[實用新型]無引線平面表貼式厚膜混合集成電路

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201320842343.3
• 申請日: 2013-12-19
• 公開（公告）號: CN203690290U
• 公開（公告）日: 2014-07-02
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 楊成剛;趙曉輝;蘇貴東;王德成
• 申請（專利權(quán)）人: 貴州振華風(fēng)光半導(dǎo)體有限公司
• 主分類號: H01L23/49
• 分類號: H01L23/49;H01L23/48;H01L23/31;H01L25/00
• 代理公司: 貴陽中工知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所 52106
• 代理人: 劉安寧

技術(shù)領(lǐng)域

本實用新型涉及集成電路，進(jìn)一步來說，涉及厚膜混合集成電路，尤其涉及表貼式厚膜混合集成電路。

背景技術(shù)

原有混合電路的集成技術(shù)中，在陶瓷基片上，將半導(dǎo)體芯片、片式元器件直接裝貼在厚膜基片上，再采用鍵合絲（金絲或硅鋁絲）進(jìn)行芯片與基片的引線鍵合，基片和管腳的引線鍵合，完成整個電器連接，最后在特定的氣氛中將管基和管帽進(jìn)行密封而成。原有混合電路的集成技術(shù)存在的主要問題是必須采用管基和管帽對內(nèi)部電路進(jìn)行封裝，由于管基和管帽體積大、管腳長、連接管腳的內(nèi)引線多、而且較長，因此，封裝后厚膜混合集成電路的體積較大、高頻干擾大，在裝備小型化、高頻等應(yīng)用領(lǐng)域受到一定的限制。?

經(jīng)檢索，中國專利數(shù)據(jù)庫中涉及厚膜混合集成電路的申請件有11件，其中實用新型3件，即：200920125720.5號《高可靠厚膜混合集成電路鍵合系統(tǒng)》、201220532745.9號《高靈敏溫控厚膜混合集成電路》、201320216423.8號《一種汽車雨刮器控制厚膜混合集成電路》。目前還沒有無引線平面表貼式厚膜混合集成電路的申請件。

發(fā)明內(nèi)容

本實用新型旨在提供一種無引線平面表貼式厚膜混合集成電路，通過取消封裝外殼（含管基、管帽）、取消管腳及其內(nèi)引線，從而解決原有厚膜混合電路存在的問題。

為達(dá)到這一目的，設(shè)計人提供的無引線平面表貼式厚膜混合集成電路，主要由陶瓷基片、厚膜導(dǎo)帶、厚膜阻帶、厚膜電容、厚膜電感、半導(dǎo)體裸芯片、片式元器件和封裝芯片組成，與原有厚膜混合集成電路不同的是：它不需要管基、管腳和連接管腳的引線，它的陶瓷基片上開有通孔，通孔內(nèi)填充有金屬漿料，形成金屬通孔；陶瓷基片的底面有平面形對外連接端，便于用以進(jìn)行表貼式安裝；在陶瓷基片的正面、底面集成有厚膜導(dǎo)帶、厚膜阻帶、厚膜電容、厚膜電感，正面、底面覆蓋有絕緣介質(zhì)保護(hù)層；在陶瓷基片正面已進(jìn)行引線鍵合的半導(dǎo)體裸芯片區(qū)域，覆蓋有絕緣介質(zhì)涂封層；片式元器件和半導(dǎo)體裸芯片分別焊接在相應(yīng)的陶瓷基片上的金屬裝結(jié)區(qū)域；封裝芯片焊接在球型焊接區(qū)之上。

上述陶瓷基片上通孔的孔徑精度≦0.1μm。

上述半導(dǎo)體裸芯片用鍵合絲與陶瓷基片上的金屬導(dǎo)帶連接。

上述絕緣介質(zhì)保護(hù)層是用三氧化二鋁絕緣介質(zhì)陶瓷漿料燒結(jié)而成的。

上述絕緣介質(zhì)涂封層是用玻璃漿料低溫固化而成的。

上述封裝芯片是芯片級封裝芯片。

本實用新型的無引線平面表貼式厚膜混合集成電路有以下特點：①無封裝外殼，體積大幅縮小；②無引腳及相應(yīng)的內(nèi)引線，減小相應(yīng)的高頻干擾；③實現(xiàn)表貼式安裝，縮小裝備體積，提升裝備的高頻性能；④提高裝備系統(tǒng)的可靠性。

本實用新型的集成電路廣泛應(yīng)用于航天、航空、船舶、電子、通訊、醫(yī)療設(shè)備、工業(yè)控制等領(lǐng)域，特別適用于裝備系統(tǒng)小型化、高頻、高可靠的領(lǐng)域，具有廣闊的市場前景和應(yīng)用空間。

附圖說明

圖1為本實用新型的無引線平面表貼式厚膜混合集成電路結(jié)構(gòu)示意圖。

圖中，1為陶瓷基片，2為通孔，3為平面對外連接端，4為厚膜導(dǎo)帶/鍵合區(qū)，5為厚膜阻帶，6為絕緣介質(zhì)保護(hù)層，7為球型焊接區(qū)，8為片式元器件，9為半導(dǎo)體裸芯片，10為鍵合絲，11為封裝芯片，12為絕緣介質(zhì)涂封層，13為金屬通孔。

具體實施方式

實施例：

一種無引線平面表貼式厚膜混合集成電路，主要由陶瓷基片1、厚膜導(dǎo)帶4、厚膜阻帶5、厚膜電容、厚膜電感、片式元器件8和封裝芯片11組成，如附圖1所示，它的陶瓷基片1開有通孔2，通孔2的孔徑精度≦0.1μm；通孔2內(nèi)填充有金屬漿料，形成金屬通孔13；陶瓷基片1的底面有平面形對外連接端3；在陶瓷基片1的正面及底面集成有厚膜導(dǎo)帶4、厚膜阻帶5、厚膜電容、厚膜電感，其上覆蓋有三氧化二鋁陶瓷絕緣介質(zhì)保護(hù)層6；陶瓷基片1正面的半導(dǎo)體裸芯片9有用絕緣介質(zhì)玻璃漿料涂封和固化形成的絕緣介質(zhì)涂封層12；半導(dǎo)體裸芯片9用鍵合絲10與陶瓷基片1上的金屬導(dǎo)帶連接；片式元器件8和半導(dǎo)體裸芯片9分別裝結(jié)在相應(yīng)的陶瓷基片1上的金屬裝結(jié)區(qū)域；芯片級封裝芯片11焊接在球型焊接區(qū)7之上。