[發明專利]適于光學耦合層的包含表面改性高折射率納米粒子的組合物

有效

• 申請號: 201380011419.0
• 申請日: 2013-02-11
• 公開（公告）號: CN104662689B
• 公開（公告）日: 2017-06-27
• 發明（設計）人: 郝恩才;喬納森·A·阿尼姆-阿多;居伊·D·喬利;謝爾蓋·拉曼斯基;詹姆斯·P·迪齊奧
• 申請（專利權）人: 3M創新有限公司
• 主分類號: H01L51/52
• 分類號: H01L51/52;H01L51/56
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司11112
• 代理人: 陳源,崔利梅

1.一種耦合光學膜的方法，所述方法包括：

提供光學膜；

提供基底；

將光學耦合層涂敷至所述光學膜的表面層、所述基底、或它們的組合；其中所述光學耦合層包含

至少40wt.％的無機納米粒子，所述無機納米粒子具有至少1.85的折射率，和

聚合硅烷表面處理劑，其中所述聚合硅烷表面處理劑包含無規丙烯酸類共聚物，所述無規丙烯酸類共聚物包含至少50wt.％的重復單元，所述重復單元衍生自包含4至18個碳原子的一種或多種(甲基)丙烯酸烷基酯單體；以及

將所述光學膜層合到所述基底，從而形成層合的光學構造。

2.根據權利要求1所述的方法，其中所述光學膜的所述表面層具有至少1.60的折射率。

3.根據權利要求1所述的方法，其中所述光學膜為光提取膜，并且所述基底為頂發射有機發光二極管(OLED)器件。

4.根據權利要求3所述的方法，其中所述光提取膜包含

透明的基底；

在所述透明的基底上的提取元件；和

平整化的回填層，所述平整化的回填層被涂敷至所述提取元件上，從而形成所述回填層的大體平的表面，

其中所述回填層的折射率高于所述提取元件的折射率。

5.根據權利要求4所述的方法，其中所述提取元件包含具有多周期性區的工程化的納米結構，所述多周期性區包含所述納米結構的重復區，其中所述區包含具有第一多個周期性特性的第一組納米結構和具有第二多個周期性特性的第二組納米結構，所述第二多個周期性特性不同于所述第一多個周期性特性。

6.根據權利要求4所述的方法，其中所述提取元件包含周期性結構和涂敷至所述周期性結構上的光散射納米粒子層。

7.根據權利要求4所述的方法，其中將所述光學耦合層涂敷至所述回填層。

8.根據權利要求4所述的方法，其中將所述光學耦合層涂敷至所述頂發射有機發光二極管(OLED)器件。

9.根據權利要求1所述的方法，其中所述光學耦合層在層合時不含溶劑。

10.根據權利要求1所述的方法，其中所述光學耦合層不含(甲基)丙烯酸酯組分，所述(甲基)丙烯酸酯組分具有1,000g/mol或更小的分子量。

11.一種層合的光學構造，所述層合的光學構造包含：

光學膜；

設置在所述光學膜的表面層上的光學耦合層，其中所述光學耦合層包含

至少40wt.％的無機納米粒子，所述無機納米粒子具有至少1.85的折射率；和

聚合硅烷表面處理劑，其中所述聚合硅烷表面處理劑包含無規丙烯酸類共聚物，所述無規丙烯酸類共聚物包含至少50wt.％的重復單元，所述重復單元衍生自包含4至18個碳原子的一種或多種(甲基)丙烯酸烷基酯單體；和

基底，所述基底粘結至所述光學膜的相對表面處的所述光學耦合層。

12.根據權利要求11所述的層合的光學構造，其中所述光學膜還通過權利要求2-8中任一項或組合來表征，所述光學耦合層還通過權利要求7-9中任一項或組合來表征。

13.根據權利要求11所述的層合的光學構造，其中所述基底為隔離襯片。

14.根據權利要求11所述的層合的光學構造，其中所述聚合硅烷表面處理劑具有在-20℃至-80℃范圍內的Tg。

15.根據權利要求11所述的層合的光學構造，其中所述聚合硅烷表面處理劑具有在1000至5000g/mol范圍內的重均分子量。

16.根據權利要求11所述的層合的光學構造，其中所述無機納米粒子還包含非聚合表面處理劑。

17.根據權利要求16所述的層合的光學構造，其中所述非聚合表面處理劑具有至少1.50的折射率。

18.根據權利要求11所述的層合的光學構造，其中所述光學耦合層具有至少1.65的折射率。

19.根據權利要求11所述的層合的光學構造，其中所述光學耦合層具有至少1.70的折射率。

20.根據權利要求11所述的層合的光學構造，其中所述無機納米粒子包含二氧化鈦。