[實(shí)用新型]PECVD鍍膜裝置的電極結(jié)構(gòu)有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201320858578.1 | 申請(qǐng)日: | 2013-12-24 |
| 公開(公告)號(hào): | CN203653694U | 公開(公告)日: | 2014-06-18 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 呂旭東;陳立國(guó);李海燕;張受業(yè);陳偉岸;賀艷;趙萌;朱惠欽 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 北京北印東源新材料科技有限公司 |
| 主分類號(hào): | C23C16/50 | 分類號(hào): | C23C16/50 |
| 代理公司: | 北京慶峰財(cái)智知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11417 | 代理人: | 劉元霞 |
| 地址: | 101407 北京市懷柔*** | 國(guó)省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | pecvd 鍍膜 裝置 電極 結(jié)構(gòu) | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及氣體放電技術(shù)領(lǐng)域,具體而言,涉及一種PECVD鍍膜裝置的電極結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)
傳統(tǒng)的PECVD鍍膜裝置的電極結(jié)構(gòu)示意圖參見附圖1,電極輥11a、11b對(duì)向放置,其中分別設(shè)置內(nèi)磁路12a、12b,在電極輥11a、11b外部設(shè)置外磁路13與內(nèi)磁路12a、12b構(gòu)成磁回路,進(jìn)氣管設(shè)置在兩電極輥之間偏上部分。放電在電極輥11a、11b之間進(jìn)行并形成等離子放電區(qū)15。
當(dāng)前PECVD鍍膜裝置的電極結(jié)構(gòu)通常是將一對(duì)電極輥對(duì)向放置,在兩個(gè)電極輥之間形成等離子放電區(qū),這樣的結(jié)構(gòu)放電電壓較高,消耗的功率也較大,且放電電壓高容易引起各種誤放電,電極表面極易出現(xiàn)打火現(xiàn)象,這對(duì)膜面性能也是極為不利的。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明旨在提供一種PECVD鍍膜裝置的電極結(jié)構(gòu),能夠降低放電電壓,較大程度避免誤放電,降低能源消耗并提升膜面質(zhì)量。
為了實(shí)現(xiàn)上述目的,根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面,提供了一種PECVD鍍膜裝置的電極結(jié)構(gòu),包括:第一電極對(duì),包括相對(duì)設(shè)置的第一電極輥和第二電極輥,第一電極輥內(nèi)設(shè)置有第一內(nèi)磁路,第二電極輥內(nèi)設(shè)置有第二內(nèi)磁路;第二電極對(duì),第二電極對(duì)的兩個(gè)電極的中心連線與第一電極輥和第二電極輥的中心連線相互垂直并對(duì)稱布置。
進(jìn)一步地,第二電極對(duì)包括第一電極和第二電極,第一電極內(nèi)置有第三內(nèi)磁路,第二電極內(nèi)置有第四內(nèi)磁路。
進(jìn)一步地,第一電極輥內(nèi)設(shè)置有四個(gè)磁極,第二電極輥內(nèi)設(shè)置有四個(gè)磁極,第一電極輥內(nèi)的四個(gè)磁極與第二電極輥內(nèi)的四個(gè)磁極一一對(duì)應(yīng)設(shè)置,第一電極輥內(nèi)的各磁極與第二電極輥內(nèi)的相應(yīng)的磁極之間形成磁回路。
進(jìn)一步地,第一電極內(nèi)設(shè)置有四個(gè)磁極,第二電極內(nèi)設(shè)置有四個(gè)磁極,第一電極內(nèi)的四個(gè)磁極與第二電極內(nèi)的四個(gè)磁極一一對(duì)應(yīng)設(shè)置,第一電極內(nèi)的朝向第一電極輥的磁極與第一電極輥內(nèi)的相應(yīng)的磁極之間形成磁回路,第一電極內(nèi)的朝向第二電極輥的磁極與第二電極輥內(nèi)的相應(yīng)的磁極之間形成磁回路,第二電極內(nèi)的朝向第一電極輥的磁極與第一電極輥內(nèi)的相應(yīng)的磁極之間形成磁回路,第二電極內(nèi)的朝向第二電極輥的磁極與第二電極輥內(nèi)的相應(yīng)的磁極之間形成磁回路。
進(jìn)一步地,第二電極對(duì)包括第一電極和第二電極,第一電極和第二電極沿第一電極輥和第二電極輥的中心連線對(duì)稱設(shè)置,且第一電極和第二電極的中心連線經(jīng)過(guò)第一電極輥和第二電極輥的中心連線的中心。
進(jìn)一步地,第一電極輥內(nèi)設(shè)置有四個(gè)磁極,第二電極輥內(nèi)設(shè)置有四個(gè)磁極,第一電極輥內(nèi)的四個(gè)磁極與第二電極輥內(nèi)的四個(gè)磁極一一對(duì)應(yīng)設(shè)置,第一電極輥內(nèi)的各磁極與第二電極輥內(nèi)的相應(yīng)的磁極之間形成磁回路。
進(jìn)一步地,第一電極對(duì)的兩個(gè)電極輥為同電位,第二電極對(duì)的兩個(gè)電極為同電位,放電在電極與電極輥之間進(jìn)行。
進(jìn)一步地,電極結(jié)構(gòu)包括四個(gè)進(jìn)氣管,四個(gè)進(jìn)氣管分別設(shè)置在相鄰的電極輥和電極之間,且四個(gè)進(jìn)氣管均位于電極輥和電極所形成的放電區(qū)域外,各進(jìn)氣管的開口朝向放電區(qū)域。
進(jìn)一步地,四個(gè)進(jìn)氣管沿第一電極輥和第二電極輥的對(duì)稱中心周向均勻設(shè)置。
進(jìn)一步地,電極結(jié)構(gòu)包括進(jìn)氣管,進(jìn)氣管設(shè)置在第一電極輥和第二電極輥的對(duì)稱中心。
應(yīng)用本發(fā)明的技術(shù)方案,PECVD鍍膜裝置的電極結(jié)構(gòu)包括:第一電極對(duì),包括相對(duì)設(shè)置的第一電極輥和第二電極輥,第一電極輥內(nèi)設(shè)置有第一內(nèi)磁路,第二電極輥內(nèi)設(shè)置有第二內(nèi)磁路;第二電極對(duì),第二電極對(duì)的兩個(gè)電極的中心連線與第一電極輥和第二電極輥的中心連線相互垂直并對(duì)稱布置。本發(fā)明利用兩個(gè)電極作為輔助電極進(jìn)行放電,補(bǔ)充了兩個(gè)電極輥放電時(shí)的放電強(qiáng)度,因此可以降低放電電壓。此外第二電極對(duì)的兩個(gè)電極的中心連線與第一電極輥和第二電極輥的中心連線相互垂直并對(duì)稱布置,使得電極結(jié)構(gòu)所形成的放電區(qū)域更加均勻,通過(guò)兩個(gè)電極和兩個(gè)電極輥同時(shí)放電,所需的放電電壓降低也能夠滿足放電強(qiáng)度需要,能夠較大程度地避免由于放電電壓過(guò)高而導(dǎo)致的誤放電,降低電極表面出現(xiàn)打火現(xiàn)象的可能,從而降低能源消耗,并提高膜面質(zhì)量。
附圖說(shuō)明
構(gòu)成本發(fā)明的一部分的附圖用來(lái)提供對(duì)本發(fā)明的進(jìn)一步理解,本發(fā)明的示意性實(shí)施例及其說(shuō)明用于解釋本發(fā)明,并不構(gòu)成對(duì)本發(fā)明的不當(dāng)限定。在附圖中:
圖1示出了現(xiàn)有技術(shù)中的PECVD鍍膜裝置的電極結(jié)構(gòu)示意圖;
圖2示出了根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例的PECVD鍍膜裝置的電極結(jié)構(gòu)示意圖;
圖3示出了根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施例的PECVD鍍膜裝置的電極結(jié)構(gòu)示意圖;
圖4示出了根據(jù)本發(fā)明的第三實(shí)施例的PECVD鍍膜裝置的電極結(jié)構(gòu)示意圖;
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C23C 對(duì)金屬材料的鍍覆;用金屬材料對(duì)材料的鍍覆;表面擴(kuò)散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過(guò)氣態(tài)化合物分解且表面材料的反應(yīng)產(chǎn)物不留存于鍍層中的化學(xué)鍍覆,例如化學(xué)氣相沉積
C23C16-01 .在臨時(shí)基體上,例如在隨后通過(guò)浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無(wú)機(jī)材料為特征的
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