[實(shí)用新型]金屬氧化物半導(dǎo)體薄膜晶體管

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201320817992.8
• 申請(qǐng)日: 2013-12-13
• 公開（公告）號(hào): CN203644792U
• 公開（公告）日: 2014-06-11
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 戴謙邦;黃雋堯;彭郁芩;黃科銓
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 華映視訊（吳江）有限公司;中華映管股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L29/786
• 分類號(hào): H01L29/786;H01L29/423
• 代理公司: 上海漢聲知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31236
• 代理人: 胡晶

1.一種金屬氧化物半導(dǎo)體薄膜晶體管，包含：

一源極及一漏極；

一金屬氧化物半導(dǎo)體層，接觸該源極的一部分及該漏極的一部分；

一柵極；

一第一柵絕緣層，位于該金屬氧化物半導(dǎo)體層與該柵極之間，并且接觸該柵極；以及

一第二柵絕緣層，位于該金屬氧化物半導(dǎo)體層與該柵極之間，并且接觸該金屬氧化物半導(dǎo)體層。

2.如權(quán)利要求1所述的金屬氧化物半導(dǎo)體薄膜晶體管，其特征在于，該第一柵絕緣層的厚度大于該第二柵絕緣層的厚度。

3.如權(quán)利要求1所述的金屬氧化物半導(dǎo)體薄膜晶體管，其特征在于，該第一柵絕緣層及該第二柵絕緣層位于該金屬氧化物半導(dǎo)體層的下方，該第一柵絕緣層覆蓋該柵極，該第二柵絕緣層夾設(shè)于該第一柵絕緣層與該金屬氧化物半導(dǎo)體層之間。

4.如權(quán)利要求3所述的金屬氧化物半導(dǎo)體薄膜晶體管，其特征在于，還包含一第一保護(hù)層覆蓋并接觸該金屬氧化物半導(dǎo)體層。

5.如權(quán)利要求4所述的金屬氧化物半導(dǎo)體薄膜晶體管，其特征在于，該第一保護(hù)層具有二個(gè)開口，該金屬氧化物半導(dǎo)體層藉由該二個(gè)開口接觸該源極的該部分及該漏極的該部分。

6.如權(quán)利要求4所述的金屬氧化物半導(dǎo)體薄膜晶體管，其特征在于，該金屬氧化物半導(dǎo)體層完全被該第二柵絕緣層、該第一保護(hù)層、該源極及該漏極所包覆。

7.如權(quán)利要求4所述的金屬氧化物半導(dǎo)體薄膜晶體管，其特征在于，還包含一第二保護(hù)層覆蓋該第一保護(hù)層。

8.如權(quán)利要求7所述的金屬氧化物半導(dǎo)體薄膜晶體管，其特征在于，該第二保護(hù)層的厚度大于該第一保護(hù)層的厚度。

9.如權(quán)利要求1所述的金屬氧化物半導(dǎo)體薄膜晶體管，其特征在于，該第一柵絕緣層及該第二柵絕緣層位于該金屬氧化物半導(dǎo)體層的上方，該第二柵絕緣層覆蓋該金屬氧化物半導(dǎo)體層，該第一柵絕緣層夾設(shè)于該第二柵絕緣層與該柵極之間。

10.如權(quán)利要求1所述的金屬氧化物半導(dǎo)體薄膜晶體管，其特征在于，該金屬氧化物半導(dǎo)體層未與該第一柵絕緣層接觸。