[發明專利]中空金屬納米粒子有效
| 申請號: | 201380003917.0 | 申請日: | 2013-05-10 |
| 公開(公告)號: | CN103945960A | 公開(公告)日: | 2014-07-23 |
| 發明(設計)人: | 金相勳;黃教賢;趙俊衍;金洸賢 | 申請(專利權)人: | LG化學株式會社 |
| 主分類號: | B22F1/00 | 分類號: | B22F1/00;B22F9/24;B82B3/00 |
| 代理公司: | 北京鴻元知識產權代理有限公司 11327 | 代理人: | 李靜;黃麗娟 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 中空 金屬 納米 粒子 | ||
1.中空金屬納米粒子,包括:
中空芯部分;和
包含第一金屬和第二金屬的殼部分;
其中,在粒子的元素分析數據中,存在至少兩個表示所述第一金屬與所述第二金屬中的至少一個的原子百分比的主峰。
2.根據權利要求1所述的中空金屬納米粒子,其中,當所述中空金屬納米粒子的粒徑設定為100%時,在距所述粒徑的一個端點的0%至30%范圍內存在至少一個表示所述第一金屬的原子百分比的主峰,在距所述粒徑的另一個端點的0%至30%范圍內存在至少另一個表示所述第一金屬的原子百分比的主峰。
3.根據權利要求1所述的中空金屬納米粒子,其中,當所述中空金屬納米粒子的粒徑設定為100%時,在距所述粒徑的一個端點的0%至30%范圍內存在至少一個表示所述第二金屬的原子百分比的主峰,在距所述粒徑的另一個端點的0%至30%范圍內存在至少另一個表示所述第二金屬的原子百分比的主峰。
4.根據權利要求1所述的中空金屬納米粒子,其中,在所述粒徑的整個范圍內,存在多個表示所述第一金屬或所述第二金屬的原子百分比的峰。
5.根據權利要求1所述的中空金屬納米粒子,其中,存在至少兩個表示所述第一金屬的原子百分比的主峰,并且存在至少兩個表示所述第二金屬的原子百分比的主峰。
6.根據權利要求1所述的中空金屬納米粒子,其中,存在至少兩個表示所述第一金屬的原子百分比的主峰,并且在粒徑的整個范圍內存在多個表示所述第二金屬的原子百分比的峰。
7.根據權利要求1所述的中空金屬納米粒子,其中,存在至少兩個表示所述第二金屬的原子百分比的主峰,并且存在至少兩個表示所述第一金屬的原子百分比的主峰。
8.根據權利要求1所述的中空金屬納米粒子,其中,使用能量分散光譜儀(EDS)獲得所述粒子的橫截面元素分析數據。
9.根據權利要求1至7中任一項所述的中空金屬納米粒子,其中,所述中空金屬納米粒子的平均粒徑為30nm或小于30nm。
10.根據權利要求1至7中任一項所述的中空金屬納米粒子,其中,所述中空金屬納米粒子的平均粒徑為20nm或小于20nm。
11.根據權利要求1至7中任一項所述的中空金屬納米粒子,其中,所述中空金屬納米粒子的平均粒徑為10nm或小于10nm。
12.根據權利要求1至7中任一項所述的中空金屬納米粒子,其中,所述中空金屬納米粒子的平均粒徑為6nm或小于6nm。
13.根據權利要求1至7中任一項所述的中空金屬納米粒子,其中,所述殼部分的厚度為5nm或小于5nm。
14.根據權利要求1至7中任一項所述的中空金屬納米粒子,其中,所述殼部分的厚度為3nm或小于3nm。
15.根據權利要求1至7中任一項所述的中空金屬納米粒子,其中,所述中空芯的體積為所述中空金屬納米粒子總體積的50體積%或大于50體積%。
16.根據權利要求1至7中任一項所述的中空金屬納米粒子,其中,所述中空金屬納米粒子的粒徑在該中空金屬納米粒子的平均粒徑的80%至120%的范圍內。
17.根據權利要求1至7中任一項所述的中空金屬納米粒子,其中,所述殼部分包括包含第一金屬和第二金屬的殼。
18.根據權利要求1至7中任一項所述的中空金屬納米粒子,其中,所述殼部分中的第一金屬與第二金屬的原子百分比為1:5至10:1。
19.根據權利要求1至7中任一項所述的中空金屬納米粒子,其中,所述殼部分包括包含第一金屬的第一殼;和包含第二金屬的第二殼。
20.根據權利要求1至7中任一項所述的中空金屬納米粒子,其中,所述殼部分在所述中空芯部分的整個外表面形成。
21.根據權利要求1至7中任一項所述的中空金屬納米粒子,其中,所述第一金屬和所述第二金屬各自獨立地選自屬于元素周期表中第3族至第15族的金屬、準金屬、鑭系金屬和錒系金屬中。
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