[實用新型]一種單晶硅片有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201320814312.7 | 申請日: | 2013-12-12 |
| 公開(公告)號: | CN203787439U | 公開(公告)日: | 2014-08-20 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 李振國;鐘寶申;鄧良平 | 申請(專利權(quán))人: | 西安隆基硅材料股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/0352 | 分類號: | H01L31/0352 |
| 代理公司: | 西安吉盛專利代理有限責(zé)任公司 61108 | 代理人: | 潘憲曾 |
| 地址: | 710100 陜西*** | 國省代碼: | 陜西;61 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 單晶硅 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本實用新型涉及一種用于光伏領(lǐng)域的單晶硅片。
背景技術(shù)
隨著全球經(jīng)濟的不斷發(fā)展,人類對高效能源的需求持續(xù)增長。光伏發(fā)電作為人類可持續(xù)發(fā)展的主要綠色能源的一種,日益受到世界各國的重視并得到大力發(fā)展。目前,光伏發(fā)電的最大問題仍在于度電成本偏高,無法平價上網(wǎng),需要政府補貼支持。為了降低度電發(fā)電成本,需要提高單電池片的發(fā)電量,光伏產(chǎn)業(yè)的上下游廠家投入了大量的人力物力,或者開發(fā)高轉(zhuǎn)化效率的半導(dǎo)體材料,或者改善晶硅材料制造工藝,或者優(yōu)化電池片制造工藝等,其目的都是通過提高轉(zhuǎn)效率來提高單電池片的發(fā)電量,實現(xiàn)度電的發(fā)電成本降低。然而這些方法的實現(xiàn)都比較復(fù)雜,都以額外的成本投入為代價,制造成本往往大幅上升,最終又制約了度電發(fā)電成本的實際下降。
為了解決上述問題,專利號為“201120333107.x”的中國專利公開記載了,一種圖1所示的由上、下兩平行平面組成的方形薄片即作為單晶硅片的本體10的太陽能級單晶硅片,其主要特點是,單晶硅片本體10的四個角2為圓弧,如此,使得該單晶硅片切割后不會造成缺角、不易崩邊,且在加工硅片端面時,不容易產(chǎn)生破壞性的崩口,提高了硅片生產(chǎn)的良品率和后期加工的使用率;相對于倒角而言,提高了邊緣表面質(zhì)量;將硅片的厚度由原來的200±20μm?降低到160±4μm,提高了硅片的出片率,同時,磨圓角后增大了硅片可用面積,提高了發(fā)電效率。
單就該專利記載而言,其用以增大硅片可用面積的四個圓弧角,并非同心圓弧,只是僅為了工藝和單晶硅片本體形狀結(jié)構(gòu)的需要,限定了其四個圓弧角的角度a為90°,由此,不能看出,該專利記載的太陽能級單晶硅片其借助四個圓弧角增大硅片可用面積非常有限,主要是因為:四個圓弧角并非同心圓?。ㄆ湔f明書附圖圖1更為直觀),致使其所在圓弧半徑R不可能過大,正如該專利文件記載的圓弧半徑R在15~16mm之間,相應(yīng)的圓弧角的面積也不會太大,因此,其增加的硅片本體可用面積受限。因此,不難看出,該專利文件主要解決的問題是,提供一種不易造成缺角、不易崩碎的太陽能級單晶硅片,即改進工藝,提高出產(chǎn)量,在增加硅片可用面積、提高發(fā)電量方面貢獻有限。
由此可見,目前尚未有理想的提高單電池片發(fā)電量和降低發(fā)電成本的技術(shù)。
實用新型內(nèi)容
本實用新型的目的在是適應(yīng)于現(xiàn)有光伏電池片制造生產(chǎn)線的前提下,較為明顯的提高單晶硅片的發(fā)電量、同時又控制生產(chǎn)成本。
為達上述目的,本實用新型提供了一種單晶硅片,包括矩形本體,其特殊之處在于,所述本體的四角為圓弧,且該四個圓弧位于同一圓上。?
上述本體的截面由兩個平行相對的橫邊、兩個平行相對的縱邊及連接在相鄰的橫邊和縱邊之間的四個圓弧邊構(gòu)成;兩個橫邊之間的間距A:156≤A≤157?mm;兩個縱邊之間的間距B:156≤A≤157?mm;所述圓的直徑D:203≤D≤215mm。
上述兩個縱邊的間距B等于所述兩個橫邊的間距A:156.5≤A≤157?mm。
上述圓的直徑D:204≤D≤206mm或209≤D≤211mm。
上述圓的直徑D:204.75≤D≤205.25mm或209.75≤D≤210.25mm。
上述兩個橫邊的間距A大于所述兩個縱邊的間距B,且:156.5≤A≤157?mm。
上述兩個縱邊的間距B:156.5≤B≤157?mm。
上述圓的直徑D:204≤D≤206mm或209≤D≤211mm。
上述圓的直徑D:204.75≤D≤205.25mm或209.75≤D≤210.25mm。
上述兩個橫邊(11)的間距A與兩個縱邊(12)的間距B均為156.75?mm,所述圓的直徑D為205mm;
或兩個橫邊的間距A與兩個縱邊的間距B均為157mm,所述圓的直徑D為210mm;
或所述兩個橫邊的間距A為156.75mm,兩個縱邊的間距B為156.25?mm,圓的直徑D為212mm。
本實用新型的優(yōu)點是:適應(yīng)于現(xiàn)有主流光伏電池片制造產(chǎn)線,在通過性上滿足產(chǎn)線最大尺寸冗余,可在適用于現(xiàn)有裝置尺寸的基礎(chǔ)上增加受光面積,從而能夠在不增加或增加極少制造成本的基礎(chǔ)上獲得更高的單電池片發(fā)電量,降低度電發(fā)電成本。
附圖說明
圖1是已有技術(shù)中的單晶硅片的示意圖。
圖2是本實用新型的實施例一提供的單晶硅片的示意圖。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導(dǎo)體器件;專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的,并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的





