[實用新型]氧化物半導體晶體管

有效

• 申請號: 201320842722.2
• 申請日: 2013-12-19
• 公開（公告）號: CN203859117U
• 公開（公告）日: 2014-10-01
• 發明（設計）人: 劉玉成;蔡世星;袁波
• 申請（專利權）人: 昆山工研院新型平板顯示技術中心有限公司;昆山國顯光電有限公司
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;H01L29/417
• 代理公司: 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224
• 代理人: 唐清凱

技術領域

本實用新型涉及半導體器件領域，特別是涉及一種氧化物半導體晶體管。?

背景技術

驅動有源矩陣顯示基板，包括非晶硅晶體管、低溫多晶硅晶體管和氧化物半導體晶體管；非晶硅晶體管主要應用于中低分辨率的LCD(Liquid?Crystal?Display，液晶顯示面板)顯示領域，低溫多晶硅晶體管主要應用于中高分辨率的LCD顯示領域和AMOLED(Active?Matrix?Organic?Light?Emitting?Diode，有源矩陣有機發光二極體面板)顯示領域，氧化物半導體晶體管則主要應用于中大尺寸的中高分辨率的LCD顯示領域和中大尺寸的AMOLED顯示領域。?

其中，氧化物半導體晶體管由于具有較高的遷移率和較好的面內均勻性，目前已得到廣泛的研究與應用，通常，氧化物半導體晶體管的結構為底柵結構，如圖1所示，由于底柵結構的氧化物半導體晶體管中柵電極與源/漏電極的重疊面積較大，導致氧化物半導體晶體管的寄生電容和晶體管尺寸均相對較大，從而限制其應用。相對于底柵結構，具有頂柵結構的晶體管則具有更小的寄生電容和晶體管尺寸，但是，頂柵結構的LIPS(Low?Temperature?Poly-silicon，低溫多晶硅技術)工藝可以通過離子注入的方式，降低LIPS作為晶體管引線的電阻，而氧化物半導體晶體管的頂柵結構，則還沒有有效的方式降低氧化物半導體層作為引線的電阻，從而限制了氧化物半導體晶體管采用頂柵結構的制作方式。?

實用新型內容

基于此，有必要針對不能有效降低氧化物半導體層作為引線的電阻，從而限制氧化物半導體晶體管采用頂柵結構的制作方式的問題，提供一種氧化物半導體晶體管。?

一種氧化物半導體晶體管，包括：?

基板；?

形成在所述基板上的氧化物半導體層；?

形成在所述氧化物半導體層上的柵電極絕緣層；?

形成在所述氧化物半導體層上的替代功能層；?

形成在所述替代功能層上，位于所述柵電極絕緣層兩側的源/漏電極。?

在其中一個實施例中，所述替代功能層為自對準結構。?

在其中一個實施例中，還包括：?

形成在所述柵電極絕緣層上的柵電極；?

其中，所述柵電極上形成有所述替代功能層。?

在其中一個實施例中，所述替代功能層的材料為鉬、鈦、鉬合金、或鈦合金。?

在其中一個實施例中，還包括：?

形成在所述基板與所述氧化物半導體層之間的襯底；?

其中，所述襯底為無機層。?

在其中一個實施例中，所述氧化物半導體層中的氧化物半導體為IGZO。?

在其中一個實施例中，所述柵電極絕緣層的結構為氮化硅、或/和氧化硅單層或多層復合結構。?

在其中一個實施例中，所述柵電極絕緣層形狀為倒梯形。?

在其中一個實施例中，所述柵電極的結構為鉬、銅、鋁、鉬合金、銅合金、或鋁合金形成的單層或疊層結構。?

在其中一個實施例中，所述源/漏電極的結構均為鉬、銅、或鋁金屬形成的單層或疊層結構。?

本實用新型提供的氧化物半導體晶體管，通過在氧化物半導體層上制備替代功能層，以替代功能層代替氧化物半導體層作為引線使用，有效地減小了頂柵結構的氧化物半導體晶體管中，源/漏電極與氧化物半導體層間的接觸電阻，解決了不能有效降低氧化物半導體層作為引線的電阻的問題，使得氧化物半導體晶體管采用頂柵結構的制作方式不再受到限制。?

附圖說明

圖1為底柵結構的氧化物半導體晶體管截面圖；?

圖2A為本實用新型氧化物半導體晶體管的截面圖；?

圖2B為本實用新型氧化物半導體晶體管的俯視圖；?

圖3A為本實用新型氧化物半導體晶體管的生長氧化物半導體層后的截面圖；?

圖3B為本實用新型氧化物半導體晶體管的生長氧化物半導體層后的俯視圖；?

圖4A為本實用新型氧化物半導體晶體管的生長柵電極后的截面圖；?

圖4B為本實用新型氧化物半導體晶體管的生長柵電極后的俯視圖；?

圖5A為本實用新型氧化物半導體晶體管的生長替代功能層后的截面圖；?

圖5B為本實用新型氧化物半導體晶體管的生長替代功能層后的俯視圖；?

圖6A為本實用新型氧化物半導體晶體管的生長層間絕緣層后的截面圖；?

圖6B為本實用新型氧化物半導體晶體管的生長層間絕緣層后的俯視圖。?

具體實施方式