[實(shí)用新型]太陽能選擇性涂層法向發(fā)射率測(cè)試裝置有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201320781953.7 | 申請(qǐng)日: | 2013-12-03 |
| 公開(公告)號(hào): | CN203688472U | 公開(公告)日: | 2014-07-02 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 鄧金雁;沈劍山;周福云;譚卓鵬;賀冬枚 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 康達(dá)新能源設(shè)備股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | G01N25/00 | 分類號(hào): | G01N25/00 |
| 代理公司: | 廣州華進(jìn)聯(lián)合專利商標(biāo)代理有限公司 44224 | 代理人: | 譚一兵;曾云騰 |
| 地址: | 523400 *** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 太陽能 選擇性 涂層 發(fā)射 測(cè)試 裝置 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
?本實(shí)用新型涉及發(fā)射率測(cè)量技術(shù)領(lǐng)域,特別是涉及一種太陽能選擇性涂層法向發(fā)射率測(cè)試裝置。
背景技術(shù)
?熱輻射體表面的法線方向光譜輻射強(qiáng)度與相同溫度下黑體的法線方向光譜輻射強(qiáng)度之比稱為法向光譜發(fā)射率。若對(duì)法向發(fā)射率指定波長λ1-λ2范圍,則稱為法向波段發(fā)射率或法向積分發(fā)射率。法向積分發(fā)射率的測(cè)量結(jié)果僅為一數(shù)值,因此便于不同樣品測(cè)量結(jié)果間的比較,應(yīng)用廣泛。
能量法測(cè)物體發(fā)射率的原理是根據(jù)普朗克定律或斯蒂芬-玻耳茲曼定律和發(fā)射率定義,通過測(cè)量樣品的輻射能量計(jì)算出物體的發(fā)射率。由于絕對(duì)輻射能量的測(cè)量存在較大誤差,因此目前主要采用能量比較法進(jìn)行測(cè)量,即在同一溫度下,分別測(cè)量黑體與樣品的輻射能量,計(jì)算兩者的比值。傳統(tǒng)的能量法發(fā)射率測(cè)試裝置加熱不均勻,且升溫較慢,真空室的室壁在使用中會(huì)過熱,在使用一定時(shí)間后,需停機(jī)進(jìn)行冷卻,影響測(cè)試結(jié)果,且環(huán)境雜散輻射大。
發(fā)明內(nèi)容
基于此,有必要針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的缺點(diǎn)的問題,提供一種太陽能選擇性涂層法向發(fā)射率測(cè)試裝置,實(shí)現(xiàn)波長范圍0.4~10.4μm、溫度300~600℃范圍內(nèi)的涂層法向發(fā)射率的測(cè)量,設(shè)備簡單,技術(shù)可靠,測(cè)試效率高。
一種太陽能選擇性涂層法向發(fā)射率測(cè)試裝置,包括真空加熱室、探測(cè)結(jié)構(gòu)、黑體、溫控結(jié)構(gòu)和處理結(jié)構(gòu),所述探測(cè)結(jié)構(gòu)位于所述真空加熱室的上方,所述黑體位于所述探測(cè)結(jié)構(gòu)的一側(cè),所述溫控結(jié)構(gòu)電性連接于所述真空加熱室,所述探測(cè)結(jié)構(gòu)和溫控結(jié)構(gòu)分別電性連接于所述處理結(jié)構(gòu);所述真空加熱室包括真空室和加熱臺(tái),所述加熱臺(tái)設(shè)于所述真空室的內(nèi)部,真空室的一側(cè)設(shè)有真空接口和電氣接口,所述真空接口連接有真空抽氣機(jī)組。
在其中一個(gè)實(shí)施例中,所述真空室的室壁為水冷結(jié)構(gòu),所述室壁上設(shè)有循環(huán)水入口、循環(huán)水出口和氟化鈣窗口。
在其中一個(gè)實(shí)施例中,所述加熱臺(tái)上具有一均熱板,所述均熱板的正下方設(shè)有第一熱電偶。
在其中一個(gè)實(shí)施例中,所述黑體為空腔式結(jié)構(gòu),黑體的空腔內(nèi)設(shè)有硅碳加熱板和第二熱電偶,第二熱電偶固定在硅碳板加熱板中心。
在其中一個(gè)實(shí)施例中,所述溫控結(jié)構(gòu)包括PID溫度控制器和繼電器。
在其中一個(gè)實(shí)施例中,所述測(cè)量結(jié)構(gòu)包括探測(cè)器、鎖相放大器和數(shù)據(jù)采集卡,所述探測(cè)器位于所述真空室的正上方,所述鎖相放大器電性連接于所述探測(cè)器,所述數(shù)據(jù)采集卡電性連接于所述鎖相放大器。
在其中一個(gè)實(shí)施例中,所述探測(cè)器的探測(cè)端外設(shè)有水冷光柵。
上述太陽能選擇性涂層法向發(fā)射率測(cè)試裝置,結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)合理、簡單、使用方便,加熱均勻,提高了測(cè)量精度和穩(wěn)定性。真空加熱室為水冷結(jié)構(gòu),防止室壁過熱,其內(nèi)壁經(jīng)拋光處理,減少了環(huán)境雜散輻射。
本實(shí)用新型適用于涂層在溫度300~600℃范圍內(nèi)、波長0.4~10.6μm范圍內(nèi)的法向發(fā)射率測(cè)量,測(cè)試結(jié)果精度高,成本低廉,性能穩(wěn)定,測(cè)試效率高。
附圖說明
圖1為本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)示意圖。
以下是本實(shí)用新型零部件符號(hào)標(biāo)記說明:
真空加熱室10、真空室11、加熱臺(tái)12、真空接口13、電氣接口14、循環(huán)水入口15、循環(huán)水出口16、氟化鈣窗口17、均熱板18、第一熱電偶19、探測(cè)結(jié)構(gòu)20、探測(cè)器21、鎖相放大器22、數(shù)據(jù)采集卡23、水冷光柵24、黑體30、第二熱電偶31、溫控結(jié)構(gòu)40、PID溫度控制器41、繼電器42、處理結(jié)構(gòu)50。
具體實(shí)施方式
為能進(jìn)一步了解本實(shí)用新型的特征、技術(shù)手段以及所達(dá)到的具體目的、功能,解析本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)與精神,藉由以下結(jié)合附圖與具體實(shí)施方式對(duì)本實(shí)用新型的詳述得到進(jìn)一步的了解。
一種太陽能選擇性涂層法向發(fā)射率測(cè)試裝置,包括真空加熱室10、探測(cè)結(jié)構(gòu)20、黑體30、溫控結(jié)構(gòu)40和處理結(jié)構(gòu)50。探測(cè)結(jié)構(gòu)20位于真空加熱室10的上方,黑體30位于探測(cè)結(jié)構(gòu)20的一側(cè),溫控結(jié)構(gòu)40電性連接于真空加熱室10,探測(cè)結(jié)構(gòu)20和溫控結(jié)構(gòu)40分別電性連接于處理結(jié)構(gòu)50。真空加熱室10包括真空室11和加熱臺(tái)12,加熱臺(tái)12設(shè)于真空室11的內(nèi)部,真空室11的一側(cè)設(shè)有真空接口13和電氣接口14,真空接口13連接有真空抽氣機(jī)組。真空室11與真空抽氣機(jī)組通過快速接頭連接,在不做法向發(fā)射率測(cè)試時(shí),真空抽氣機(jī)組可以進(jìn)行其他的真空抽氣工作,優(yōu)化了資源配置。
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