[發明專利]液體處理裝置和液體處理方法有效
| 申請號: | 201380011195.3 | 申請日: | 2013-02-22 |
| 公開(公告)號: | CN104137225A | 公開(公告)日: | 2014-11-05 |
| 發明(設計)人: | 吉原孝介;一野克憲;古莊智伸;佐佐卓志;土屋勝裕;寺下裕一;竹口博史 | 申請(專利權)人: | 東京毅力科創株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/027 | 分類號: | H01L21/027;B01D19/00;B05C11/10;G03F7/30 |
| 代理公司: | 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322 | 代理人: | 龍淳 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 液體 處理 裝置 方法 | ||
1.一種液體處理裝置,其與對被處理基板供給處理液的多個處理液供給噴嘴中的一個處理液供給噴嘴連接,所述液體處理裝置的特征在于,包括:
將存儲所述處理液的處理液存儲容器和所述一個處理液供給噴嘴連接的供給管路;
過濾器裝置,其設置于所述供給管路,對所述處理液進行過濾,并且將混入所述處理液中的異物除去;
在所述過濾器裝置的二次側的所述供給管路設置的泵;
將所述泵的排出側和所述過濾器裝置的吸入側連接的循環管路;
在所述泵的二次側的所述供給管路設置的供給控制閥;
在所述循環管路設置的循環控制閥;和
控制所述泵、供給控制閥和循環控制閥的控制裝置,該控制裝置按照下述方式進行控制:在通過關閉所述供給控制閥使從所述一個處理液供給噴嘴向所述被處理基板的處理液的供給停止時,打開所述循環控制閥,驅動所述泵,使所述處理液在具有所述過濾器裝置的所述供給管路與所述循環管路之間循環。
2.如權利要求1所述的液體處理裝置,其特征在于:
所述循環管路連接所述泵的二次側的所述供給管路和所述過濾器裝置的一次側的所述供給管路。
3.如權利要求1所述的液體處理裝置,其特征在于:
包括處理液暫時存儲容器,其設置于所述過濾器裝置的一次側的所述供給管路,存儲所述處理液的一部分,
所述循環管路連接所述泵的二次側的所述供給管路和所述處理液暫時存儲容器。
4.如權利要求1所述的液體處理裝置,其特征在于:
包括捕獲罐,其設置于所述過濾器裝置與所述泵之間的所述供給管路,具有對存在于所述處理液中的氣泡進行分離的功能,
所述循環管路連接所述泵的排出口和所述過濾器裝置的一次側的所述供給管路。
5.如權利要求1所述的液體處理裝置,其特征在于:
包括捕獲罐,其設置于所述過濾器裝置與所述泵之間的所述供給管路,具有對存在于所述處理液中的氣泡進行分離的功能,
所述循環管路包括:將所述捕獲罐和所述泵連接的第一循環管路;和將所述捕獲罐和所述過濾器裝置的一次側的供給管路連接的第二循環管路。
6.如權利要求5所述的液體處理裝置,其特征在于:
所述泵由利用驅動機構的驅動對劃分泵部分和驅動部分的膜片進行往復驅動的膜片泵構成,
在所述膜片泵的吸入側設置有能夠有選擇地向所述泵部分流入所述處理液的吸入側的開閉閥,
在所述膜片泵的排出側設置有能夠有選擇地向所述一個處理液供給噴嘴供給所述處理液的第一開閉閥,和能夠有選擇地向所述循環管路供給所述處理液的第二開閉閥,而且設置有能夠有選擇地將由所述捕獲罐分離后的氣泡經由排出管排出到外部的切換閥,
在所述第二循環管路設置有所述循環控制閥,并且在所述過濾器裝置的一次側且在所述第二循環管路與所述供給管路的連接部的二次側的所述供給管路設置有第三開閉閥,
在所述第一開閉閥、第二開閉閥、吸入側的開閉閥和循環控制閥關閉的狀態下,利用所述驅動機構的驅動使所述泵部分為負壓,由此使存在于所述處理液中的微小的氣泡顯在化,
通過關閉所述吸入側的開閉閥、第一開閉閥、第三開閉閥和切換閥,打開所述第二開閉閥、循環控制閥,使顯在化的氣泡移動到所述捕獲罐,
通過關閉所述第一開閉閥、第二開閉閥和循環控制閥,打開所述吸入側的開閉閥、第三開閉閥和切換閥,將所述捕獲罐內的氣泡經由排出管排出到外部。
7.如權利要求6所述的液體處理裝置,其特征在于:
在所述第一開閉閥、第二開閉閥、第三開閉閥、切換閥和循環控制閥關閉、所述吸入側的開閉閥打開的狀態下,利用所述驅動機構的驅動使所述泵部分為負壓,由此使存在于所述處理液中的微小的氣泡顯在化。
8.如權利要求1所述的液體處理裝置,其特征在于:
由所述控制裝置進行的所述處理液的循環以規定的間隔進行。
9.如權利要求1所述的液體處理裝置,其特征在于:
在使所述處理液循環的所述供給管路或所述循環管路的至少一個管路設置有對所述處理液中的氣體進行脫氣的脫氣機構。
10.如權利要求1所述的液體處理裝置,其特征在于:
具有對所述過濾器裝置內的處理液施加振動的振動體。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





