[實用新型]一種單晶硅片有效
| 申請號: | 201320814312.7 | 申請日: | 2013-12-12 |
| 公開(公告)號: | CN203787439U | 公開(公告)日: | 2014-08-20 |
| 發明(設計)人: | 李振國;鐘寶申;鄧良平 | 申請(專利權)人: | 西安隆基硅材料股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/0352 | 分類號: | H01L31/0352 |
| 代理公司: | 西安吉盛專利代理有限責任公司 61108 | 代理人: | 潘憲曾 |
| 地址: | 710100 陜西*** | 國省代碼: | 陜西;61 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 單晶硅 | ||
1.一種單晶硅片,包括矩形本體(10),其特征在于:所述本體(10)的四角為圓弧,且該四個圓弧位于同一圓上。?
2.如權利要求1所述的單晶硅片,其特征在于:所述本體(10)的截面由兩個平行相對的橫邊(11)、兩個平行相對的縱邊(12)及連接在相鄰的橫邊(11)和縱邊(12)之間的四個圓弧邊(13)構成;?
所述兩個橫邊(11)之間的間距A:156≤A≤157mm;兩個縱邊(12)之間的間距B:156≤A≤157mm;所述圓的直徑D:203≤D≤215mm。?
3.如權利要求2所述的單晶硅片,其特征在于:所述兩個縱邊(12)的間距B等于所述兩個橫邊(11)的間距A:156.5≤A≤157mm。?
4.如權利要求3所述的單晶硅片,其特征在于:所述圓的直徑D:204≤D≤206mm或209≤D≤211mm。?
5.如權利要求3或4所述的單晶硅片,其特征在于:所述圓的直徑D:204.75≤D≤205.25mm或209.75≤D≤210.25mm。?
6.如權利要求2所述的單晶硅片,其特征在于:所述兩個橫邊(11)的間距A大于所述兩個縱邊(12)的間距B,且:156.5≤A≤157mm。?
7.如權利要求6所述的單晶硅片,其特征在于:所述兩個縱邊(12)的間距B:156.5≤B≤157mm。?
8.如權利要求6或7所述的單晶硅片,其特征在于:所述圓的直徑D:204≤D≤206mm或209≤D≤211mm。?
9.如權利要求8所述的單晶硅片,其特征在于:所述圓的直徑D:204.75≤D≤205.25mm或209.75≤D≤210.25mm。?
10.如權利要求2所述的單晶硅片,其特征在于:所述兩個橫邊(11)的間距A與兩個縱邊(12)的間距B均為156.75mm,所述圓的直徑D為205mm;?
或兩個橫邊(11)的間距A與兩個縱邊(12)的間距B均為157mm,所述圓的直徑D為210mm;?
或所述兩個橫邊(11)的間距A為156.75mm,兩個縱邊(12)的間距B為156.25mm,所述圓的直徑D為212mm。?
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





