLED顯示器件的示意圖；

圖8為示出將光提取膜層合到OLED器件的示意圖；

圖9為示出將光提取膜層合到OLED器件的示意圖。

如本文所用，“光學膜”一般是指透光膜。通常以將光學膜設置在光源與觀察者之間的方式利用光學膜。本文所述的光學耦合層特別適合設置在折射率為至少1.60的光學膜的表面層上，諸如光提取膜的回填層。