[實用新型]一種薄膜封裝系統

有效

• 申請號: 201320892034.7
• 申請日: 2013-12-31
• 公開（公告）號: CN203659835U
• 公開（公告）日: 2014-06-18
• 發明（設計）人: 劉杰;劉鍵;冷興龍;屈芙蓉;李超波;夏洋
• 申請（專利權）人: 中國科學院微電子研究所
• 主分類號: H01L23/28
• 分類號: H01L23/28;H01L51/56
• 代理公司: 北京華沛德權律師事務所 11302
• 代理人: 劉杰

技術領域

本實用新型涉及器件的封裝設備，具體涉及一種薄膜封裝系統。

背景技術

電子器件尤其是有機電子器件對空氣中的水汽和氧氣特別敏感，因此需要對有機器件進行封裝以保證器件的性能和使用壽命。目前柔性有機電子器件封裝主要方法，是直接在器件表面制作阻擋水氧滲透性能優異的柔性薄膜結構。由于柔性的聚合物膜阻擋水氧滲透能力非常有限，而致密無針孔的無機膜阻擋水氧能力雖較高但達到一定厚度時則表現為剛性結構且易碎裂，因而目前國際上絕大多數的柔性封裝研究都是基于有機/無機多層膜交替復合結構的Barix^TM封裝技術開展的。實現有機/無機交替結構的主要方法有：（1）PECVD方法，如中科院蘇州納米所采用PECVD方法，通過改變沉積過程中工藝氣體組分，從而沉積無明顯界面的有機/無機交替結構；（2）ALD方法，如BENEQ公司采用ALD方法沉積Al₂O₃/ZrO₂多層膜，實現有機電子器件的封裝。上述兩種方法中，PECVD的方法薄膜沉積速度較快，但由于PECVD方法基于島狀生長，島邊界等處就會存在缺陷，因此沉積的無機薄膜的質量相對較差；ALD的方法基于原子層式生長，生長無缺陷，雖能沉積高質量的無機薄膜，但沉積速度太慢，一般不超過2nm/min，且ALD方法制備的Al₂O₃/ZrO₂等多層膜由于Al₂O₃和ZrO₂都是無機薄膜，厚度一定時就呈現出剛性，所以嚴格意義上不屬于柔性封裝。因此，需要一種PECVD設備，可以高效、高質量、柔性薄膜封裝成為制約有機電子器件發展的最主要瓶頸。

實用新型內容

為了解決以上技術問題，本實用新型提供一種薄膜封裝系統，該系統同時具有PECVD氣路輸入部分和ALD氣路輸入部分，使本實用新型兼具PECVD設備可快速沉積的優勢以及ALD設備可沉積高質量薄膜的優勢，實現了快速沉積較高質量的薄膜。

本實用新型通過以下技術方案實現：

一種薄膜封裝系統，包括工藝氣體輸入部分、沉積腔室、ICP等離子體電源和基片臺，所述工藝氣體輸入部分包括分別與沉積腔室連接的PECVD工藝氣體輸入部分和ALD工藝氣體輸入部分，所述基片臺設置在沉積腔室內，所述ICP等離子體電源設置在沉積腔室頂部。

在上述技術方案中，所述PECVD工藝氣體輸入部分包括前驅體的輸入氣路、反應氣體輸入氣路、輔助氣體輸入氣路，所述前驅體輸入氣路和反應氣體輸入氣路都分別與沉積腔室連接，所述輔助氣體輸入氣路與ICP等離子體電源連接。

在上述技術方案中，所述ALD工藝氣體輸入部分包括前驅體輸入氣路、反應氣體輸入氣路、吹掃氣體輸入氣路，所述前驅體輸入氣路、反應氣體輸入氣路和吹掃氣體輸入氣路分別連接沉積腔室。。

在上述技術方案中，所述基片臺為可加熱基片臺。

本實用新型通過PECVD工藝氣體輸入部分進行快速沉積薄膜的功能層，由于PECVD方法通過島狀沉積模式形成功能層，島邊界等處容易存在缺陷，而使用ALD工藝氣體輸入部分進行原子層式生長，可填補島狀沉積中各島邊緣的凹陷，彌補島狀沉積的缺陷，實現了快速沉積較高質量薄膜。

附圖說明

圖1為本實用新型實施例提供的薄膜封裝系統示意圖。

具體實施方式

下面結合附圖和實施例對本實用新型的技術方案進行詳細描述。

參見圖1，一種薄膜封裝系統，包括工藝氣體輸入部分、沉積腔室9、ICP等離子體電源5和基片臺6，工藝氣體輸入部分包括分別與沉積腔室9連接的PECVD工藝氣體輸入部分和ALD工藝氣體輸入部分，基片臺6設置在沉積腔室9內。