[發明專利]用于形成熔斷器的方法

有效

• 申請號: 201380005216.0
• 申請日: 2013-01-10
• 公開（公告）號: CN104040711B
• 公開（公告）日: 2017-10-03
• 發明（設計）人: 鮑軍靜;G·波尼拉;考施克·查恩達;塞繆爾·S.·喬伊;羅納德.G.非利普;斯特凡·格魯諾夫;N·E·勒斯蒂格;丹·默伊;安德魯.H.西蒙
• 申請（專利權）人: 國際商業機器公司
• 主分類號: H01L21/82
• 分類號: H01L21/82;H01L23/62
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所11038
• 代理人: 申發振

1.一種用于形成熔斷器的方法，包括：

提供包含在第一介電層之上的硬掩模的結構，其中所述硬掩模還被布置于第二介電層之上，所述第二介電層布置于形成于所述第一介電層內的導電線路之上；

形成穿過所述硬掩模的第一開口；

在抗蝕層中形成第二開口，所述第二開口與所述第一開口不對齊以暴露所述第一開口的側壁，并且部分地重疊所述第一開口以界定重疊部分，所述重疊部分具有亞基本準則尺寸；

蝕刻被所述重疊部分暴露的所述第二介電層的部分，以在所述第二介電層中形成通孔空腔，其中所述硬掩模沒有被蝕刻，所述通孔空腔完全位于所述導電線路上方并且具有亞基本準則尺寸；

移除所述抗蝕層以暴露所述第一開口；

蝕刻被所述第一開口暴露的所述第二介電層的另一部分以在所述第二介電層中形成溝槽。

2.根據權利要求1所述的方法，其中所述第二開口具有等于或大于基本準則尺寸的尺寸。

3.根據權利要求1所述的方法，其中所述溝槽具有等于或大于基本準則尺寸的尺寸。

4.根據權利要求1所述的方法，還包括定位所述第二開口以根據目標編程電流來形成所述重疊部分。

5.根據權利要求1所述的方法，所述方法還包括使所述導電線路在所述通孔空腔的底部露出。

6.根據權利要求1所述的方法，還包括通過雙鑲嵌過程來形成所述溝槽和所述通孔空腔。

7.根據權利要求6所述的方法，其中所述導電線路被連接作為陰極，并且通過填充所述溝槽而形成的特征件被連接作為陽極。

8.根據權利要求6所述的方法，還包括通過CVD或者通過電鍍來以銅填充所述溝槽和所述通孔空腔。