[實用新型]磁控濺射設備有效
| 申請號: | 201320833018.0 | 申請日: | 2013-12-17 |
| 公開(公告)號: | CN203923364U | 公開(公告)日: | 2014-11-05 |
| 發明(設計)人: | 董斌;趙欣凱;張立星;付艷強;車奉周;贠向南;金相起;李正勛 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司;北京京東方顯示技術有限公司 |
| 主分類號: | C23C14/35 | 分類號: | C23C14/35 |
| 代理公司: | 北京銀龍知識產權代理有限公司 11243 | 代理人: | 黃燦;呂品 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 磁控濺射 設備 | ||
技術領域
本實用新型涉及一種利用濺射法對金屬材料進行鍍覆的裝置,特別是涉及一種磁控濺射設備。
背景技術
薄膜晶體管作為關鍵器件直接影響薄膜場效應晶體管液晶顯示器的性能。在現有TFT-LCD(薄膜場效應晶體管LCD)制造領域中,薄膜場效應晶體管制備通常采用磁控濺射鍍膜的手段完成。
荷能粒子(如氬離子)轟擊固體表面,引起固體表面的各種粒子(如原子、分子或分子團束)從該固體表面逸出的現象稱“濺射”。在磁控濺射鍍膜過程中,通常是應用氬氣電離產生的正離子轟擊固體(靶材),濺出的中性原子沉積到基片(工件)上,以形成膜層。
磁控濺射鍍膜需要在真空環境下完成。在現實生產過程中,通常采用分子泵作為真空泵對Chamber(濺射腔室)進行抽真空,在真空提升過程中,Chamber(濺射腔室)內會有粒子在靶材以及Mask(防著板)上吸附,而這些粒子在玻璃進入設備進行正常的制造過程中會造成異常的薄膜缺陷,從而降低薄膜質量,比如真空氛圍較差時就有較高的幾率發生膜層以及線間的短路以及開路情況;而因為靶材不斷消耗,一段時間以后就需要更換新的靶材,這時候就需要把濺射腔室打開,這樣腔室和新的靶材、Mask都會吸附大氣的一些粒子,如果繼續抽真空鍍膜需要較長時間,如在時間不足情況下鍍膜,則得到的薄膜上的微粒就會很多,同樣造成薄膜質量的降低。
實用新型內容
本實用新型的目的在于提供一種有效防止粒子在靶材以及Mask(防著板)上吸附的磁控濺射設備。
本實用新型的磁控濺射設備,包括用于容納靶材以及工件的濺射腔室,所述濺射腔室的內部設置有防著板,其特征在于,所述濺射腔室內設置有用于照射所述靶材以及所述防著板以使所述靶材以及所述防著板的表面發生光致脫附的光源。
本實用新型的磁控濺射設備,其中,所述濺射腔室的內部設置有用于安放靶材的靶材安裝區域以及與所述靶材安裝區域相對設置的用于安裝工件的承載基板,所述防著板包括設置于所述承載基板與所述靶材安裝區域之間的中空防著板,所述光源包括設置于所述承載基板外側的第一光源。
本實用新型的磁控濺射設備,其中,所述承載基板的上方設置有磁鐵,所述第一光源的下邊緣低于所述磁鐵的下邊緣。
本實用新型的磁控濺射設備,其中,所述中空防著板通過面向所述承載基板的銅板安裝于所述濺射腔室的內部,所述第一光源高于所述銅板的上邊緣。
本實用新型的磁控濺射設備,其中,所述光源包括設置于所述承載基板外側的第二光源。
本實用新型的磁控濺射設備,其中,所述濺射腔室的內部設置有用于帶動所述承載基板移動的滾輪以及承托所述滾輪的導軌,所述第二光源的上邊緣高于所述導軌的上邊緣。
本實用新型的磁控濺射設備,其中,所述第二光源低于所述銅板的下邊緣。
本實用新型的磁控濺射設備,其中,所述第一光源為用于發射紫外線的第一紫外燈,所述第二光源為用于發射紫外線的第二紫外燈。
本實用新型的磁控濺射設備,其中,所述第一紫外燈、所述紫外燈均為氙燈。
在本實用新型的磁控濺射設備的工作過程中,在真空提升過程中,靶材以及防著板的表面發生光致脫附,即光源的光子能量達到跨越勢壘的高度,靶材以及防著板的表面氣團的逸出,由此減少粒子在靶材以及防著板上吸附,濺射腔室內的真空度迅速提升,生產效率大幅提高。
附圖說明
圖1為本實用新型的磁控濺射設備的結構示意圖的側剖視圖;
圖2為本實用新型的磁控濺射設備的結構示意圖的主視圖。
具體實施方式
下面結合附圖和具體實施例對本實用新型作進一步說明,以使本領域的技術人員可以更好的理解本實用新型并能予以實施,但所舉實施例不作為對本實用新型的限定。
如圖1、圖2所示,本實用新型的磁控濺射設備,包括用于容納靶材10以及工件20的濺射腔室1,濺射腔室1的內部設置有防著板2,濺射腔室1內設置有用于照射靶材10以及防著板2以使靶材10的表面以及防著板2的表面發生光致脫附的光源3。
在本實用新型的磁控濺射設備的工作過程中,真空泵對濺射腔室1進行抽真空,在真空提升過程中,濺射腔室1內會有粒子在靶材10以及防著板2上吸附,而隨著光源3的啟動,靶材10的表面以及防著板2的表面發生光致脫附,即光源3的光子能量達到跨越勢壘的高度,靶材10以及防著板2的表面氣團的逸出,由此減少粒子在靶材10以及防著板2上吸附,濺射腔室1內的真空度迅速提升,生產效率大幅提高。
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