[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件及其制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201380011034.4
• 申請日: 2013-11-08
• 公開（公告）號: CN104919576B
• 公開（公告）日: 2020-09-04
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 宇佐美達(dá)矢;三浦幸男;土屋秀昭
• 申請（專利權(quán)）人: 瑞薩電子株式會(huì)社
• 主分類號: H01L21/321
• 分類號: H01L21/321;H01L21/768
• 代理公司: 北京市金杜律師事務(wù)所 11256
• 代理人: 楊宏軍;王大方

1.一種半導(dǎo)體器件，具有：

半導(dǎo)體襯底；

形成在所述半導(dǎo)體襯底上且具有第一主面的層間絕緣膜；

埋入所述層間絕緣膜內(nèi)且彼此相鄰的第一配線以及第二配線；

位于所述第一配線與所述第二配線之間且形成在所述層間絕緣膜的所述第一主面上的損傷層；以及

與所述第一配線、所述第二配線以及損傷層接觸，并將所述第一配線、所述第二配線以及所述層間絕緣膜覆蓋的絕緣性阻擋膜，

所述第一配線和所述第二配線主要由銅膜形成，

所述絕緣性阻擋膜是含氮的絕緣膜，且具有與所述損傷層接觸的第一表面和與所述第一表面相反一側(cè)的第二表面，所述絕緣性阻擋膜具有氮濃度高于所述第一表面的氮濃度的第一區(qū)域。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，

所述氮濃度高的第一區(qū)域位于所述第二表面?zhèn)取?/p>

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，

所述絕緣性阻擋膜的氮濃度從所述第一表面朝向所述第二表面而增加。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，

所述層間絕緣膜由介電常數(shù)為3.0以下的絕緣膜形成。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體器件，其中，

所述層間絕緣膜由SiCOH膜形成。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，

在所述損傷層的下方，在所述層間絕緣膜內(nèi)具有電場緩和層。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體器件，其中，

所述損傷層和所述電場緩和層是含氮層，所述電場緩和層的氮濃度大于所述損傷層的氮濃度。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其具有在所述損傷層的下方形成在所述層間絕緣膜上的電場緩和層，

所述損傷層和所述電場緩和層是含氮層，所述電場緩和層的氮濃度大于所述損傷層的氮濃度，

所述第一配線和所述第二配線各自具有以使得所述第一配線的寬度和所述第二配線的寬度朝向所述第一主面方向減小的方式傾斜的側(cè)面，

所述電場緩和層具有氮濃度的峰值區(qū)域，

所述氮濃度的峰值區(qū)域位于距離所述層間絕緣膜的所述第一主面5～20nm的范圍內(nèi)。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體器件，其中，

所述損傷層存在于從所述層間絕緣膜的所述第一主面至深度4nm的范圍內(nèi)。

10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體器件，其中，

所述電場緩和層設(shè)置于以所述層間絕緣膜的所述第一主面為基準(zhǔn)，比所述第一配線的厚度的1/2淺的位置。

11.一種半導(dǎo)體器件的制造方法，具有：

工序(a)，準(zhǔn)備半導(dǎo)體襯底；

工序(b)，在所述半導(dǎo)體襯底上形成具有第一主面且具有規(guī)定膜厚的層間絕緣膜；

工序(c)，在所述層間絕緣膜的所述第一主面上形成第一配線槽以及第二配線槽；

工序(d)，在所述第一配線槽以及第二配線槽內(nèi)選擇性地設(shè)置銅膜，形成第一配線以及第二配線；以及

工序(e)，對所述第一配線、所述第二配線以及所述層間絕緣膜的所述第一主面實(shí)施含有氨的等離子體處理，

在所述工序(b)中，在所述層間絕緣膜上，在比所述第一主面深的位置設(shè)置電場緩和層，

在所述工序(e)中，在所述層間絕緣膜的所述第一主面上形成損傷層。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其中，

所述電場緩和層和所述損傷層是氮濃度大于所述層間絕緣膜的層。

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其中，

所述電場緩和層是通過在形成所述層間絕緣膜后、向所述層間絕緣膜內(nèi)離子注入氮而形成的。