[實(shí)用新型]氧化物半導(dǎo)體晶體管

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201320842722.2
• 申請(qǐng)日: 2013-12-19
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN203859117U
• 公開(kāi)（公告）日: 2014-10-01
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 劉玉成;蔡世星;袁波
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 昆山工研院新型平板顯示技術(shù)中心有限公司;昆山國(guó)顯光電有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L29/786
• 分類(lèi)號(hào): H01L29/786;H01L29/417
• 代理公司: 廣州華進(jìn)聯(lián)合專(zhuān)利商標(biāo)代理有限公司 44224
• 代理人: 唐清凱

1.一種氧化物半導(dǎo)體晶體管，其特征在于，包括：?

基板；?

形成在所述基板上的氧化物半導(dǎo)體層；?

形成在所述氧化物半導(dǎo)體層上的柵電極絕緣層；?

形成在所述氧化物半導(dǎo)體層上的替代功能層；?

形成在所述替代功能層上，位于所述柵電極絕緣層兩側(cè)的源/漏電極。?

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氧化物半導(dǎo)體晶體管，其特征在于，所述替代功能層為自對(duì)準(zhǔn)結(jié)構(gòu)。?

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氧化物半導(dǎo)體晶體管，其特征在于，還包括：?

形成在所述柵電極絕緣層上的柵電極；?

其中，所述柵電極上形成有所述替代功能層。?

4.根據(jù)權(quán)利要求1至3任一項(xiàng)所述的氧化物半導(dǎo)體晶體管，其特征在于，所述替代功能層的材料為鉬、鈦、鉬合金、或鈦合金。?

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氧化物半導(dǎo)體晶體管，其特征在于，還包括：?

形成在所述基板與所述氧化物半導(dǎo)體層之間的襯底；?

其中，所述襯底為無(wú)機(jī)層。?

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的氧化物半導(dǎo)體晶體管，其特征在于，所述氧化物半導(dǎo)體層中的氧化物半導(dǎo)體為IGZO。?

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的氧化物半導(dǎo)體晶體管，其特征在于，所述柵電極絕緣層的結(jié)構(gòu)為氮化硅、或/和氧化硅單層或多層復(fù)合結(jié)構(gòu)。?

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的氧化物半導(dǎo)體晶體管，其特征在于，所述柵電極絕緣層形狀為倒梯形。?

9.根據(jù)權(quán)利要求3所述的氧化物半導(dǎo)體晶體管，其特征在于，所述柵電極的結(jié)構(gòu)為鉬、銅、鋁、鉬合金、銅合金、或鋁合金形成的單層或疊層結(jié)構(gòu)。?

10.根據(jù)權(quán)利要求3所述的氧化物半導(dǎo)體晶體管，其特征在于，所述源/漏電極的結(jié)構(gòu)均為鉬、銅、或鋁金屬形成的單層或疊層結(jié)構(gòu)。?