[實用新型]保護(hù)晶圓表面的裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201320879155.8 | 申請日： | 2013-12-27 |
| 公開（公告）號： | CN203895418U | 公開（公告）日： | 2014-10-22 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 張賀豐;高玉 | 申請（專利權(quán)）人： | 中芯國際集成電路制造（北京）有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/673 | 分類號： | H01L21/673 |
| 代理公司： | 上海思微知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李時云 |
| 地址： | 100176 北京市大興區(qū)*** | 國省代碼： | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 保護(hù) 表面 裝置 | ||
1.一種保護(hù)晶圓表面的裝置，其特征在于，所述裝置在晶圓制造過程中需要長期存放或運輸時在晶圓表面形成保護(hù)膜，所述裝置包括保護(hù)膜形成系統(tǒng)、保護(hù)膜去除系統(tǒng)，所述保護(hù)膜成型系統(tǒng)包括保護(hù)液供給模塊、保護(hù)液成型模塊，所述保護(hù)液供給模塊用于將有機(jī)溶液供給到晶圓表面，晶圓表面的有機(jī)溶劑在所述保護(hù)液成型模塊中液體成型形成保護(hù)膜；所述保護(hù)膜去除系統(tǒng)將保護(hù)膜從晶圓表面去除。
2.如權(quán)利要求1所述的保護(hù)晶圓表面的裝置，其特征在于，所述保護(hù)液供給模塊利用噴嘴將有機(jī)溶液噴涂到晶圓表面。
3.如權(quán)利要求1所述的保護(hù)晶圓表面的裝置，其特征在于，所述保護(hù)液供給模塊利用旋涂法或浸入法在晶圓表面形成有機(jī)溶液。
4.如權(quán)利要求1所述的保護(hù)晶圓表面的裝置，其特征在于，所述有機(jī)溶液為水溶性聚亞安酯。
5.如權(quán)利要求1所述的保護(hù)晶圓表面的裝置，其特征在于，所述形成的保護(hù)膜的厚度為30μm～100μm。
6.如權(quán)利要求1所述的保護(hù)晶圓表面的裝置，其特征在于，所述保護(hù)膜去除系統(tǒng)利用機(jī)械的方式剝離所述保護(hù)膜。
7.如權(quán)利要求1所述的保護(hù)晶圓表面的裝置，其特征在于，所述保護(hù)膜去除系統(tǒng)利用加熱氣化的方式去除所述保護(hù)膜。
8.如權(quán)利要求1所述的保護(hù)晶圓表面的裝置，其特征在于，所述保護(hù)膜去除系統(tǒng)利用紫外光分解并清洗的方式去除所述保護(hù)膜。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
