[實用新型]一種優(yōu)化柵N溝道VDMOS功率器件

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201320867049.8
• 申請日: 2013-12-26
• 公開（公告）號: CN203644787U
• 公開（公告）日: 2014-06-11
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 陳利;高耿輝
• 申請（專利權(quán)）人: 廈門元順微電子技術(shù)有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/06
• 代理公司: 廈門市精誠新創(chuàng)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 35218
• 代理人: 黃國強

1.一種優(yōu)化柵N溝道VDMOS功率器件，其特征在于：包括n型襯底、位于n型襯底背面的第一金屬電極、位于n型襯底正面的n型外延層、位于n型外延層上的優(yōu)化柵結(jié)構(gòu)、以及位于優(yōu)化柵結(jié)構(gòu)上的第二金屬電極，第一金屬電極作為該VDMOS功率器件的漏極，第二金屬電極作為該VDMOS功率器件的源極；其中，所述優(yōu)化柵結(jié)構(gòu)包括p阱、n-?jfet區(qū)、柵氧化層、多晶硅柵、n+源區(qū)以及p+接觸區(qū)，p阱設(shè)于n型外延層內(nèi)；n+源區(qū)和p+接觸區(qū)設(shè)于p阱內(nèi)；多晶硅柵設(shè)置于n型外延層的上方；n-?jfet區(qū)設(shè)置于多晶硅柵的下方，且設(shè)于p阱的元胞之間；柵氧化層設(shè)置于多晶硅柵和n型外延層之間。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的優(yōu)化柵N溝道VDMOS功率器件，其特征在于：所述p阱包括p阱A注入?yún)^(qū)和p阱B注入?yún)^(qū)，p阱A注入?yún)^(qū)包覆n+源區(qū)和p+接觸區(qū)，p阱B注入?yún)^(qū)設(shè)于p阱A注入?yún)^(qū)和n-?jfet區(qū)之間。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的優(yōu)化柵N溝道VDMOS功率器件，其特征在于：所述優(yōu)化柵結(jié)構(gòu)還包括絕緣保護層，該絕緣保護層覆蓋在所述n型外延層上，且包覆所述多晶硅柵。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的優(yōu)化柵N溝道VDMOS功率器件，其特征在于：所述絕緣保護層是低溫淀積絕緣保護層。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的優(yōu)化柵N溝道VDMOS功率器件，其特征在于：所述絕緣保護層是摻磷二氧化硅絕緣保護層。

6.根據(jù)權(quán)利要求1-5任一所述的優(yōu)化柵N溝道VDMOS功率器件，其特征在于：所述n型外延層的厚度范圍是48um-58um。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的優(yōu)化柵N溝道VDMOS功率器件，其特征在于：所述n型外延層的厚度是52um。