[發明專利]非接觸吸盤有效
| 申請號: | 201380010718.2 | 申請日: | 2013-02-28 |
| 公開(公告)號: | CN104137247A | 公開(公告)日: | 2014-11-05 |
| 發明(設計)人: | 藤平清隆 | 申請(專利權)人: | 炭研軸封精工有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/677 | 分類號: | H01L21/677 |
| 代理公司: | 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 劉新宇;張會華 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 接觸 吸盤 | ||
技術領域
本發明涉及一種非接觸吸盤,詳細而言,涉及一種在吸附面上同時進行由加壓空氣所實現的工件的懸浮和由吸引所實現的工件的吸附的非接觸吸盤。
背景技術
作為處理半導體晶圓、FPD用玻璃基材等厚度極薄的工件的裝置,已知有所謂的真空鑷子。然而,由于真空鑷子是在與工件相接觸的狀態下處理工件的,因此存在有對工件賦予應力等問題。
另外,作為在不對FPD用玻璃基材等厚度極薄的工件賦予應力等的前提下以非接觸的方式進行處理的裝置,提出有從多孔板的細孔噴出加壓空氣而使工件懸浮、從而在多孔板上進行輸送的裝置(例如,專利文獻1、2)。
專利文獻1:日本特開2008-110852號公報
專利文獻2:日本特開2011-084352號公報
發明內容
發明要解決的問題
專利文獻1和2的裝置從多孔材料的板狀體(平臺)噴出空氣而使工件懸浮于板狀體上,另一方面,從板狀體的一部分吸引空氣,從而一邊維持厚度極薄的工件的平面性,一邊以非接觸狀態在工作臺上輸送該厚度極薄的工件。
在上述半導體晶圓、FPD用玻璃基材等厚度極薄的工件的處理工序中,除了在輸送路徑上輸送工件以外,還需要進行將工件保持在工作臺上的規定位置、在某個位置拾取工件并將其向其他位置移動等動作。
然而,專利文獻1和2的裝置無法應對這樣的要求。
另一方面,作為能夠以非接觸的方式向下地吸附保持較薄的工件的裝置,提出有利用所謂的“伯努利原理”的伯努利卡盤。該伯努利卡盤為如下裝置:其通過使來自空氣壓縮機的加壓空氣一邊在形成于卡盤的下表面的凹部內回旋一邊沿下表面吹出,從而在凹部的正下方的區域內產生吸附力并在其周圍產生浮力,從而以非接觸的方式將半導體晶圓等較薄的工件吸附保持在卡盤的下側面。
然而,由于該伯努利卡盤能夠形成的凹部的數量有限,因此局部產生吸引力/浮力,從而無法在無翹曲、無應變等的平坦的狀態下吸附保持尺寸相對較大且較薄的工件。
本發明就是為了解決這樣的問題點而做成的,其目的在于提供一種能夠將厚度較薄的工件保持吸附在規定位置、或向下地保持吸附該厚度較薄的工件的非接觸吸盤。
用于解決問題的方案
采用本發明,提供一種非接觸吸盤,該非接觸吸盤以非接觸狀態吸附薄板狀的被吸附物,
其特征在于,
該非接觸吸盤具備:
板狀的多孔盤,其在吸附固定區域形成有沿厚度方向貫通并延伸的多個通氣孔;
第1密閉空間,其以與上述多孔盤的背面相鄰接的方式配置;
第2密閉空間,其與上述第1密閉空間相隔離;以及
連通部件,其使上述第2密閉空間和上述通氣孔連通。
采用這樣的結構,例如,通過使第1密閉空間與加壓空氣源相連通,使第2密閉空間與吸引減壓源相連通,從而能夠一邊從多孔盤的表面的細孔噴出加壓空氣,一邊從多孔盤的表面的通氣孔吸引空氣。其結果,在多孔盤的表面上,能夠一邊利用吸引將工件保持在規定位置,一邊利用加壓空氣使工件懸浮。其結果,能夠以非接觸的方式將半導體晶圓等厚度較薄的工件保持吸附在朝向上方的多孔盤的表面上的規定位置、或在朝向下方的多孔盤的表面的下側以非接觸的方式向下地保持吸附半導體晶圓等厚度較薄的工件。
由于能夠獨立地調整吸引壓力(減壓)和供氣壓力(加壓),因此能夠控制保持力和懸浮力。因此,也能夠調整懸浮間隙。
采用本發明的其他優選的技術方案,
該非接觸吸盤具備:
板狀的支架,其表面層疊于上述多孔盤的背面側,且具有凹部,在該凹部與該多孔盤的背面之間構成上述第1密閉空間;以及
基部,其層疊于上述支架的背面側,且在該基部與該支架的背面之間形成第2密閉空間,
上述支架具有作為上述連通部件發揮功能的連通孔,該連通孔的一端在上述層疊時連接于上述多孔盤的通氣孔,另一端在該支架的背面上開口。
采用本發明的其他優選的技術方案,
上述支架具備多個島狀的突出部,該島狀的突出部具備在上述多個通氣孔的背面側開口端的位置處抵接于上述多孔盤的背面的平坦的頂部,
上述連通孔貫通上述突出部并延伸,
上述突出部之間的空間被作為上述第1密閉空間。
采用本發明的其他優選的技術方案,
上述基部在表面具備多個島狀的突出部,該島狀的突出部具備在上述連結時抵接于上述支架的背面的平坦的頂部,
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于炭研軸封精工有限公司,未經炭研軸封精工有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201380010718.2/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:半導體裝置及其制造方法
- 下一篇:半導體裝置
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





