[實用新型]發(fā)光二極管封裝結構

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201320876798.7
• 申請日: 2013-12-27
• 公開（公告）號: CN203774369U
• 公開（公告）日: 2014-08-13
• 發(fā)明（設計）人: 陳燕章
• 申請（專利權）人: 深圳市力維登光電科技有限公司
• 主分類號: H01L33/52
• 分類號: H01L33/52;H01L33/60
• 代理公司: 深圳市中聯(lián)專利代理有限公司 44274
• 代理人: 李俊

技術領域

本實用新型涉發(fā)光二極管封裝技術領域，尤其涉及一種使用壽命長、減少成本、提高封裝效率的發(fā)光二極管封裝結構。

背景技術

隨著LED（發(fā)光二極管）照明技術的不斷發(fā)展，LED的生產規(guī)模在不斷擴大，LED的封裝技術是其在生產制造過程中的關鍵的一環(huán)。LED封裝是指發(fā)光芯片的封裝，相比集成電路封裝有較大不同。LED的封裝不僅要求能夠保護燈芯，而且還要能夠透光。所以LED的封裝對封裝材料有特殊的要求。

因此，亟需一種使用壽命長、減少成本、提高封裝效率的發(fā)光二極管封裝結構。

實用新型內容

本實用新型的目的是提供一種使用壽命長、減少成本、提高封裝效率的發(fā)光二極管封裝結構。

為了實現(xiàn)上述目的，本實用新型提供一種發(fā)光二極管封裝結構，包括：金屬基板、LED芯片及金屬導線，所述金屬基板上開設用于放置LED芯片的凹腔，所述凹腔的底部設置有錫金合金層，所述金屬基板的上表面依次成型有第一導熱絕緣層、導線層及第二導熱絕緣層，所述LED芯片設置在所述錫金合金層上，所述金屬導線一端與所述LED芯片電性連接，另一端穿過所述第二導熱絕緣層與所述導線層電性連接，所述錫金合金層的厚度為0.25～0.3mm。

所述第一導熱絕緣層的厚度為45～48nm。

所述導線層為金鋁合金導線層，厚度為45～48nm。

所述第二導熱絕緣層的厚度為48～55nm。

所述凹腔的腔壁上還設置有鎳銀合金反射膜層。

所述凹腔上還覆蓋封裝有光學透鏡層。

所述凹腔的底部與腔壁的角度為120度。

與現(xiàn)有技術相比，本實用新型發(fā)光二極管封裝結構中，由于設置有所述第二導熱絕緣層，因此能夠覆蓋住所述導線層，能夠防止所述導線層在長期的高溫使用過程中，被氧化，而且直接將所述第二導熱絕緣層覆蓋于所述導線層上，因此能夠提高壽命、減少成本、提高封裝效率的發(fā)光二極管封裝結構。

通過以下的描述并結合附圖，本實用新型將變得更加清晰，這些附圖用于解釋本實用新型的實施例。

附圖說明

圖1為本實用新型發(fā)光二極管封裝結構的剖面結構示意圖。

具體實施方式

現(xiàn)在參考附圖描述本實用新型的實施例，附圖中類似的元件標號代表類似的元件。如上所述，如圖1所示，本實用新型提供的發(fā)光二極管封裝結構100，包括：金屬基板1、LED芯片2及金屬導線3，所述金屬基板1上開設用于放置LED芯片2的凹腔4，所述凹腔4的底部設置有錫金合金層5，所述金屬基板1的上表面依次成型有第一導熱絕緣層6、導線層7及第二導熱絕緣層8，所述LED芯片2設置在所述錫金合金層5上，所述金屬導線3一端與所述LED芯片2電性連接，另一端穿過所述第二導熱絕緣層8與所述導線層7電性連接，所述錫金合金層5的厚度為0.25～0.3mm。

所述第一導熱絕緣層6的厚度為45～48nm。

所述導線層7為金鋁合金導線層，厚度為45～48nm。

所述第二導熱絕緣層8的厚度為48～55nm。

所述凹腔4的腔壁上還設置有鎳銀合金反射膜層9。

所述凹腔4上還覆蓋封裝有光學透鏡層10。

所述凹腔4的底部與腔壁的角度為120度。

結合圖1，本實用新型發(fā)光二極管封裝結構100，由于設置有所述第二導熱絕緣層8，因此能夠覆蓋住所述導線層7，能夠防止所述導線層7在長期的高溫使用過程中，被氧化，而且直接將所述第二導熱絕緣層8覆蓋于所述導線層7上，因此能夠提高壽命、減少成本、提高封裝效率的發(fā)光二極管封裝結構。

以上所揭露的僅為本實用新型的優(yōu)選實施例而已，當然不能以此來限定本實用新型之權利范圍，因此依本實用新型申請專利范圍所作的等同變化，仍屬本實用新型所涵蓋的范圍。