[實用新型]無引線平面表貼式厚膜混合集成電路

有效

• 申請號: 201320842343.3
• 申請日: 2013-12-19
• 公開（公告）號: CN203690290U
• 公開（公告）日: 2014-07-02
• 發明（設計）人: 楊成剛;趙曉輝;蘇貴東;王德成
• 申請（專利權）人: 貴州振華風光半導體有限公司
• 主分類號: H01L23/49
• 分類號: H01L23/49;H01L23/48;H01L23/31;H01L25/00
• 代理公司: 貴陽中工知識產權代理事務所 52106
• 代理人: 劉安寧

1.無引線平面表貼式厚膜混合集成電路，主要由陶瓷基片(1)、厚膜導帶(4)、厚膜阻帶(5)、厚膜電容、厚膜電感、半導體裸芯片(9)、片式元器件(8)和封裝芯片(11)組成，其特征在于它的陶瓷基片(1)開有通孔(2)，通孔(2)內填充有金屬漿料，形成金屬通孔(13)；陶瓷基片(1)的底面有平面對外連接端(3)；在陶瓷基片(1)的正面及底面集成有厚膜導帶（4）、厚膜阻帶（5）、厚膜電容、厚膜電感，其上覆蓋有用絕緣介質陶瓷漿料在氮氣保護環境中燒結成膜而形成的絕緣介質保護層（6）；陶瓷基片(1)正面的半導體裸芯片(9)覆蓋有用絕緣介質漿料涂封和固化形成的絕緣介質涂封層(12)；半導體裸芯片(9)用鍵合絲(10)與陶瓷基片(1)上的金屬導帶連接；片式元器件(8)和半導體裸芯片(9)分別裝結在相應的陶瓷基片(1)上的金屬裝結區域；封裝芯片(11)焊接在球型焊接區(7)之上。

2.?如權利要求1所述的集成電路，其特征在于所述通孔(2)的孔徑精度≦0.1μm。

3.??如權利要求1所述的集成電路，其特征在于所述半導體裸芯片(9)用鍵合絲(10)與陶瓷基片(1)上的金屬導帶連接。

4.??如權利要求1所述的集成電路，其特征在于所述絕緣介質保護層是用三氧化二鋁絕緣介質陶瓷漿料燒結而成的。

5.??如權利要求1所述的集成電路，其特征在于所述絕緣介質涂封層(12)是用玻璃漿料低溫固化而成的。

6.??如權利要求1所述的集成電路，其特征在于所述封裝芯片(11)是芯片級封裝芯片。