[實(shí)用新型]一種ITO鍍膜生產(chǎn)線有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201320807172.0 | 申請(qǐng)日: | 2013-12-11 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN203700486U | 公開(kāi)(公告)日: | 2014-07-09 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 郭衛(wèi)軍 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 湖北優(yōu)泰顯示技術(shù)有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào): | C23C14/24 | 分類(lèi)號(hào): | C23C14/24;C23C14/56 |
| 代理公司: | 北京鼎佳達(dá)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11348 | 代理人: | 王偉鋒;劉鐵生 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 ito 鍍膜 生產(chǎn)線 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本實(shí)用新型涉及ITO鍍膜技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種ITO鍍膜生產(chǎn)線。
背景技術(shù)
氧化銦錫(ITO)是一種N型半導(dǎo)體,常溫下具有良好的導(dǎo)電性能,對(duì)可見(jiàn)光有很好的透過(guò)率,是生產(chǎn)液晶屏及觸摸屏的關(guān)鍵材料之一。液晶顯示器之所以能顯示特定的圖形,就是利用導(dǎo)電玻璃上的透明導(dǎo)電膜,經(jīng)蝕刻制成特定外形的電極,上下導(dǎo)電玻璃制成液晶盒后,在這些電極上加適當(dāng)電壓信號(hào),使具有偶極矩的液晶分子在電場(chǎng)作用下特定的方面排列,僅而顯示出與電極波長(zhǎng)相對(duì)應(yīng)的圖形。隨著液晶屏及觸摸屏技術(shù)的高速發(fā)展,如何使得ITO鍍膜生產(chǎn)效率更高,產(chǎn)品穿透率和阻抗特性更理想,成為函待解決的問(wèn)題。
發(fā)明內(nèi)容
本實(shí)用新型的目的在于針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的不足而提供一種ITO鍍膜生產(chǎn)線,可大大提高ITO鍍膜生產(chǎn)效率,使得產(chǎn)品穿透率和阻抗特性更理想。
為實(shí)現(xiàn)上述目的,本實(shí)用新型采用以下技術(shù)方案來(lái)實(shí)現(xiàn)。
一種ITO鍍膜生產(chǎn)線,它包括玻璃基片輸送線、基片夾具、夾具機(jī)械手和真空鍍膜機(jī),真空鍍膜機(jī)設(shè)置于玻璃基片輸送線的右端;所述基片夾具用于裝夾玻璃基片,所述基基片夾具放置在玻璃基片輸送線上進(jìn)行輸送,夾具機(jī)械手夾持基片夾具并將基片夾具放置于真空鍍膜機(jī)內(nèi);所述真空鍍膜機(jī)包括有從左至右依次設(shè)置的SiO2膜真空鍍膜室、ITO膜真空鍍膜室、穿透率檢驗(yàn)室和阻抗特性檢驗(yàn)室,真空鍍膜機(jī)還設(shè)置有穿設(shè)所述SiO2膜真空鍍膜室、ITO膜真空鍍膜室、穿透率檢驗(yàn)室和阻抗特性檢驗(yàn)室的輸送帶。
本實(shí)用新型的有益效果為:本實(shí)用新型所述一種ITO鍍膜生產(chǎn)線,可大大提高ITO鍍膜生產(chǎn)效率,使得產(chǎn)品穿透率和阻抗特性更理想。
附圖說(shuō)明
圖1為本實(shí)用新型的原理框圖。
具體實(shí)施方式
下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步的說(shuō)明。
如圖1所示,一種ITO鍍膜生產(chǎn)線,它包括玻璃基片輸送線1、基片夾具2、夾具機(jī)械手3和真空鍍膜機(jī)4,真空鍍膜機(jī)4設(shè)置于玻璃基片輸送線1的右端;所述基片夾具2用于裝夾玻璃基片,所述基片夾具2放置在玻璃基片輸送線1上進(jìn)行輸送,夾具機(jī)械手3夾持基片夾具2并將基片夾具2放置于真空鍍膜機(jī)4內(nèi);所述真空鍍膜機(jī)4包括有從左至右依次設(shè)置的SiO2膜真空鍍膜室40、ITO膜真空鍍膜室41、穿透率檢驗(yàn)室42和阻抗特性檢驗(yàn)室43,真空鍍膜機(jī)4還設(shè)置有穿設(shè)所述SiO2膜真空鍍膜室40、ITO膜真空鍍膜室41、穿透率檢驗(yàn)室42和阻抗特性檢驗(yàn)室43的輸送帶44。
上述一種ITO鍍膜生產(chǎn)線的工作原理是,工作時(shí),將玻璃基片裝夾于基片夾具2,基片夾具放置在玻璃基片輸送線1上進(jìn)行輸送,夾具機(jī)械手3夾持基片夾具2并將基片夾具2放置于真空鍍膜機(jī)4的SiO2膜真空鍍膜室40,?SiO2膜真空鍍膜室40對(duì)玻璃基片進(jìn)行真空鍍膜,在玻璃基片的鍍膜面上鍍上一層30μm厚的SiO2膜;輸送帶44將玻璃基片輸送到ITO膜真空鍍膜室41,ITO膜真空鍍膜室41的蒸發(fā)源將第一步所配置的ITO膜膠液蒸發(fā)鍍于玻璃基片的SiO2膜上,形成一層25μm厚的ITO膜;輸送帶44將玻璃基片輸送到穿透率檢驗(yàn)室42,穿透率檢驗(yàn)室42對(duì)玻璃基片的穿透率進(jìn)行檢驗(yàn)并得到穿透率檢驗(yàn)數(shù)據(jù);輸送帶44將玻璃基片輸送到阻抗特性檢驗(yàn)室43,阻抗特性檢驗(yàn)室43對(duì)玻璃基片的阻抗特性進(jìn)行檢驗(yàn)并得到阻抗特性檢驗(yàn)數(shù)據(jù);根據(jù)穿透率檢驗(yàn)數(shù)據(jù)和阻抗特性檢驗(yàn)數(shù)據(jù)判斷產(chǎn)品是否為良品,良品即包裝起來(lái)。所述一種ITO鍍膜生產(chǎn)線可大大提高ITO鍍膜生產(chǎn)效率,使得產(chǎn)品穿透率和阻抗特性更理想。
上述一種ITO鍍膜生產(chǎn)線的的ITO鍍膜生產(chǎn)工藝,包括如下步驟:
第一步,配置ITO膜膠液:將一定量的銦溶解在濃酸鹽中得到InCl3溶液,取出一定量的InCl3溶液,與乙酰丙酮按1:2—1:3的摩爾比混合攪拌得到透明溶液;再按透明溶液與乙二醇甲醚的質(zhì)量比為80:5的比例加入乙二醇甲醚,在室溫下攪拌,得到In溶膠;按In:Sn質(zhì)量比為25:2的比例加入SnCl4·5H2O,攪拌20min得到In-Sn溶膠,然后按In-Sn溶膠與聚乙二醇的質(zhì)量比為80:20的比例加入聚乙二醇,靜置40min得到ITO膜膠液;
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