[發(fā)明專利]發(fā)光裝置及其制造方法

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201380007130.1
• 申請(qǐng)日: 2013-02-14
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN104094427A
• 公開(kāi)（公告）日: 2014-10-08
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 川北晃司;中谷誠(chéng)一;小川立夫;澤田享
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 松下電器產(chǎn)業(yè)株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01L33/64
• 分類號(hào): H01L33/64;H01L33/62
• 代理公司: 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021
• 代理人: 韓聰

1.一種發(fā)光裝置，其具有發(fā)光元件用基板和發(fā)光元件而構(gòu)成，

將所述基板的對(duì)置的兩個(gè)主面的一個(gè)作為安裝面，對(duì)該安裝面安裝有所述發(fā)光元件，

在所述基板設(shè)置有所述發(fā)光元件用的保護(hù)元件，所述發(fā)光元件用的保護(hù)元件包含埋設(shè)于該基板的電壓依賴性電阻層和與該電壓依賴性電阻層連接的第1電極及第2電極而構(gòu)成，

所述發(fā)光元件被安裝成與所述電壓依賴性電阻層重疊，而且

在所述基板上以及所述電壓依賴性電阻層上的至少一方設(shè)置有反射層，該反射層與所述第1電極相鄰地設(shè)置，所述第1電極與所述電壓依賴性電阻層的基板露出面相接地設(shè)置。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，其特征在于，

所述反射層是包含樹(shù)脂成分和氧化物陶瓷成分而構(gòu)成的絕緣性層，或者是包含玻璃成分和氧化物陶瓷成分而構(gòu)成的絕緣性層。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，其特征在于，

所述反射層成為對(duì)所述電壓依賴性電阻層的保護(hù)層。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，其特征在于，

所述第1電極在所述電壓依賴性電阻層的基板露出面被分離為2個(gè)，位于該分離的所述第1電極之間的所述反射層的寬度尺寸形成為20μm～100μm的窄幅。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，其特征在于，

所述反射層的層厚度為1～20μm。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，其特征在于，

所述第2電極被設(shè)置成在與所述第1電極對(duì)置的狀態(tài)下與所述電壓依賴性電阻層的基板埋設(shè)面相接或包含在所述電壓依賴性電阻層的內(nèi)部。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，其特征在于，

所述電壓依賴性電阻層的表面與所述基板的所述一個(gè)主面位于同一平面上，構(gòu)成所述安裝面的一部分。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，其特征在于，

所述保護(hù)元件為壓敏電阻元件。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的發(fā)光裝置，其特征在于，

所述第2電極被設(shè)置成在與所述第1電極對(duì)置的狀態(tài)下與所述電壓依賴性電阻層的基板埋設(shè)面相接，而且

所述壓敏電阻元件將2個(gè)壓敏電阻元件串聯(lián)連接而成，所述2個(gè)壓敏電阻元件共有在所述電壓依賴性電阻層的基板埋設(shè)面形成的第2電極。

10.一種發(fā)光裝置的制造方法，所述發(fā)光裝置具有發(fā)光元件用基板以及在該基板上安裝的發(fā)光元件而構(gòu)成，所述發(fā)光元件用基板具有壓敏電阻元件而構(gòu)成，所述壓敏電阻元件包含埋設(shè)于基板的電壓依賴性電阻層和與該電壓依賴性電阻層連接的第1電極及第2電極而構(gòu)成，所述發(fā)光裝置的制造方法包括如下工序而構(gòu)成：

(A)在生片的一個(gè)主面形成第2電極前體層的工序；

(B)將凸形狀模具從所述第2電極前體層之上壓入所述生片，在該生片形成在底面配置了所述第2電極前體層的凹部的工序；

(C)對(duì)所述凹部提供所述電壓依賴性電阻層的工序；

(D)燒成對(duì)所述凹部提供了所述電壓依賴性電阻層以及所述第2電極前體層的生片，獲得埋設(shè)了所述電壓依賴性電阻層以及所述第2電極的基板的工序；

(E)在所述基板以及/或者所述電壓依賴性電阻層上形成反射層的工序；和

(F)在所述反射層的形成區(qū)域以外的所述基板上，與所述電壓依賴性電阻層相接地形成第1電極的工序。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的發(fā)光裝置的制造方法，其特征在于，

為了在所述工序(F)的第1電極形成時(shí)保護(hù)所述電壓依賴性電阻層不受外界影響而使用所述反射層。

12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的發(fā)光裝置的制造方法，其特征在于，

在所述工序(F)中通過(guò)鍍敷處理進(jìn)行所述第1電極的形成，

為了保護(hù)所述電壓依賴性電阻層不受與所述第1電極的所述形成關(guān)聯(lián)地使用的藥劑的影響而使用所述反射層。

13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的發(fā)光裝置的制造方法，其特征在于，

在所述工序(F)中，將所述第1電極設(shè)置成與所述電壓依賴性電阻層的基板露出面相接，

在所述工序(E)中，在與所述第1電極的形成區(qū)域相鄰的區(qū)域形成所述反射層。