[實用新型]一種疊層芯片的晶圓級銅凸塊封裝結構

有效

• 申請號: 201320824437.8
• 申請日: 2013-12-12
• 公開（公告）號: CN203690288U
• 公開（公告）日: 2014-07-02
• 發明（設計）人: 俞國慶;邵長治;嚴怡媛;陳俊飛
• 申請（專利權）人: 寧波芯健半導體有限公司
• 主分類號: H01L23/488
• 分類號: H01L23/488;H01L21/60
• 代理公司: 上海泰能知識產權代理事務所 31233
• 代理人: 宋纓;孫健

1.一種疊層芯片的晶圓級銅凸塊封裝結構，包括疊層芯片，其特征在于，所述疊層芯片包括第一硅承載層和第二硅承載層，所述第二硅承載層鋪設在所述第一硅承載層的底部形成凸起區域；所述第一硅承載層的底部和凸起區域上均生長有電性隔絕層，所述第一硅承載層的底部上的電性隔絕層上留有第一開口；所述第一開口中設有第一電性連接點；所述凸起區域上的電性隔絕層上留有第二開口；所述第二開口中設有第二電性連接點；所述電性隔絕層上生長有光阻層；所述光阻層上生長有金屬層；所述金屬層覆蓋所述第一電性連接點和第二電性連接點；所述第一電性連接點上通過多次電鍍形成第一銅凸塊；所述第二電性連接點上通過多次電鍍形成第二銅凸塊；所述第一銅凸塊和第二銅凸塊頂部處于同一水平面；所述第一銅凸塊和第二銅凸塊的頂部生長有等高度的金屬球。

2.根據權利要求1所述的疊層芯片的晶圓級銅凸塊封裝結構，其特征在于，所述光阻層覆蓋凸起區域的側面。

3.根據權利要求1所述的疊層芯片的晶圓級銅凸塊封裝結構，其特征在于，所述銅凸塊為方形或圓形。

4.根據權利要求1所述的疊層芯片的晶圓級銅凸塊封裝結構，其特征在于，所述凸起區域高出所述第一硅承載層底部20-40微米。

5.根據權利要求4所述的疊層芯片的晶圓級銅凸塊封裝結構，其特征在于，所述第一銅凸塊的高度為80-120微米；所述第二銅凸塊的高度為40-100微米。

6.根據權利要求1所述的疊層芯片的晶圓級銅凸塊封裝結構，其特征在于，所述光阻層的厚度為10-15微米。

7.根據權利要求1所述的疊層芯片的晶圓級銅凸塊封裝結構，其特征在于，所述金屬層的厚度為1-2微米。

8.根據權利要求1所述的疊層芯片的晶圓級銅凸塊封裝結構，其特征在于，所述金屬層覆蓋凸起區域的側面。