[發明專利]多模式彈性波元件

有效

• 申請號: 201380001627.2
• 申請日: 2013-02-05
• 公開（公告）號: CN103597743A
• 公開（公告）日: 2014-02-19
• 發明（設計）人: 小松禎也;藤原城二;鶴成哲也;中村弘幸;西村和紀
• 申請（專利權）人: 松下電器產業株式會社
• 主分類號: H03H9/145
• 分類號: H03H9/145
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 薛凱

1.一種多模式彈性波元件，其具備：

壓電基板；

第1反射器、第2反射器，其配置在所述壓電基板之上；和

第1IDT電極、第2IDT電極、第3IDT電極、第4IDT電極、第5IDT電極，在所述壓電基板之上，在所述第1、第2反射器之間沿著彈性波的傳播方向，從靠近所述第1反射器的一側依次配置，

所述第1IDT電極的電極指間距平均值和所述第5IDT電極的電極指間距平均值，比所述第2IDT電極的電極指間距平均值和所述第4IDT電極的電極指間距平均值的任意一個都小。

2.根據權利要求1所述的多模式彈性波元件，其中，

所述第3IDT電極的電極指間距平均值比所述第2IDT電極的電極指間距平均值和所述第4IDT電極的電極指間距平均值的任意一個都小。

3.根據權利要求2所述的多模式彈性波元件，其中，

所述第1反射器中的與所述第1IDT電極靠近的第1區域中的相鄰的間隙的電極指間距的變化率，與較之所述第1區域遠離所述第1IDT電極的第2區域中的相鄰的間隙的電極指間距的變化率相比更大，

所述第2反射器中的與所述第5IDT電極靠近的第3區域中的相鄰的間隙的電極指間距的變化率，與較之所述第3區域遠離所述第5IDT電極的第4區域中的相鄰的間隙的電極指間距的變化率相比更大。

4.根據權利要求2所述的多模式彈性波元件，其中，

所述第1反射器、第2反射器的電極指間距分別在與所述第1IDT電極、第5IDT電極靠近的區域具有極大值、極小值。

5.根據權利要求1所述的多模式彈性波元件，其中，

所述第3IDT電極的電極指間距平均值比所述第1IDT電極的電極指間距平均值和所述第5IDT電極的電極指間距平均值的任意一個都大。

6.根據權利要求1所述的多模式彈性波元件，其中，

所述第1反射器的電極指間距平均值與所述第2IDT電極的電極指間距平均值之比的值、以及所述第2反射器的電極指間距平均值與所述第4IDT電極的電極指間距平均值之比的值，為1.02以上且1.035以下。

7.根據權利要求1所述的多模式彈性波元件，其中，

所述第1反射器、第2反射器分別具有至少三種的電極指間距。

8.根據權利要求1所述的多模式彈性波元件，其中，

在所述第1IDT電極～第5IDT電極中，緊挨著的2個IDT電極之間相鄰的梳狀電極彼此的電極指間距，比所述第1IDT電極～第5IDT電極各自的最小電極指間距大。

9.根據權利要求1所述的多模式彈性波元件，其中，

所述第1IDT電極至第5IDT電極分別具有電極指間距實質上相等的間距恒定區域，

所述第1IDT電極的所述間距恒定區域的電極指間距、所述第3IDT電極的所述間距恒定區域的電極指間距、和所述第5IDT電極的所述間距恒定區域的電極指間距，比所述第2IDT電極的所述間距恒定區域的電極指間距和所述第4IDT電極的所述間距恒定區域的電極指間距的任意一個都小。

10.一種多模式彈性波元件，其具備：

壓電基板；

第1反射器、第2反射器，其配置在所述壓電基板之上；和

第1IDT電極、第2IDT電極、第3IDT電極、第4IDT電極、第5IDT電極，在所述壓電基板之上，在所述第1反射器、第2反射器之間沿著彈性波的傳播方向，從與所述第1反射器靠近的一側依次配置，

所述第1IDT電極至第5IDT電極分別具有電極指間距實質上相等的間距恒定區域，

所述第1IDT電極的所述間距恒定區域的電極指間距、所述第3IDT電極的所述間距恒定區域的電極指間距、和所述第5IDT電極的所述間距恒定區域的電極指間距，比所述第2IDT電極的所述間距恒定區域的電極指間距、和所述第4IDT電極的所述間距恒定區域的電極指間距的任意一個都小。

11.根據權利要求10所述的多模式彈性波元件，其中，

所述第1反射器、第2反射器分別具有電極指間距實質上相等的間距恒定區域，

所述第2IDT電極的所述間距恒定區域的電極指間距和所述第4IDT電極的所述間距恒定區域的電極指間距，比所述第1反射器、第2反射器的所述間距恒定區域的電極指間距的任意一個都大。