[發(fā)明專利]粘合帶用薄膜及粘合帶

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201380011399.7
• 申請(qǐng)日: 2013-02-08
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN104137231B
• 公開(kāi)（公告）日: 2017-03-01
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 由藤拓三;鈴木俊隆;白井稚人;安藤雅彥;關(guān)口裕香;淺井量子;遠(yuǎn)藤明日香;林內(nèi)梨惠
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 日東電工株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01L21/301
• 分類號(hào): H01L21/301;B32B27/00;C09J7/02;C09J133/00;C09J201/00
• 代理公司: 北京林達(dá)劉知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙)11277
• 代理人: 劉新宇,李茂家

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及粘合帶用薄膜及粘合帶。

背景技術(shù)

對(duì)于半導(dǎo)體的切割中使用的粘合帶，在切割時(shí)為了固定晶圓，需要將與晶圓密合面相反的面固定在底座上。這種固定通常通過(guò)真空吸附等的負(fù)壓來(lái)進(jìn)行。

在進(jìn)行這種利用負(fù)壓的固定時(shí)，由于過(guò)度施加了負(fù)壓的狀態(tài)、因切割時(shí)的發(fā)熱導(dǎo)致的粘合帶的熔融，有時(shí)粘合帶與底座過(guò)度密合。若出現(xiàn)這種過(guò)度密合，在解除與底座的固定時(shí)的處理性變差，產(chǎn)生例如包括切割在內(nèi)的半導(dǎo)體制造工序不能順利進(jìn)行下去這樣的問(wèn)題。

為了消除這種過(guò)度密合的問(wèn)題，報(bào)道有如下的技術(shù)：在由基材薄膜和粘合劑層這兩層形成的晶圓表面保護(hù)帶中，將基材薄膜的與粘合劑層相反的表面的中心線表面粗糙度Ra控制為規(guī)定的大小(專利文獻(xiàn)1)。

但是，對(duì)于在半導(dǎo)體的切割中使用的粘合帶的基材薄膜而言，要求半導(dǎo)體制造工藝特有的擴(kuò)展(拉伸)特性和高度差追隨特性。即，在半導(dǎo)體的切割中使用的粘合帶的基材薄膜需要在擴(kuò)展工序中能夠良好地拉伸，另外，需要良好地追隨半導(dǎo)體的高度差。作為符合這樣的要求的基材薄膜，選擇由伸長(zhǎng)率大的材料形成的基材薄膜。但是，這種基材薄膜的表面狀態(tài)容易受到溫度的影響。因此，即使像專利文獻(xiàn)1所報(bào)道的那樣將基材薄膜的表面的中心線表面粗糙度Ra控制為規(guī)定的大小，也存在如下的問(wèn)題：由于氣溫、工藝裝置的溫度變化，被控制為規(guī)定的大小的中心線表面粗糙度Ra大幅變化，無(wú)法表現(xiàn)出專利文獻(xiàn)1中記載的發(fā)明的效果。

例如，在切割時(shí)，尤其在激光切割時(shí)，由于激光加工帶來(lái)的能量而晶圓發(fā)熱。若像這樣晶圓發(fā)熱，則還存在即使像專利文獻(xiàn)1所報(bào)道的那樣將基材薄膜的表面的中心線表面粗糙度Ra控制為規(guī)定的大小，上述那樣的過(guò)度密合的問(wèn)題也無(wú)法消除，甚至?xí)龠M(jìn)過(guò)度密合這樣的問(wèn)題。

另外，近年，半導(dǎo)體的切割中使用的晶圓的尺寸在大型化，因此切割的時(shí)間變長(zhǎng)，其結(jié)果，晶圓的發(fā)熱變大，上述問(wèn)題變得更加突出。

半導(dǎo)體的切割中，尤其在LED切割中，使用的半導(dǎo)體晶圓是由氮化鎵、砷化鎵、碳化硅等非常脆的材料構(gòu)成的，因此為了防止該半導(dǎo)體晶圓的破損，要求粘合帶的基材薄膜有進(jìn)一步的擴(kuò)展(拉伸)特性和高度差追隨特性。因此，用于LED切割的粘合帶中，上述問(wèn)題變得更加突出。

另外，通常薄膜表面平滑，若將這樣的薄膜加工成卷狀，則發(fā)生薄膜彼此接觸而密合的現(xiàn)象，即粘連。在產(chǎn)生了粘連的卷中，有時(shí)發(fā)生將薄膜進(jìn)行退卷的操作變困難等不便。尤其，在伸長(zhǎng)率大的薄膜中，通常添加有增塑劑。在這樣的薄膜中，增塑劑在薄膜表面析出，從而薄膜間的微小空隙被填埋，因此，粘連導(dǎo)致的不良影響變明顯。對(duì)薄膜表面實(shí)施利用粘合劑的粘合加工時(shí)，由于該粘合劑本身具有密合性，因此，粘連的不良影響變得更大。

將粘連的卷狀的薄膜進(jìn)行退卷時(shí)，需要多余的、用于解除薄膜彼此的密合的力。由于施加這種多余的力，薄膜伸長(zhǎng)而變形，或者即使薄膜不變形也以應(yīng)力應(yīng)變的形式蓄積。若將因如上所述的原因而變形的薄膜應(yīng)用于粘合帶，則難以追隨被粘物地貼合。另外，若將因如上所述的原因而蓄積了應(yīng)力應(yīng)變的薄膜應(yīng)用于粘合帶，則由于貼合于被粘物之后產(chǎn)生該應(yīng)力應(yīng)變的自然釋放，有被粘物破損的擔(dān)心。

在半導(dǎo)體加工中使用粘合帶時(shí)，作為被粘物的半導(dǎo)體晶圓由脆性的材料構(gòu)成，因此會(huì)發(fā)脆或者容易有缺損。因此，若將因如上所述的原因而變形的薄膜應(yīng)用于粘合帶，則難以追隨半導(dǎo)體晶圓的微細(xì)精致的電路圖案而貼合。另外，若將因如上所述的原因而蓄積了應(yīng)力應(yīng)變的薄膜應(yīng)用于粘合帶，則貼合于半導(dǎo)體晶圓之后產(chǎn)生該應(yīng)力應(yīng)變的自然釋放，半導(dǎo)體晶圓容易破損。

尤其，用于LED的晶圓是由氮化鎵、砷化鎵、碳化硅等非常脆的材料構(gòu)成的。因此，用于LED切割等的粘合帶中的防粘連變得特別重要。

作為防粘連的現(xiàn)有技術(shù)，可以大致列舉出兩種技術(shù)。

一種現(xiàn)有技術(shù)可列舉出在薄膜的背面實(shí)施壓花加工等物理處理的技術(shù)(專利文獻(xiàn)2)。但是，在該技術(shù)中，在薄膜的背面形成的凹凸成為應(yīng)力集中結(jié)構(gòu)，因此在從卷狀的形態(tài)退卷時(shí)，存在因退卷力而薄膜以該凹凸為起點(diǎn)發(fā)生斷裂或破損這樣的問(wèn)題。