[實用新型]一種雙臺面可控硅器件封裝結(jié)構(gòu)

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201320823589.6
• 申請日: 2013-12-16
• 公開（公告）號: CN203659843U
• 公開（公告）日: 2014-06-18
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 鄒有彪;張鵬
• 申請（專利權(quán)）人: 啟東吉萊電子有限公司
• 主分類號: H01L23/488
• 分類號: H01L23/488;H01L23/13
• 代理公司: 南京正聯(lián)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 32243
• 代理人: 盧海洋

技術(shù)領(lǐng)域

本實用新型涉及一種雙臺面可控硅器件封裝結(jié)構(gòu)，屬于功率半導(dǎo)體器件封裝技術(shù)領(lǐng)域。

背景技術(shù)

軟焊料具有良好的浸潤性和可焊性并且焊接溫度低，因此廣泛用在塑料封裝大功率半導(dǎo)體器件組裝焊接工藝中。但在采用軟焊料的雙臺面可控硅器件組裝過程中，經(jīng)常出現(xiàn)的情況是：軟焊料較好的流動性常常會導(dǎo)致過多的軟焊料流向可控硅芯片的臺面處，引起可控硅器件表面擊穿，損害雙臺面可控硅器件的反向阻斷能力，嚴(yán)重的還會導(dǎo)致雙臺面可控硅器件燒毀失效，這成為制約雙臺面可控硅器件封裝工藝可靠性的一個重要問題。因此，需要提供一種新的技術(shù)方案來解決上述問題。

實用新型內(nèi)容

為解決上述問題，本實用新型提供一種雙臺面可控硅器件封裝結(jié)構(gòu)。可以有效提高雙臺面可控硅器件封裝成品率和可靠性。

本實用新型采用的技術(shù)方案是：

一種雙臺面可控硅器件封裝結(jié)構(gòu)，該封裝結(jié)構(gòu)自上而下依次包括雙臺面可控硅芯片、軟焊料和線框底座，所述雙臺面可控硅芯片下表面設(shè)置有可供焊接的金屬，所述軟焊料設(shè)置在雙臺面可控硅芯片下表面的可焊接金屬與線框底座之間，所述線框底座的上表面設(shè)置有凹槽結(jié)構(gòu)，所述凹槽結(jié)構(gòu)用于存儲過量的軟焊料。

所述凹槽結(jié)構(gòu)為環(huán)繞雙臺面可控硅芯片的凹槽。

本實用新型的有益效果：本實用新型在線框底座的上表面設(shè)置了凹槽，凹槽環(huán)繞雙臺面可控硅芯片，凹槽可以用于存儲過量的軟焊料，防止過量的軟焊料流入可控硅的臺面中引起器件表面擊穿，從而可以有效避免雙臺面可控硅器件反向阻斷能力退化，提高雙臺面可控硅器件封裝成品率。?

附圖說明

圖1是本實用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖2是本實用新型凹槽結(jié)構(gòu)示意圖。

其中：1、雙臺面可控硅芯片，2、金屬，3、軟焊料，4、凹槽，5、線框底座。

具體實施方式

為了加深對本實用新型的理解，下面將結(jié)合實施例和附圖對本實用新型作進(jìn)一步詳述，該實施例僅用于解釋本實用新型，并不構(gòu)成對本實用新型的保護(hù)范圍的限定。

如圖1和2所示，本實用新型的一種雙臺面可控硅器件封裝結(jié)構(gòu)，該封裝結(jié)構(gòu)自上而下依次包括雙臺面可控硅芯片1、軟焊料3和線框底座5，雙臺面可控硅芯片1下表面設(shè)置有可供焊接的金屬2，軟焊料3設(shè)置在雙臺面可控硅芯片1下表面的可焊接金屬2與線框底座5之間，線框底座5的上表面設(shè)置有凹槽結(jié)構(gòu)，凹槽結(jié)構(gòu)用于存儲過量的軟焊料3，凹槽結(jié)構(gòu)為環(huán)繞雙臺面可控硅芯片1的凹槽4。

本實用新型在制作封裝用線框時在線框底座上制作一個凹槽4，凹槽4內(nèi)矩形面積比雙臺面可控硅芯片可供焊接金屬面積略大，凹槽4寬度及高度適中以能容納下過量軟焊料3為宜，組裝時凹槽4位于位于雙臺面可控硅芯片1正下方外側(cè)的線框底座5中。

本實用新型在線框底座的上表面設(shè)置了凹槽4，凹槽4環(huán)繞雙臺面可控硅芯片1，凹槽4可以用于存儲過量的軟焊料3，防止過量的軟焊料3流入可控硅的臺面中引起器件表面擊穿，從而可以有效避免雙臺面可控硅器件反向阻斷能力退化，提高雙臺面可控硅器件封裝成品率。