[發(fā)明專利]多模式彈性波元件

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201380001627.2
• 申請(qǐng)日: 2013-02-05
• 公開（公告）號(hào): CN103597743A
• 公開（公告）日: 2014-02-19
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 小松禎也;藤原城二;鶴成哲也;中村弘幸;西村和紀(jì)
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 松下電器產(chǎn)業(yè)株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H03H9/145
• 分類號(hào): H03H9/145
• 代理公司: 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021
• 代理人: 薛凱

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及主要在移動(dòng)通信設(shè)備等中使用的多模式彈性波元件。

背景技術(shù)

隨著近年來的技術(shù)進(jìn)步，便攜電話等通信裝置的小型化、輕量化得到顯著發(fā)展。作為這種通信裝置中使用的濾波器，采用可小型化的彈性表面波裝置或彈性界面波裝置等的彈性波裝置。此外，作為移動(dòng)通信系統(tǒng)，CDMA(Code?Division?Multiple?Access)等的同時(shí)進(jìn)行收發(fā)的通信系統(tǒng)急劇增加，雙工器的需要驟增。近年來，接收端進(jìn)行平衡動(dòng)作的雙工器使用得越來越多。

根據(jù)這些的狀況，作為雙工器的接收側(cè)的濾波器而使用具有不平衡-平衡變換功能的多模式彈性波元件。再有，隨著移動(dòng)通信系統(tǒng)的變化，雙工器的要求規(guī)格變得越發(fā)嚴(yán)格。即，與以往相比，需要具有寬頻帶、更加接近于矩形且陡峭性優(yōu)異的通帶特性的多模式彈性波元件。

再者，作為與本申請(qǐng)發(fā)明相關(guān)的在先技術(shù)，例如已知專利文獻(xiàn)1至專利文獻(xiàn)3所公開的技術(shù)。

專利文獻(xiàn)1中公開了如下的技術(shù)，即：為了針對(duì)具有3個(gè)IDT電極的多模式彈性波元件而同時(shí)實(shí)現(xiàn)寄生(spurious)的抑制和陡峭性，使反射器的電極周期具有變化圖案。

專利文獻(xiàn)2中公開了如下的技術(shù)，即：為了針對(duì)具有3個(gè)IDT電極的多模式彈性波元件而抑制通帶附近的寄生、獲得良好的衰減特性，作為反射器而使用周期不同的多個(gè)反射器群。

專利文獻(xiàn)3中公開了如下的技術(shù)，即：針對(duì)具有5個(gè)IDT電極的多模式彈性波元件，為了提高通帶附近的陡峭性，在IDT電極的邊界部的窄間距部上下工夫。即，在將IDT電極的邊界部的窄間距部依次設(shè)為第1至第4的窄間距部時(shí)，第1窄間距部的電極指間距被設(shè)定得比第2窄間距部的電極指間距小，第4窄間距部的電極指間距被設(shè)定得比第3窄間距部的電極指間距小。通過該結(jié)構(gòu)，來控制彈性波所激勵(lì)的位移分布。

【在先技術(shù)文獻(xiàn)】

【專利文獻(xiàn)】

【專利文獻(xiàn)1】JP特開2003-258595號(hào)公報(bào)

【專利文獻(xiàn)2】JP特開2001-332954號(hào)公報(bào)

【專利文獻(xiàn)3】國際公開第2009／001651號(hào)

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明提供一種具有更為矩形且陡峭的衰減特性的多模式彈性波元件。

本發(fā)明中的第1多模式彈性波元件具有壓電基板、第1、第2反射器、第1IDT電極、第2IDT電極、第3IDT電極、第4IDT電極、和第5IDT電極。第1、第2反射器和第1～第5IDT電極被配置在壓電基板之上。第1～第5IDT電極在第1、第2反射器之間沿著彈性波的傳播方向從靠近于第1反射器的一側(cè)依次配置。第1IDT電極的電極指間距平均值和第5IDT電極的電極指間距平均值比第2IDT電極的電極指間距平均值和第4IDT電極的電極指間距平均值的任意一個(gè)都小。

本發(fā)明中的第2多模式彈性波元件具有壓電基板、第1、第2反射器、第1IDT電極、第2IDT電極、第3IDT電極、第4IDT電極、和第5IDT電極。第1、第2反射器和第1～第5IDT電極配置在壓電基板之上。第1～第5IDT電極在第1、第2反射器之間沿著彈性波的傳播方向從靠近于第1反射器一側(cè)依次配置。第1至第5IDT電極分別具有電極指間距實(shí)質(zhì)上相等的間距恒定區(qū)域。并且，第1IDT電極的間距恒定區(qū)域的電極指間距、第3IDT電極的間距恒定區(qū)域的電極指間距、和第5IDT電極的間距恒定區(qū)域的電極指間距，比第2IDT電極的間距恒定區(qū)域的電極指間距、和第4IDT電極的間距恒定區(qū)域的電極指間距的任意一個(gè)都小。

通過該任意一個(gè)的結(jié)構(gòu)，能夠使彈性波的駐波的位移分布較之第2、第4IDT電極的配置區(qū)域而集中在反射器側(cè)。其結(jié)果，特性受到反射器的影響。因此，使用反射器，能夠在通帶的低頻域側(cè)附近的頻率抑制高次的縱模式共振，能夠獲得陡峭的衰減特性。

附圖說明

圖1是本發(fā)明的實(shí)施方式中的多模式彈性波元件的俯視示意圖。

圖2A是圖1所示的多模式彈性波元件的電極指間距定義的說明圖。

圖2B是圖1所示的多模式彈性波元件的電極指間距定義的說明圖。

圖3是圖1所示的多模式彈性波元件的電極指間距的說明圖。

圖4A是比較例的多模式彈性波元件的俯視示意圖。

圖4B是圖4A所示的多模式彈性波元件的電極指間距的說明圖。

圖5是圖3所示的多模式彈性波元件、圖4B所示的多模式彈性波元件的特性比較圖。

圖6是本發(fā)明的實(shí)施方式中的其他的多模式彈性波元件的俯視示意圖。

圖7是圖6所示的多模式彈性波元件的特性圖。