[實用新型]發光二極管封裝結構

有效

• 申請號: 201320876798.7
• 申請日: 2013-12-27
• 公開（公告）號: CN203774369U
• 公開（公告）日: 2014-08-13
• 發明（設計）人: 陳燕章
• 申請（專利權）人: 深圳市力維登光電科技有限公司
• 主分類號: H01L33/52
• 分類號: H01L33/52;H01L33/60
• 代理公司: 深圳市中聯專利代理有限公司 44274
• 代理人: 李俊

1.一種發光二極管封裝結構，其特征在于，包括：金屬基板、LED芯片及金屬導線，所述金屬基板上開設用于放置LED芯片的凹腔，所述凹腔的底部設置有錫金合金層，所述金屬基板的上表面依次成型有第一導熱絕緣層、導線層及第二導熱絕緣層，所述LED芯片設置在所述錫金合金層上，所述金屬導線一端與所述LED芯片電性連接，另一端穿過所述第二導熱絕緣層與所述導線層電性連接，所述錫金合金層的厚度為0.25～0.3mm。

2.如權利要求1所述的發光二極管封裝結構，其特征在于，所述第一導熱絕緣層的厚度為45～48nm。

3.如權利要求1所述的發光二極管封裝結構，其特征在于，所述導線層為金鋁合金導線層，厚度為45～48nm。

4.如權利要求1所述的發光二極管封裝結構，其特征在于，所述第二導熱絕緣層的厚度為48～55nm。

5.如權利要求1所述的發光二極管封裝結構，其特征在于，所述凹腔的腔壁上還設置有鎳銀合金反射膜層。

6.如權利要求1所述的發光二極管封裝結構，其特征在于，所述凹腔上還覆蓋封裝有光學透鏡層。

7.如權利要求1所述的發光二極管封裝結構，其特征在于，所述凹腔的底部與腔壁的角度為120度。