[發(fā)明專利]液體處理裝置和液體處理方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201380011195.3 | 申請日: | 2013-02-22 |
| 公開(公告)號: | CN104137225A | 公開(公告)日: | 2014-11-05 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 吉原孝介;一野克憲;古莊智伸;佐佐卓志;土屋勝裕;寺下裕一;竹口博史 | 申請(專利權(quán))人: | 東京毅力科創(chuàng)株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/027 | 分類號: | H01L21/027;B01D19/00;B05C11/10;G03F7/30 |
| 代理公司: | 北京尚誠知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11322 | 代理人: | 龍淳 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 液體 處理 裝置 方法 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及對例如半導(dǎo)體晶片、LCD用玻璃基板等的被處理基板表面供給處理液進行處理的液體處理裝置和液體處理方法。
本申請基于2012年2月27日在日本國提出的專利申請2012-39538號和2012年12月28日在日本國提出的專利申請2012-288515號要求優(yōu)先權(quán),在此援引其內(nèi)容。
背景技術(shù)
一般來說,在半導(dǎo)體器件的制造的光刻技術(shù)中,對半導(dǎo)體晶片、FPD基板等(以下稱為晶片等)涂敷光致抗蝕劑,根據(jù)規(guī)定的電路圖案對由此形成的抗蝕劑膜進行曝光,對該曝光圖案進行顯影處理,由此在抗蝕劑膜形成電路圖案。
在這樣的光刻工序中,供給到晶片等的抗蝕劑液和顯影液等的處理液由于各種原因有時會混入氮氣等的氣泡、顆粒(異物),當混有氣泡、顆粒的處理液供給到晶片等時,有時會發(fā)生涂敷不均和缺陷。因此,在處理液的管路設(shè)置有用于將處理液中混有的氣泡、顆粒除去的裝置。
現(xiàn)有技術(shù)中,作為這種裝置已知有一種處理液供給裝置,該處理液供給裝置在將供給噴嘴和處理液存儲容器連接的供給管路中設(shè)置暫時存儲容器、過濾器和泵,該處理液供給裝置具有:連接于處理液存儲容器與暫時存儲容器之間的供給管路和過濾器的循環(huán)管路;和設(shè)置于循環(huán)管路的可變節(jié)流閥(例如參照專利文獻1)。該處理液供給裝置為了提高通過光刻工序進行的處理的效率、實現(xiàn)多樣化,具有多個供給噴嘴,根據(jù)目的選擇供給噴嘴進行使用。
在該處理液供給裝置中,由過濾器除泡后的處理液的液壓由于可變節(jié)流閥而減低,由此溶解在處理液中的氣體氣泡化,該氣泡從循環(huán)路徑經(jīng)由供給管路再次通過過濾器而被除去。因此,能夠有效地除去溶解在處理液中的氣體。
現(xiàn)有技術(shù)文獻
專利文獻
專利文獻1:日本特開2010-135535號公報(權(quán)利要求的范圍、圖3、圖4)。
發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明要解決的技術(shù)問題
但是,在具有多個供給管路的處理液供給裝置中,在設(shè)置于與不使用的供給噴嘴連接的供給管路的過濾器,產(chǎn)生處理液的滯留。在此,發(fā)現(xiàn)當在過濾器等容量大的部位使處理液長期滯留時,具有特別是滯留在過濾器的氣泡、膠滯體在過濾器與處理液的界面作為顆粒成長、增加的傾向。因此,作為防止混于處理液中的顆粒的增加的方法,能夠考慮對晶片等以外的部位定期進行處理液的排出,由此使得不會在過濾器等容量大的部位長期滯留處理液的方法(所謂的假排出)。但是,因為將在假排出中排出的處理液廢棄,所以存在處理液的消耗量增大的問題。
本發(fā)明鑒于上述情況而完成,目的在于不浪費處理液地有效地抑制處理液中的顆粒的增加。
用于解決技術(shù)課題的技術(shù)方案
為了解決上述課題,本發(fā)明的液體處理裝置與對被處理基板供給處理液的多個處理液供給噴嘴中的一個處理液供給噴嘴連接,該液體處理裝置包括:
將存儲上述處理液的處理液存儲容器和上述一個處理液供給噴嘴連接的供給管路;
過濾器裝置,其設(shè)置于上述供給管路,對上述處理液進行過濾,并且將混入上述處理液中的異物除去;
在上述過濾器裝置的二次側(cè)的上述供給管路設(shè)置的泵;
將上述泵的排出側(cè)和上述過濾器裝置的吸入側(cè)連接的循環(huán)管路;
在上述泵的二次側(cè)的上述供給管路設(shè)置的供給控制閥;
在上述循環(huán)管路設(shè)置的循環(huán)控制閥;和
控制上述泵、供給控制閥和循環(huán)控制閥的控制裝置,
利用上述控制裝置,使得通過關(guān)閉上述供給控制閥使從上述一個處理液供給噴嘴向上述被處理基板的處理液的供給停止時,打開上述循環(huán)控制閥,驅(qū)動上述泵,使上述處理液在具有上述過濾器裝置的上述供給管路與上述循環(huán)管路之間循環(huán)。
利用上述結(jié)構(gòu),在停止從一個處理液供給噴嘴對被處理基板供給處理液的狀態(tài)(所謂的空閑狀態(tài))下,能夠使滯留在過濾器裝置的處理液經(jīng)由供給管路和循環(huán)管路循環(huán)。
此外,在本發(fā)明中,所謂空閑狀態(tài)除了停止從一個處理液供給噴嘴對被處理基板供給處理液的狀態(tài)之外,也包括在從處理液存儲容器安裝之后直到向被處理基板開始供給處理液為止的狀態(tài)。
另外,根據(jù)其它的觀點,本發(fā)明為一種使用液體處理裝置的液體處理方法,其中,
上述液體處理裝置包括:
將存儲處理液的處理液存儲容器和對被處理基板供給上述處理液的處理液供給噴嘴連接的供給管路;
過濾器裝置,其設(shè)置于上述供給管路,對上述處理液進行過濾,并且將混入上述處理液中的異物除去;
在上述過濾器裝置的二次側(cè)的上述供給管路設(shè)置的泵;
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





