[發明專利]粘合帶用薄膜及粘合帶有效
| 申請號: | 201380011399.7 | 申請日: | 2013-02-08 |
| 公開(公告)號: | CN104137231B | 公開(公告)日: | 2017-03-01 |
| 發明(設計)人: | 由藤拓三;鈴木俊隆;白井稚人;安藤雅彥;關口裕香;淺井量子;遠藤明日香;林內梨惠 | 申請(專利權)人: | 日東電工株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/301 | 分類號: | H01L21/301;B32B27/00;C09J7/02;C09J133/00;C09J201/00 |
| 代理公司: | 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙)11277 | 代理人: | 劉新宇,李茂家 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 粘合 薄膜 | ||
1.一種粘合帶用薄膜,其為在塑料薄膜的一面具備非粘合層的粘合帶用薄膜,
該非粘合層的表面具有凹凸結構,
該非粘合層的表面的凸部分的由原子力顯微鏡得到的80℃下的彈性模量為0.2GPa以上。
2.根據權利要求1所述的粘合帶用薄膜,其中,所述非粘合層的算術平均表面粗糙度Ra為0.1μm以上。
3.根據權利要求1或2所述的粘合帶用薄膜,其中,所述非粘合層為聚硅氧烷和(甲基)丙烯酸系聚合物的混合層。
4.根據權利要求3所述的粘合帶用薄膜,其中,所述(甲基)丙烯酸系聚合物的計算Tg為10℃以上。
5.根據權利要求3或4所述的粘合帶用薄膜,其中,所述(甲基)丙烯酸系聚合物的SP值為9.0(cal/cm3)0.5~12.0(cal/cm3)0.5。
6.根據權利要求3~5中任一項所述的粘合帶用薄膜,其中,所述非粘合層中的聚硅氧烷與(甲基)丙烯酸系聚合物的混合比以重量比計為聚硅氧烷:(甲基)丙烯酸系聚合物=1:50~50:1。
7.根據權利要求1~6中任一項所述的粘合帶用薄膜,其中,所述非粘合層具有相分離結構。
8.根據權利要求1~7中任一項所述的粘合帶用薄膜,其中,所述非粘合層的非粘合試驗剝離力小于1.0N/20mm。
9.根據權利要求1~8中任一項所述的粘合帶用薄膜,其中,所述非粘合層的厚度為0.01μm~10μm。
10.根據權利要求1~9中任一項所述的粘合帶用薄膜,其中,所述塑料薄膜的根據JIS-K-7127測定的最大伸長率為100%以上。
11.根據權利要求1~10中任一項所述的粘合帶用薄膜,其中,所述塑料薄膜的厚度為20μm~200μm。
12.根據權利要求1~11中任一項所述的粘合帶用薄膜,其中,所述塑料薄膜包含聚氯乙烯。
13.一種粘合帶,其在權利要求1~12中任一項所述的粘合帶用薄膜中的所述塑料薄膜的與所述非粘合層相反的面具備粘合劑層。
14.根據權利要求13所述的粘合帶,其中,所述粘合劑層包含至少1種(甲基)丙烯酸系聚合物。
15.根據權利要求13或14所述的粘合帶,其中,所述粘合劑層的SP值為9.0(cal/cm3)0.5~12.0(cal/cm3)0.5。
16.根據權利要求13~15中任一項所述的粘合帶,其在所述粘合劑層的表面具備剝離襯墊。
17.根據權利要求13~16中任一項所述的粘合帶,其被用于半導體加工。
18.根據權利要求13~17中任一項所述的粘合帶,其被用于LED切割用途。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





