[實用新型]金屬氧化物半導體薄膜晶體管有效
| 申請號： | 201320817992.8 | 申請日： | 2013-12-13 |
| 公開（公告）號： | CN203644792U | 公開（公告）日： | 2014-06-11 |
| 發明（設計）人： | 戴謙邦;黃雋堯;彭郁芩;黃科銓 | 申請（專利權）人： | 華映視訊（吳江）有限公司;中華映管股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/786 | 分類號： | H01L29/786;H01L29/423 |
| 代理公司： | 上海漢聲知識產權代理有限公司 31236 | 代理人： | 胡晶 |
| 地址： | 215217 江蘇省蘇州市*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 金屬 氧化物 半導體 薄膜晶體管 | ||
1.一種金屬氧化物半導體薄膜晶體管，包含：
一源極及一漏極；
一金屬氧化物半導體層，接觸該源極的一部分及該漏極的一部分；
一柵極；
一第一柵絕緣層，位于該金屬氧化物半導體層與該柵極之間，并且接觸該柵極；以及
一第二柵絕緣層，位于該金屬氧化物半導體層與該柵極之間，并且接觸該金屬氧化物半導體層。
2.如權利要求1所述的金屬氧化物半導體薄膜晶體管，其特征在于，該第一柵絕緣層的厚度大于該第二柵絕緣層的厚度。
3.如權利要求1所述的金屬氧化物半導體薄膜晶體管，其特征在于，該第一柵絕緣層及該第二柵絕緣層位于該金屬氧化物半導體層的下方，該第一柵絕緣層覆蓋該柵極，該第二柵絕緣層夾設于該第一柵絕緣層與該金屬氧化物半導體層之間。
4.如權利要求3所述的金屬氧化物半導體薄膜晶體管，其特征在于，還包含一第一保護層覆蓋并接觸該金屬氧化物半導體層。
5.如權利要求4所述的金屬氧化物半導體薄膜晶體管，其特征在于，該第一保護層具有二個開口，該金屬氧化物半導體層藉由該二個開口接觸該源極的該部分及該漏極的該部分。
6.如權利要求4所述的金屬氧化物半導體薄膜晶體管，其特征在于，該金屬氧化物半導體層完全被該第二柵絕緣層、該第一保護層、該源極及該漏極所包覆。
7.如權利要求4所述的金屬氧化物半導體薄膜晶體管，其特征在于，還包含一第二保護層覆蓋該第一保護層。
8.如權利要求7所述的金屬氧化物半導體薄膜晶體管，其特征在于，該第二保護層的厚度大于該第一保護層的厚度。
9.如權利要求1所述的金屬氧化物半導體薄膜晶體管，其特征在于，該第一柵絕緣層及該第二柵絕緣層位于該金屬氧化物半導體層的上方，該第二柵絕緣層覆蓋該金屬氧化物半導體層，該第一柵絕緣層夾設于該第二柵絕緣層與該柵極之間。
10.如權利要求1所述的金屬氧化物半導體薄膜晶體管，其特征在于，該金屬氧化物半導體層未與該第一柵絕緣層接觸。
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