[實用新型]能降低EMI輻射的背光升壓電路和LED背光驅動電路

有效

• 申請號: 201320835669.3
• 申請日: 2013-12-18
• 公開（公告）號: CN203673805U
• 公開（公告）日: 2014-06-25
• 發明（設計）人: 胡利
• 申請（專利權）人: TCL康鈦汽車信息服務（深圳）有限公司
• 主分類號: G09G3/34
• 分類號: G09G3/34
• 代理公司: 深圳市君勝知識產權代理事務所 44268
• 代理人: 王永文;劉文求

1.一種能降低EMI輻射的背光升壓電路，其特征在于，包括：DC-DC芯片和用于抑制DC-DC芯片產生的EMI輻射的RC吸收模塊，所述RC吸收模塊的一端連接DC-DC芯片的輸出端，RC吸收模塊的另一端接地。

2.根據權利要求1所述的能降低EMI輻射的背光升壓電路，其特征在于，所述RC吸收模塊包括第一電阻和第一電容，所述第一電阻的一端連接DC-DC芯片的輸出端，第一電阻的另一端通過第一電容接地。

3.根據權利要求2所述的能降低EMI輻射的背光升壓電路，其特征在于，所述DC-DC芯片包括：電感、第二電容、第三電容、二極管和MOS管；所述電感的一端連接DC-DC芯片的輸入端、還通過第二電容接地，所述電感的另一端連接MOS管的漏極和二極管的正極，所述MOS管的源極接地，MOS管的柵極連接DC-DC芯片的控制端，所述二極管的負極連接DC-DC芯片的輸出端、還通過第三電容接地。

4.根據權利要求3所述的能降低EMI輻射的背光升壓電路，其特征在于，所述DC-DC芯片還包括：第一寄生電感、第二寄生電感、第三寄生電感、第四寄生電感、第一結電容和第二結電容；所述第一寄生電感串聯在所述電感的另一端和二極管的正極之間，第二寄生電感串聯在所述電感的另一端和MOS管的漏極之間，第三寄生電感的一端連接MOS管的源極，第三寄生電感的另一端接地，所述第四寄生電感串聯在二極管的負極和DC-DC芯片的輸出端之間；所述第一結電容的一端連接MOS管的漏極，第一結電容的另一端連接MOS管的源極；所述第二結電容與所述二極管并聯。

5.根據權利要求2所述的能降低EMI輻射的背光升壓電路，其特征在于，所述第一電阻的阻值小于100歐姆。

6.根據權利要求2所述的能降低EMI輻射的背光升壓電路，其特征在于，所述第一電容為PF級電容。

7.一種LED背光驅動電路，用于驅動LED，其特征在于，包括儲能電感、整流二極管和如權利要求1-6任意一項所述的背光升壓電路，所述儲能電感的一端連接VCC_IN供電端和背光升壓電路的輸入端，所述儲能電感的另一端連接背光升壓電路的輸出端和整流二極管的正極，所述整流二極管的負極連接LED的正極，所述背光升壓電路的反饋端連接LED的負極。