[發明專利]非接觸吸盤有效
| 申請號: | 201380010718.2 | 申請日: | 2013-02-28 |
| 公開(公告)號: | CN104137247A | 公開(公告)日: | 2014-11-05 |
| 發明(設計)人: | 藤平清隆 | 申請(專利權)人: | 炭研軸封精工有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/677 | 分類號: | H01L21/677 |
| 代理公司: | 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 劉新宇;張會華 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 接觸 吸盤 | ||
1.一種非接觸吸盤,該非接觸吸盤以非接觸狀態吸附薄板狀的被吸附物,其特征在于,
該非接觸吸盤具備:
板狀的多孔盤,其在吸附固定區域形成有沿厚度方向貫通并延伸的多個通氣孔;
第1密閉空間,其以與上述多孔盤的背面相鄰接的方式配置;
第2密閉空間,其與上述第1密閉空間相隔離;以及
連通部件,其連通上述第2密閉空間和上述通氣孔。
2.根據權利要求1所述的非接觸吸盤,其特征在于,
該非接觸吸盤具備:
板狀的支架,其表面層疊于上述多孔盤的背面側,且具有凹部,在該凹部與該多孔盤的背面之間構成上述第1密閉空間;以及
基部,其層疊于上述支架的背面側,且在該基部與該支架的背面之間形成第2密閉空間,
上述支架具有作為上述連通部件發揮功能的連通孔,該連通孔的一端在上述層疊時連接于上述多孔盤的通氣孔,另一端在該支架的背面上開口。
3.根據權利要求2所述的非接觸吸盤,其特征在于,
上述支架具備多個島狀的突出部,該島狀的突出部具備在上述多個通氣孔的背面側開口端的位置處抵接于上述多孔盤的背面的平坦的頂部,
上述連通孔貫通上述突出部并延伸,
上述突出部之間的空間被作為上述第1密閉空間。
4.根據權利要求1所述的非接觸吸盤,其特征在于,
該非接觸吸盤具備板狀的支架,該板狀的支架層疊于上述多孔盤的背面側,具備與上述多孔盤的通氣孔相對應的貫通孔,
進而,該非接觸吸盤具備基部,該基部層疊于上述支架的背面側,在該基部與該支架的背面之間形成第2密閉空間,
在上述多孔盤的背面形成有凹部,在該凹部與上述支架之間構成上述第1密閉空間,
上述多孔盤的通氣孔連結于上述支架的貫通孔,作為上述連通部件發揮功能。
5.根據權利要求4所述的非接觸吸盤,其特征在于,
該非接觸吸盤具備框構件,該框構件具有配置于上述支架與上述基部之間的環狀部,
上述第2密閉空間由上述環狀部的內部空間形成。
6.根據權利要求4或5所述的非接觸吸盤,其特征在于,
在上述多孔盤的凹部具備多個島狀的突出部,該島狀的突出部具有抵接于上述支架的表面的平坦的頂部,
上述多孔盤的通氣孔貫通上述島狀的突出部。
7.根據權利要求1~6中任一項所述的非接觸吸盤,其特征在于,
上述第1密閉空間為加壓空氣用空間部,
上述第2密閉空間為減壓用空間部。
8.根據權利要求1~7中任一項所述的非接觸吸盤,其特征在于,
上述通氣孔以分散于上述多孔盤的表面整體的方式配置。
9.根據權利要求1~8中任一項所述的非接觸吸盤,其特征在于,
上述多孔盤由多孔碳形成。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于炭研軸封精工有限公司,未經炭研軸封精工有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201380010718.2/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:半導體裝置及其制造方法
- 下一篇:半導體裝置
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





