[實(shí)用新型]封裝基板及包含該封裝基板的集成電路

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201320890501.2
• 申請日: 2013-12-31
• 公開（公告）號: CN203800035U
• 公開（公告）日: 2014-08-27
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳飛;黃建華
• 申請（專利權(quán)）人: 日月光半導(dǎo)體（上海）有限公司
• 主分類號: H01L23/528
• 分類號: H01L23/528
• 代理公司: 北京律盟知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11287
• 代理人: 林斯凱

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型涉及集成電路領(lǐng)域，特別是關(guān)于集成電路領(lǐng)域的封裝基板及包含該封裝基板的集成電路。

背景技術(shù)

隨著電子技術(shù)的發(fā)展，消費(fèi)者對電子產(chǎn)品的要求越來越高。人們希望同一電子產(chǎn)品上集成的功能越來越來越多，但體積卻日益輕薄。而要滿足這種高整合度及微型化的要求，主要依賴的還是作為核心部件的集成電路產(chǎn)品的改進(jìn)。

改進(jìn)的途徑之一就是使用多層封裝基板，在有限的空間下運(yùn)用層間連接技術(shù)以擴(kuò)大封裝基板上可供利用的線路布局面積，配合高線路密度的集成電路的使用需求，降低封裝基板的厚度，從而達(dá)到封裝產(chǎn)品多功能、小型化的目的。

目前多層封裝基板主要有兩種，一種是有載板的封裝基板，或稱有核心層的封裝基板，其由一具有內(nèi)層線路的核心板及形成于該核心板兩側(cè)的線路增層結(jié)構(gòu)構(gòu)成，核心板可保證整個封裝基板的平整；另一種則是無載板的封裝基板，或稱無核心層的封裝基板，其在增層后移除載板從而進(jìn)一步縮短導(dǎo)線長度及降低整體厚度。由于沒有載板支撐，無核心層的封裝基板很容易發(fā)生翹曲，因此任何可能影響無核心層的封裝基板的平整性的因素都要慎重考慮。

實(shí)用新型內(nèi)容

本實(shí)用新型的目的之一在于提供封裝基板及包含該封裝基板的集成電路，以盡可能低的封裝基板翹曲度實(shí)現(xiàn)集成電路的小型化。

本實(shí)用新型的一實(shí)施例提供一封裝基板，該封裝基板包含：第一線路層、第二線路層、位于該第一線路層與第二線路層之間的介電層、嵌埋于該介電層的導(dǎo)通柱，及設(shè)置于該導(dǎo)通柱旁側(cè)的虛擬導(dǎo)通柱。該導(dǎo)通柱的上端連接該第二線路層，下端連接該第一線路層以電導(dǎo)通該第一線路層與第二線路層。該虛擬導(dǎo)通柱不電導(dǎo)通該第一線路層與第二線路層。

根據(jù)本實(shí)用新型的一實(shí)施例，該封裝基板是無核心層基板。在該介電層內(nèi)，以該導(dǎo)通柱為圓心，半徑大于等于700um的圓周內(nèi)無其它導(dǎo)通柱或散熱條區(qū)。該虛擬導(dǎo)通柱與該導(dǎo)通柱之間的距離不大于700um。該虛擬導(dǎo)通柱可與該封裝基板的的接地線路電連接，且可以是長條形或多邊形等各種形狀的金屬凸塊。

本實(shí)用新型的另一實(shí)施例還提供了包含該封裝基板的集成電路。

相較于現(xiàn)有技術(shù)，本實(shí)用新型的封裝基板及包含該封裝基板的集成電路通過在導(dǎo)通柱稀疏區(qū)域設(shè)置虛擬導(dǎo)通柱提供支撐，降低封裝基板刷磨造成的不平整，進(jìn)而提高封裝基板和集成電路的質(zhì)量。

附圖說明

圖1是一現(xiàn)有封裝基板在制造過程中的剖面結(jié)構(gòu)示意圖

圖2是根據(jù)本實(shí)用新型一實(shí)施例的封裝基板的剖面結(jié)構(gòu)示意圖

圖3是根據(jù)本實(shí)用新型一實(shí)施例的封裝基板在完成第一次導(dǎo)通柱埋入后的剖面結(jié)構(gòu)示意圖

具體實(shí)施方式

為更好的理解本實(shí)用新型的精神，以下結(jié)合本實(shí)用新型的部分優(yōu)選實(shí)施例對其作進(jìn)一步說明。

集成電路主要是由芯片和承載該芯片的封裝基板組成。而封裝基板特別是無核心層封裝基板在制作過程中，可雙面同時進(jìn)行增層作業(yè)及制作線路結(jié)構(gòu)，且每次增層后都要進(jìn)行刷磨以露出其中的金屬結(jié)構(gòu)。

圖1是一現(xiàn)有封裝基板10在制造過程中的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。簡單起見，圖1中僅給出了對應(yīng)一個封裝單元的封裝基板單體，如本領(lǐng)域技術(shù)人員所知每條封裝基板10包含若干封裝基板單體。

如圖1所示，目前的封裝基板10中主要存在兩種金屬結(jié)構(gòu)：一種是用于散熱的金屬凸塊，可稱散熱條（bar）12；另一種用于支撐及電路導(dǎo)通的金屬凸塊，可稱導(dǎo)通柱(pillar)14。Bar12通常是多個集中組成一散熱條區(qū)120，主要在用作功率放大器的封裝體內(nèi)使用，可設(shè)置在芯片（未圖示）的下方并與芯片連接以起到為芯片散熱的作用。相對于封裝基板10里的有效電性線路（不包含單純接地線路），bar12是電性獨(dú)立的。Pillar14則是散落的，可導(dǎo)通上下層電路（未圖示），通常是圓柱形。

由于封裝基板10的設(shè)計(jì)需考慮多種因素，散熱條區(qū)120和Pillar14很難作到均勻、高密度排列。但另一方面，封裝基板10的基材16與金屬結(jié)構(gòu)之間的強(qiáng)度差異較大，如基材16是半固化片(prepreg-pp)，是由樹脂和增強(qiáng)材料構(gòu)成的一種預(yù)浸材料，而金屬結(jié)構(gòu)則是銅塊。在封裝基板12進(jìn)行雙面同時刷磨時，刷磨相同的次數(shù)后，強(qiáng)度小的材料受到強(qiáng)度大的材料的反作用力而相對刷壓偏大，更容易被刷磨掉。因此封裝基板10在制造過程中，往往存在因刷磨造成的不平整現(xiàn)象，因而影響后續(xù)增層結(jié)構(gòu)的質(zhì)量。