[實(shí)用新型]金屬氧化物半導(dǎo)體薄膜晶體管

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201320817992.8
• 申請(qǐng)日: 2013-12-13
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN203644792U
• 公開(kāi)（公告）日: 2014-06-11
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 戴謙邦;黃雋堯;彭郁芩;黃科銓
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 華映視訊（吳江）有限公司;中華映管股份有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L29/786
• 分類(lèi)號(hào): H01L29/786;H01L29/423
• 代理公司: 上海漢聲知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31236
• 代理人: 胡晶

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型是有關(guān)于一種金屬氧化物半導(dǎo)體薄膜晶體管。

背景技術(shù)

液晶顯示面板包含薄膜晶體管基板、彩色濾光片基板及位于薄膜晶體管基板與彩色濾光片基板之間的液晶分子層。薄膜晶體管基板上配置多個(gè)薄膜晶體管，每一薄膜晶體管包含柵極、柵絕緣層、半導(dǎo)體層、源極及漏極。半導(dǎo)體層的材料例如可包含非晶硅、多晶硅、微晶硅、單晶硅、有機(jī)半導(dǎo)體、金屬氧化物半導(dǎo)體或其他合適的材料。

相較于非晶硅薄膜晶體管，金屬氧化物半導(dǎo)體薄膜晶體管具有較高的載子遷移率(Mobility)，而擁有較佳的電性表現(xiàn)。金屬氧化物半導(dǎo)體層對(duì)于氫原子和氧原子十分敏感，容易因?yàn)闅湓踊蜓踉拥倪M(jìn)入而使其變質(zhì)，導(dǎo)致電性表現(xiàn)變差。甚至可能因?yàn)闅湓拥倪M(jìn)入，使金屬氧化物半導(dǎo)體層轉(zhuǎn)變?yōu)閷?dǎo)體，而使薄膜晶體管不能操作。因此，必須在極低含氫及含氧量的環(huán)境下形成絕緣層，以避免影響金屬氧化物半導(dǎo)體層的電性表現(xiàn)。然而在極低含氫及含氧量的環(huán)境下形成一定厚度的絕緣層需要很長(zhǎng)的時(shí)間，機(jī)臺(tái)容易因此而變得不穩(wěn)定，進(jìn)而有異常當(dāng)機(jī)的現(xiàn)象發(fā)生。有鑒于此，目前亟需一種改良的金屬氧化物半導(dǎo)體薄膜晶體管，以解決上述問(wèn)題。

實(shí)用新型內(nèi)容

本實(shí)用新型的一態(tài)樣提供一種金屬氧化物半導(dǎo)體薄膜晶體管，包含源極及漏極、金屬氧化物半導(dǎo)體層、柵極、第一柵絕緣層及第二柵絕緣層。金屬氧化物半導(dǎo)體層接觸源極的一部分及漏極的一部分。第一柵絕緣層位于金屬氧化物半導(dǎo)體層與柵極之間，并且接觸柵極。第二柵絕緣層位于金屬氧化物半導(dǎo)體層與柵極之間，并且接觸金屬氧化物半導(dǎo)體層。

根據(jù)本實(shí)用新型的一實(shí)施方式，第一柵絕緣層的厚度大于第二柵絕緣層的厚度。

根據(jù)本實(shí)用新型的一實(shí)施方式，第一柵絕緣層及第二柵絕緣層位于金屬氧化物半導(dǎo)體層的下方，第一柵絕緣層覆蓋柵極，第二柵絕緣層夾設(shè)于第一柵絕緣層與金屬氧化物半導(dǎo)體層之間。?

根據(jù)本實(shí)用新型的一實(shí)施方式，金屬氧化物半導(dǎo)體薄膜晶體管還包含第一保護(hù)層覆蓋并接觸金屬氧化物半導(dǎo)體層。

根據(jù)本實(shí)用新型的一實(shí)施方式，第一保護(hù)層具有二個(gè)開(kāi)口，金屬氧化物半導(dǎo)體層藉由二個(gè)開(kāi)口接觸源極的該部分及漏極的該部分。?

根據(jù)本實(shí)用新型的一實(shí)施方式，金屬氧化物半導(dǎo)體層完全被第二柵絕緣層、第一保護(hù)層、源極及漏極所包覆。

根據(jù)本實(shí)用新型的一實(shí)施方式，金屬氧化物半導(dǎo)體薄膜晶體管更包含第二保護(hù)層覆蓋第一保護(hù)層。

根據(jù)本實(shí)用新型的一實(shí)施方式，第二保護(hù)層的厚度大于第一保護(hù)層的厚度。

根據(jù)本實(shí)用新型的一實(shí)施方式，第一柵絕緣層及第二柵絕緣層位于金屬氧化物半導(dǎo)體層的上方，第二柵絕緣層覆蓋金屬氧化物半導(dǎo)體層，第一柵絕緣層夾設(shè)于第二柵絕緣層與柵極之間。?

根據(jù)本實(shí)用新型的一實(shí)施方式，金屬氧化物半導(dǎo)體層未與第一柵絕緣層接觸。

附圖說(shuō)明

圖1是顯示依照本實(shí)用新型一實(shí)施方式的金屬氧化物半導(dǎo)體薄膜晶體管(底柵型)的剖面示意圖；

????圖2是顯示依照本實(shí)用新型一實(shí)施方式的金屬氧化物半導(dǎo)體薄膜晶體管(底柵型)的剖面示意圖；

????圖3是顯示依照本實(shí)用新型一實(shí)施方式的金屬氧化物半導(dǎo)體薄膜晶體管(底柵型)的剖面示意圖；

????圖4是顯示依照本實(shí)用新型一實(shí)施方式的金屬氧化物半導(dǎo)體薄膜晶體管(頂柵型)的剖面示意圖；

????圖5是顯示依照本實(shí)用新型一實(shí)施方式的金屬氧化物半導(dǎo)體薄膜晶體管(頂柵型)的剖面示意圖。

【主要組件符號(hào)說(shuō)明】

110基板

122第一柵絕緣層

124第二柵絕緣層

132第一保護(hù)層

132a開(kāi)口

134第二保護(hù)層

D漏極

G柵極

S源極

????SE金屬氧化物半導(dǎo)體層

????T11第一柵絕緣層的厚度

????T12第二柵絕緣層的厚度

????T21第一保護(hù)層的厚度

??T22第二保護(hù)層的厚度。

具體實(shí)施方式

本實(shí)用新型的一態(tài)樣是提供一種金屬氧化物半導(dǎo)體薄膜晶體管。圖1是顯示依照本實(shí)用新型一實(shí)施方式的金屬氧化物半導(dǎo)體薄膜晶體管(底柵型)的剖面示意圖。如圖1所示，金屬氧化物半導(dǎo)體薄膜晶體管包含源極S及漏極D、金屬氧化物半導(dǎo)體層SE、柵極G、第一柵絕緣層122及第二柵絕緣層124。