[實(shí)用新型]能降低EMI輻射的背光升壓電路和LED背光驅(qū)動電路

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201320835669.3
• 申請日: 2013-12-18
• 公開（公告）號: CN203673805U
• 公開（公告）日: 2014-06-25
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 胡利
• 申請（專利權(quán)）人: TCL康鈦汽車信息服務(wù)（深圳）有限公司
• 主分類號: G09G3/34
• 分類號: G09G3/34
• 代理公司: 深圳市君勝知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所 44268
• 代理人: 王永文;劉文求

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型涉及LED背光控制技術(shù)，特別涉及一種能降低EMI輻射的背光升壓電路和LED背光驅(qū)動電路。

背景技術(shù)

目前，轉(zhuǎn)載設(shè)備一般使用7寸或8寸的TFT顯示屏，顯示屏的背光驅(qū)動電路通常使用DC-DC（直流-直流）升壓電路。在DC-DC升壓電路中均使用了DC-DC升壓芯片，而DC-DC升壓芯片工作在開關(guān)狀態(tài)，因此會產(chǎn)生很大的噪聲和較強(qiáng)的EMI（Electromagnetic?Interference，電磁干擾）輻射。

請參閱圖1和圖2，其中，圖1為DC-DC升壓芯片內(nèi)部電路的原理圖，圖2為DC-DC升壓芯片內(nèi)部電路的等效電路圖。升壓芯片內(nèi)部包括第一電容C1、第二電容C2、電感L1、二極管D1和MOS管Q1。圖2中的第二電感L2、第三電感L3、第四電感L4、第五電感L5均為DC-DC升壓芯片內(nèi)部PCB（Printed?Circuit?Board，印刷電路板）走線的寄生電感。第三電容C3和第四電容C4分別為MOS管Q1和二極管D1的結(jié)電容。

DC-DC升壓芯片的工作頻率一般在100KHZ~2MHZ，因此在DC-DC升壓電路中的dV/dt和di/dt變化大。而且從圖2的電路可知，PCB走線存在寄生參數(shù)，因此很容易在芯片內(nèi)部的開關(guān)器件（如MOS管），以及DC-DC升壓芯片的輸出端產(chǎn)生較大的沖擊電壓、沖擊電流、雜散噪聲、以及振鈴，由此產(chǎn)生很強(qiáng)的EMI輻射。

以下結(jié)合圖2，對DC-DC升壓芯片產(chǎn)生EMI輻射的原因作詳細(xì)描述：

如圖2所示，MOS管Q1在快速導(dǎo)通和截止的過程中會產(chǎn)生尖峰噪聲和高頻紋波，這將產(chǎn)生很強(qiáng)的輻射。MOS管Q1導(dǎo)通的瞬間，由于MOS管Q1的電壓瞬間突變，會出現(xiàn)較大的浪涌電流造成尖峰噪聲。當(dāng)MOS管Q1由導(dǎo)通瞬間截止時，由于MOS管Q1的電流瞬間突變，PCB走線存在寄生電感（如第三電感L3、第四電感L4），會產(chǎn)生反向電動勢E=L*di/dt，其值與MOS管Q1的漏極電流的變化率成正比、也與寄生電感成正比，這兩個信號共同疊加在關(guān)斷電壓上，形成了MOS管Q1的關(guān)斷尖峰電壓，從而形成輻射干擾。

由圖2可知，在MOS管Q1的附近存在LC回路，L為第三電感L3和第四電感L4之和，C為MOS管Q1的結(jié)電容（即第三電容C3），當(dāng)MOS管Q1關(guān)斷（即截止）時，就形成LC回路產(chǎn)生LC振蕩，這個振蕩電壓疊加到MOS管Q1的漏極電壓上，并在幾十兆到幾百兆范圍內(nèi)進(jìn)行衰減振蕩，產(chǎn)生了較強(qiáng)的EMI輻射，這體現(xiàn)在車載設(shè)備上就是電磁輻射和顯示屏出現(xiàn)較大的紋波干擾。眾所周知EMI輻射對人體有害，因此有必要將其影響盡可能降低。

實(shí)用新型內(nèi)容

鑒于上述現(xiàn)有技術(shù)的不足之處，本實(shí)用新型的目的在于提供一種能降低EMI輻射的背光升壓電路和LED背光驅(qū)動電路，能降低背光升壓電路的EMI輻射。

為了達(dá)到上述目的，本實(shí)用新型采取了以下技術(shù)方案：

一種能降低EMI輻射的背光升壓電路，其包括：DC-DC芯片和用于抑制DC-DC芯片產(chǎn)生的EMI輻射的RC吸收模塊，所述RC吸收模塊的一端連接DC-DC芯片的輸出端，RC吸收模塊的另一端接地。

所述的能降低EMI輻射的背光升壓電路中，所述RC吸收模塊包括第一電阻和第一電容，所述第一電阻的一端連接DC-DC芯片的輸出端，第一電阻的另一端通過第一電容接地。

所述的能降低EMI輻射的背光升壓電路中，所述DC-DC芯片包括：電感、第二電容、第三電容、二極管和MOS管；所述電感的一端連接DC-DC芯片的輸入端、還通過第二電容接地，所述電感的另一端連接MOS管的漏極和二極管的正極，所述MOS管的源極接地，MOS管的柵極連接DC-DC芯片的控制端，所述二極管的負(fù)極連接DC-DC芯片的輸出端、還通過第三電容接地。

所述的能降低EMI輻射的背光升壓電路中，所述DC-DC芯片還包括：第一寄生電感、第二寄生電感、第三寄生電感、第四寄生電感、第一結(jié)電容和第二結(jié)電容；所述第一寄生電感串聯(lián)在所述電感的另一端和二極管的正極之間，第二寄生電感串聯(lián)在所述電感的另一端和MOS管的漏極之間，第三寄生電感的一端連接MOS管的源極，第三寄生電感的另一端接地，所述第四寄生電感串聯(lián)在二極管的負(fù)極和DC-DC芯片的輸出端之間；所述第一結(jié)電容的一端連接MOS管的漏極，第一結(jié)電容的另一端連接MOS管的源極；所述第二結(jié)電容與所述二極管并聯(lián)。

所述的能降低EMI輻射的背光升壓電路中，所述第一電阻的阻值小于100歐姆。

所述的能降低EMI輻射的背光升壓電路中，所述第一電容為PF級電容。